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| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jan1n5530dur-1 | 46.2900 |  | 9437 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N5530 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 9.1 V | 10 V | 60 ohmios | |||||||||
| Jans1n4625dur-1 | 110.3100 | | 4257 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 3 V | 5.1 V | 1500 ohmios | ||||||||||||
 | 1N4699 | 4.3500 | | 3087 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4699 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 9.1 V | 12 V | |||||||||||
 | Janhca1n963b | 8.5785 | | 7825 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N963B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 9.1 V | 12 V | 11.5 ohmios | ||||||||||
 | 1N824E3 | 3.9150 | | 4807 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N824 | 500 MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1N824E3MS | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 5.9 V | 15 ohmios | ||||||||||
 | CDLL5822 | 6.5700 | | 1505 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5822 | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n759a-1/tr | 4.0831 | | 5494 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n759a-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 9 V | 12 V | 10 ohmios | ||||||||||
| Jantxv1n973d-1/tr | 13.2335 | | 2539 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N973D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 25 V | 33 V | 58 ohmios | ||||||||||
| Jans1n4122ur-1/TR | 45.8600 | | 1394 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jans1n4122ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 27.4 V | 36 V | 200 ohmios | ||||||||||
| Jantxv1n4124dur-1/tr | 32.0663 | | 9824 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N4124DUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 32.7 V | 43 V | 250 ohmios | ||||||||||
 | 1N6350U/TR | 14.7900 | | 9092 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 91 V | 120 V | 600 ohmios | |||||||||||||
| Jantx1n4553rb | - | | 7932 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/358 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 50 W | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 20 µA @ 1 V | 5.6 V | 0.12 ohmios | |||||||||||
| 1N4110D-1/TR | 6.3300 | | 3812 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N4110D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 150 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 12.2 V | 16 V | 100 ohmios | |||||||||||
| 1N2812A | 94.8900 | | 8563 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | A-204AD | 1N2812 | 50 W | TO-204AD (TO-3) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 10.6 V | 14 V | 1.2 ohmios | |||||||||
| Janhca1n4573a | 59.5950 | | 5394 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N4573A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 100 ohmios | |||||||||||
| Jantxv1n4123dur-1 | 36.0000 | | 2318 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4123 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 29.7 V | 39 V | 200 ohmios | |||||||||
| 1N1126R | 38.3850 | | 8486 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | Polaridad Inversa Estándar | DO-4 (DO-203AA) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N1126R | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.2 V @ 30 A | 10 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 12A | - | ||||||||||
 | Jans1n4955 | 103.9500 | | 4471 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | B, axial | 5 W | B, axial | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 100 µA @ 5.7 V | 7.5 V | 1.5 ohmios | ||||||||||||
| Jantxv1n5524d-1 | 29.2200 | | 7640 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5524 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 3.5 V | 5.6 V | 30 ohmios | |||||||||
 | 1N5353BE3/TR8 | 2.6850 | | 2392 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5353 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 11.5 V | 16 V | 2.5 ohmios | |||||||||
| 1N5819/TR | 8.1900 | | 8183 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do041, axial | 1N5819 | Schottky | Do-41 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5819/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 116 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 490 MV @ 1 A | 50 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | 70pf @ 5V, 1MHz | |||||||||
| Jantx1n6319us | - | | 4218 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 5 µA @ 3.5 V | 6.2 V | 3 ohmios | ||||||||||
 | SMBJ5346AE3/TR13 | 0.8100 | | 4942 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5346 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 7.5 µA @ 6.6 V | 9.1 V | 2 ohmios | |||||||||
| Jantx1n6309dus | 55.6050 | | 8410 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6309 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 100 µA @ 1 V | 2.4 V | 30 ohmios | ||||||||||
| 1N5231D-1 | 6.7950 | | 7331 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5231D-1 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 V | 17 ohmios | |||||||||||
| 1N6910UTK2/TR | 259.3500 | | 5289 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Thinkey ™ 2 | Schottky, Polaridad Inversa | Thinkey ™ 2 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N6910UTK2/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 15 V | 520 MV @ 25 A | 1.2 Ma @ 15 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 25A | 2000pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||
| 1N5352B/TR8 | 2.6850 | | 5118 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5352 | 5 W | T-18 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 10.8 V | 15 V | 2.5 ohmios | |||||||||
 | Smaj5935e3/tr13 | 0.6450 | | 2271 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaj5935 | 3 W | DO-214AC (SMAJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 20.6 V | 27 V | 23 ohmios | |||||||||
 | Jantx1n6345dus | 57.9000 | | 3137 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n6345dus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 56 V | 75 V | 180 ohmios | |||||||||||
 | Jantx1n6622us | 15.0300 | | 8689 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/585 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N6622 | Estándar | D-5A | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 660 V | 1.4 V @ 1.2 A | 30 ns | 500 na @ 660 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 2a | 10pf @ 10V, 1 MHz |
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