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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Jans1n4099d-1	102.3000	RFQ	5436	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 5.2 V				6.8 V	200 ohmios
Jankca1n749a	-	RFQ	9363	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jankca1n749a	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 1 V				4.3 V	22 ohmios
1 PMT4102/TR7	0.9600	RFQ	8512	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4102		1 W	DO-216	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 6.61 V				8.7 V	200 ohmios
Jantx1n754a-1/tr	2.2211	RFQ	8082	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N754A-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 4 V				6.8 V	3 ohmios
Jan1N4132ur-1/TR	3.7772	RFQ	9802	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)				DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Enero1n4132ur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 62.4 V				82 V	800 ohmios
Jans1n4979dus	429.5200	RFQ	5121	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo									descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n4979dus	EAR99	8541.10.0050	1
CD3024B	3.6043	RFQ	6161	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			1 W	Morir	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD3024B	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		500 na @ 11.4 V				15 V	14 ohmios
UFR3130	51.4650	RFQ	9926	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento		Estándar		DO-203AA (DO-4)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		300 V		1.25 V @ 30 A	50 ns		175 ° C (Máximo)	30A	115pf @ 10V, 1 MHz
Jantx1n4125c-1/tr	14.1911	RFQ	2099	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N4125C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 35.8 V				47 V	250 ohmios
Jantxv1n6628u/tr	25.4550	RFQ	5318	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/590	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SQ-Melf, B		Polaridad Inversa Estándar		B, SQ-Melf	-			Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n6628u/tr	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		660 V		1.35 v @ 2 a	45 ns	2 µA @ 660 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1.75a	40pf @ 10V, 1 MHz
Jantxv1n4985cus/tr	41.0400	RFQ	1270	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/356	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			5 W	E-Mada	-				150-jantxv1n4985cus/tr	EAR99	8541.10.0050	100					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 98.8 V				130 V	190 ohmios
Jantx1n3334rb	-	RFQ	2952	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/358	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	Do-203ab, do-5, semental			50 W	Do-5	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 42.6 V				56 V	6 ohmios
Janhca1n973b	8.5785	RFQ	6690	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	DO-7 (DO-204AA)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N973B	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 25.1 V				33 V	58 ohmios
Jan1n4986d	40.2000	RFQ	8830	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	E, axial	1N4986		5 W	E, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 114 V				150 V	330 ohmios
Jantxv1n4988dus/tr	51.2700	RFQ	6925	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/356	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			5 W	E-Mada	-				150-jantxv1n4988dus/tr	EAR99	8541.10.0050	100					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 136.8 V				180 V	450 ohmios
Jans1n4119d-1/tr	94.7000	RFQ	7558	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n4119d-1/tr	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 21.3 V				28 V	200 ohmios
Jantx1n5534cur-1/tr	33.6357	RFQ	7114	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N5534CUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 12.6 V				14 V	100 ohmios
Jan1n4483dus/tr	34.7550	RFQ	3158	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-				150-ENERO1N4483DUS/TR	EAR99	8541.10.0050	100					1.5 v @ 1 a		250 na @ 44.8 V				56 V	70 ohmios
1N821-1/TR	3.9600	RFQ	8709	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N821-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.2 V	15 ohmios
MBR30200FCTE3/TU	1.7600	RFQ	1557	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	MBR30200	Schottky		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	15A	900 MV @ 15 A		50 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C
CDS3041B-1/TR	-	RFQ	3024	Tecnología de Microchip	*	Tape & Reel (TR)	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-CDS3041B-1/TR	EAR99	8541.10.0050	50
MSASC150H45L/TR	220.7700	RFQ	8189	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	Thinkey ™ 3		Schottky		Thinkey ™ 3	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-MSASC150H45L/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		600 MV @ 150 A		10 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C	150a	-
Jan1n5189	9.4800	RFQ	6868	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/424	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	B, axial	1N5189	Estándar		B, axial	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		500 V		2 V @ 9 A	300 ns	2 µA @ 500 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
Jantx1n4103c-1/tr	12.1030	RFQ	9119	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N4103C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 7 V				9.1 V	200 ohmios
Jantxv1n4618c-1/tr	13.2335	RFQ	3729	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N4618C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 1 V				2.7 V	1500 ohmios
CDLL4711	3.3000	RFQ	8070	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL4711		500 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 20.4 V				27 V
1N4485D	22.1400	RFQ	7167	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial			1.5 W	Do-41	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N4485D	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		250 na @ 54.4 V				68 V	100 ohmios
1N4565A-1	3.2100	RFQ	9541	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4565		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 V	200 ohmios
1N2984A	36.9900	RFQ	9034	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	1N2984		10 W	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 2 a		10 µA @ 15.2 V				20 V	4 ohmios
CDLL5236A	2.8650	RFQ	7890	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL5236		10 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		3 µA @ 6 V				7.5 V	6 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²