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Diodos (34409)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
JAN1N989B-1 Microchip Technology Jan1N989B-1 -
RFQ
 ECAD 8334 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/117 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.3 V @ 200 Ma 500 na @ 114 V 150 V 1500 ohmios
JANTX1N4372A-1 Microchip Technology Jantx1n4372a-1 8.7450
RFQ
 ECAD 4828 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/127 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N4372 500 MW Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 30 µA @ 1 V 3 V 29 ohmios
JAN1N6314D Microchip Technology Jan1n6314d 30.4350
RFQ
 ECAD 8232 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N6314 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 2 µA @ 1 V 3.9 V 23 ohmios
JANTXV1N4478/TR Microchip Technology Jantxv1n4478/tr 10.7863
RFQ
 ECAD 4765 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1.5 W Do-41 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantXv1N4478/TR EAR99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 Ma 50 na @ 28.8 V 36 V 27 ohmios
ST6020A Microchip Technology ST6020A 78.9000
RFQ
 ECAD 7812 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 Estándar TO-204AD (TO-3) - Alcanzar sin afectado 150 ST6020A EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 40 A 5 µs 5 µA @ 200 V - 40A -
1N5923AP/TR12 Microchip Technology 1N5923AP/TR12 1.8600
RFQ
 ECAD 1014 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5923 1.5 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 6.5 V 8.2 V 3.5 ohmios
1N1128 Microchip Technology 1N1128 38.3850
RFQ
 ECAD 9669 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-203AA, DO-4, semento 1N1128 Estándar DO-4 (DO-203AA) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.2 V @ 30 A 10 µA @ 600 V -65 ° C ~ 200 ° C 12A -
JANTX1N5529B-1/TR Microchip Technology Jantx1n5529b-1/tr 6.9958
RFQ
 ECAD 1902 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/437 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-204AH (Vidrio DO-35) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N5529B-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 8.2 V 9.1 V 45 ohmios
CDLL3829A Microchip Technology CDLL3829A 10.1250
RFQ
 ECAD 3776 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo CDLL3829 - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1
1N5802US Microchip Technology 1N5802US 9.7200
RFQ
 ECAD 255 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje en superficie Sq-melf, un 1N5802 Estándar D-5A descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 875 MV @ 1 A 25 ns 1 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 25pf @ 10V, 1 MHz
JAN1N7043CCT1 Microchip Technology Jan1N7043CCT1 158.2350
RFQ
 ECAD 8019 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/730 Una granela Activo A Través del Aguetero TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS) 1N7043 Schottky Un 254 descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 35 A 500 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 35a 600pf @ 0V, 1 MHz
30HFU-300 Microchip Technology 30HFU-300 93.8250
RFQ
 ECAD 8131 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje Do-203ab, do-5, semental Estándar DO-203AB (DO-5) - Alcanzar sin afectado 150-30HFU-300 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 300 V -65 ° C ~ 175 ° C - -
1N2786 Microchip Technology 1N2786 74.5200
RFQ
 ECAD 9086 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje Do-203ab, do-5, semental Estándar DO-5 (DO-203AB) descascar Alcanzar sin afectado 150-1N2786 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.19 v @ 90 A 5 µs 10 µA @ 200 V -65 ° C ~ 200 ° C 10A -
SMBJ5943B/TR13 Microchip Technology SMBJ5943B/TR13 1.5600
RFQ
 ECAD 1600 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMBJ5943 2 W SMBJ (DO-214AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 42.6 V 56 V 86 ohmios
JAN1N6331CUS Microchip Technology Jan1n6331cus 63.7050
RFQ
 ECAD 6680 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 500 MW B, SQ-Melf - Alcanzar sin afectado 150-Enero1n6331cus EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 50 na @ 15 V 20 V 18 ohmios
JANTX1N6320C Microchip Technology Jantx1n6320c 31.8300
RFQ
 ECAD 6219 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N6320 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 2 µA @ 4 V 6.8 V 3 ohmios
LSM335JE3/TR13 Microchip Technology LSM335JE3/TR13 0.5550
RFQ
 ECAD 4327 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC LSM335 Schottky DO-214AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 35 V 520 MV @ 3 A 1.5 Ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
1N5744C Microchip Technology 1N5744C 3.7200
RFQ
 ECAD 8509 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5744 500 MW Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 15 V 22 V 55 ohmios
1N1126AR Microchip Technology 1n1126ar 38.3850
RFQ
 ECAD 5005 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-203AA, DO-4, semento 1N1126 Polaridad Inversa Estándar DO-4 (DO-203AA) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.2 V @ 30 A 10 µA @ 400 V -65 ° C ~ 200 ° C 12A -
JANTXV1N5552US Microchip Technology Jantxv1n5552us 14.2050
RFQ
 ECAD 2074 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/420 Una granela Activo Montaje en superficie SQ-Melf, E 1N5552 Estándar D-5B descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.2 v @ 9 a 2 µs 1 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
JAN1N4955CUS Microchip Technology Jan1n4955cus 25.0800
RFQ
 ECAD 7787 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie SQ-Melf, E 1N4955 5 W D-5B descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 100 µA @ 5.7 V 7.5 V 1.5 ohmios
JANS1N4484DUS Microchip Technology Jans1n4484dus 330.2550
RFQ
 ECAD 1427 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Sq-melf, un 1.5 W D-5A - Alcanzar sin afectado 150-Jans1n4484dus EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 250 na @ 49.6 V 62 V 80 ohmios
JANTX1N4558RB Microchip Technology Jantx1n4558rb -
RFQ
 ECAD 4963 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/114 Una granela Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A-204AD 50 W TO-204AD (TO-3) - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 150 µA @ 500 MV 4.3 V 0.16 ohmios
1N6488US Microchip Technology 1N6488US 13.8900
RFQ
 ECAD 4817 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Sq-melf, un 1N6488 1.5 W A, SQ-Melf descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 5 µA @ 1 V 4.3 V 9 ohmios
1PMT5933AE3/TR13 Microchip Technology 1 PMT593333AE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 2192 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-216AA 1pmt5933 3 W DO-216AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 12,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 16.7 V 22 V 17.5 ohmios
JAN1N4567AUR-1/TR Microchip Technology Jan1N4567Aur-1/TR 10.9200
RFQ
 ECAD 8224 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-ENERO1N4567AUR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 V 200 ohmios
5822SMGE3/TR13 Microchip Technology 5822SMGE3/TR13 0.8100
RFQ
 ECAD 5928 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-215AB, Ala de Gaviota SMC 5822SMGE3 Schottky DO-215AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 3 A 1.5 Ma @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
CDLL3826 Microchip Technology CDLL3826 10.1250
RFQ
 ECAD 1378 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf CDLL3826 1 W DO-213AB descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 3 µA @ 1 V 5.1 V 7 ohmios
1N6622US Microchip Technology 1N6622US 8.7600
RFQ
 ECAD 9398 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje en superficie Sq-melf, un 1N6622 Estándar Una masa descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 660 V 1.4 V @ 1.2 A 30 ns 500 na @ 660 V -65 ° C ~ 150 ° C 1.2a 10pf @ 10V, 1 MHz
CDLL4766A Microchip Technology CDLL4766A 101.7900
RFQ
 ECAD 3835 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA CDLL4766 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 10 µA @ 6 V 9.1 V 350 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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