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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Jantxv1n4372aur-1	-	RFQ	6010	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		30 µA @ 1 V				3 V	29 ohmios
Jantx1n3002rb	-	RFQ	3968	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/124	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	DO-203AA, DO-4, semento			10 W	DO-213AA (DO-4)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 2 a		10 µA @ 56 V				75 V	22 ohmios
1 PMT5935C/TR13	2.7600	RFQ	8291	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5935		3 W	DO-216AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 20.6 V				27 V	23 ohmios
Jantxv1n969c-1	8.9100	RFQ	3372	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N969		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 17 V				22 V	29 ohmios
CDLL5226C/TR	6.9150	RFQ	3507	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL5226C/TR	EAR99	8541.10.0050	137			1.1 V @ 200 Ma		25 µA @ 1 V				3.3 V	28 ohmios
1N5251	2.2650	RFQ	3953	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5251	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 16.2 V				22 V	29 ohmios
1N5237	3.9150	RFQ	7089	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5237	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 Ma		3 µA @ 6.2 V				8.2 V	8 ohmios
CDLL963D	9.7800	RFQ	5749	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL963D	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 9.1 V				12 V	11.5 ohmios
CDS4153UR-1	-	RFQ	5038	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-cds4153ur-1			50
HSM350GE3/TR13	0.9900	RFQ	5292	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-215AB, Ala de Gaviota SMC	HSM350	Schottky		DO-215AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	50 V	620 MV @ 3 A		100 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
Jantxv1n3022cur-1/tr	41.0438	RFQ	7117	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N3022CUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 9.1 V				12 V	9 ohmios
1N6309	8.4150	RFQ	7897	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N6309		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		100 µA @ 1 V				2.4 V	30 ohmios
Jan1N5544D-1	13.8000	RFQ	6864	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5544		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 25.2 V				28 V	100 ohmios
Jantxv1n4957dus	33.0450	RFQ	9043	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			5 W	E-Mada	-			Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4957dus	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		25 µA @ 6.9 V				9.1 V	2 ohmios
Jan1N4571A-1/TR	5.4600	RFQ	1510	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/452	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N4571A-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 V	100 ohmios
Jan1n4486us	10.8150	RFQ	5483	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Sq-melf, un	1N4486		1.5 W	D-5A	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 Ma		250 na @ 60 V				75 V	130 ohmios
1N5530A	1.8150	RFQ	1591	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5530A	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 8 V				10 V
CD747A	1.5029	RFQ	5490	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD747A	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 Ma		5 µA @ 1 V				3.6 V	24 ohmios
1N5545C/TR	11.5500	RFQ	5637	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5545C/TR	EAR99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 27 V				30 V	100 ohmios
UFS515JE3/TR13	1.8900	RFQ	6347	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	UFS515	Estándar		DO-214AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	150 V	950 MV @ 5 A	30 ns	10 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C	5A	-
Jantx1n7048-1	8.8950	RFQ	8817	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo									-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1
HSM190JE3/TR13	0.8100	RFQ	8710	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214BA	HSM190	Schottky		DO-214BA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	90 V	840 MV @ 1 A		100 µA @ 90 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	-
Jantx1n4624dur-1/tr	32.5850	RFQ	2459	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Jantx1n4624dur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					5 µA @ 3 V				4.7 V	1550 ohmios
Jan1n6489	-	RFQ	4530	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1.5 W	Do-41	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		4 µA @ 1 V				4.7 V	8 ohmios
Jantx1n967b-1	2.1800	RFQ	556	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N967		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 14 V				18 V	21 ohmios
1N3157ur-1/TR	62.0700	RFQ	8624	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 4.76%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-					EAR99	8541.10.0050	100					10 µA @ 5.5 V				8.4 V	15 ohmios
Jantxv1n4991us	33.8100	RFQ	2488	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, E			5 W	D-5B	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 182 V				240 V	650 ohmios
1N5344C/TR12	-	RFQ	2224	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5344		5 W	T-18	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 1 a		10 µA @ 5.9 V				8.2 V	1.5 ohmios
1N6675/TR	1.5150	RFQ	8000	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		Schottky		DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N6675/TR	EAR99	8541.10.0070	100	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	20 V	500 MV @ 200 Ma		10 µA @ 20 V	-65 ° C ~ 125 ° C	200 MMA	50pf @ 0v, 1 MHz
1N5531D-1	8.6850	RFQ	5913	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 9.9 V				11 V	80 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²