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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S3640 | 61.1550 | ![]() | 9239 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Estándar | DO-203AB (DO-5) | - | Alcanzar sin afectado | 150-S3640 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.25 V @ 200 A | 25 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 70a | - | ||||||||||
![]() | Jan1n756dur-1/TR | 12.7680 | ![]() | 4220 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N756DUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 6 V | 8.2 V | 8 ohmios | ||||||||||
![]() | Jantxv1n3005b | - | ![]() | 7044 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/124 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 10 W | DO-213AA (DO-4) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 76 V | 100 V | 40 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N3294R | 102.2400 | ![]() | 3394 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | 1N3294 | Estándar | DO-205AA (DO-8) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N3294RMS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.55 V @ 310 A | 10 Ma @ 800 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 100A | - | ||||||||
Jan1N4570A-1/TR | 3.6150 | ![]() | 9313 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N4570A-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 100 ohmios | ||||||||||||
Jan1N981C-1/TR | 4.4289 | ![]() | 9125 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N981C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 52 V | 68 V | 230 ohmios | |||||||||||
![]() | CDLL3826D/TR | 25.9650 | ![]() | 2089 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL3826D/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.2 v @ 200 ma | 3 µA @ 1 V | 5.1 V | 7 ohmios | |||||||||||
1N6077 | 21.2400 | ![]() | 4354 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | 1N6077 | Estándar | A, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.76 V @ 18.8 A | 30 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 155 ° C | 1.3a | - | ||||||||
1N5230/TR | 2.8950 | ![]() | 1845 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5230/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 325 | 1.5 V @ 200 Ma | 50 µA @ 1.9 V | 4.7 V | 19 ohmios | ||||||||||||
![]() | MSASC150W60L/TR | 231.6600 | ![]() | 1881 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-MSASC150W60L/TR | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n2985b | - | ![]() | 5373 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/124 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 10 W | DO-213AA (DO-4) | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 16.7 V | 22 V | 5 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1N6003A | 1.9950 | ![]() | 9633 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N6003 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 8.4 V | 13 V | 36 ohmios | |||||||||
![]() | MSASC100H15HS/TR | - | ![]() | 3468 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-MSASC100H15HS/TR | 100 | |||||||||||||||||||||||
Jans1n6312cus/tr | 516.6900 | ![]() | 2555 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6312 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.4 v @ 1 a | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 27 ohmios | |||||||||||
![]() | Jantxv1n748aur-1/tr | 6.7830 | ![]() | 8827 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n748aur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.9 V | 23 ohmios | ||||||||||
![]() | Jan1n6328dus | 38.2200 | ![]() | 2471 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n6328dus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 11 V | 15 V | 10 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N4746PE3/TR12 | 0.9150 | ![]() | 9220 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4746 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 13.7 V | 18 V | 20 ohmios | |||||||||
![]() | Jans1n4983cus | 343.6210 | ![]() | 6810 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4983cus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n5543bur-1 | 14.4600 | ![]() | 7479 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N5543 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 22.4 V | 25 V | 100 ohmios | |||||||||
1N5526D | 14.2050 | ![]() | 5909 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5526d | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 6.2 V | 6.8 V | 30 ohmios | ||||||||||||
![]() | Jankca1n4125d | - | ![]() | 9868 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-jankca1n4125d | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 35.75 V | 47 V | 250 ohmios | |||||||||||
![]() | Jan1n4966us/tr | 9.3600 | ![]() | 9535 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-ENERO1N4966US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 16.7 V | 22 V | 5 ohmios | ||||||||||||
Jan1N758D-1/TR | 5.8919 | ![]() | 7427 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N758D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 8 V | 10 V | 17 ohmios | |||||||||||
![]() | Jans1n6354cus | - | ![]() | 3185 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 137 V | 180 V | 1500 ohmios | |||||||||||
Jan1n4111d-1/TR | 11.7838 | ![]() | 8981 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N4111D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 13 V | 17 V | 100 ohmios | ||||||||||||
![]() | Jantx1n4966cus/tr | 20.5800 | ![]() | 1025 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-Jantx1n4966cus/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 16.7 V | 22 V | 5 ohmios | ||||||||||||
![]() | Jantxv1n3043b-1/tr | 10.6799 | ![]() | 2291 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N3043B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 69.2 V | 91 V | 250 ohmios | ||||||||||
![]() | Jans1n4128cur-1/tr | 91.5802 | ![]() | 6446 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4128cur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 45.6 V | 60 V | 400 ohmios | ||||||||||
![]() | CDLL5236D | 8.4150 | ![]() | 1643 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5236D | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 6 V | 7.5 V | 6 ohmios | |||||||||||
![]() | CDLL4899 | 116.7900 | ![]() | 6661 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | CDLL4899 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 12.8 V | 400 ohmios |
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