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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
1 PMT593333AE3/TR13	-	RFQ	2192	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5933		3 W	DO-216AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 16.7 V				22 V	17.5 ohmios
Jan1N4567Aur-1/TR	10.9200	RFQ	8224	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N4567AUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 V	200 ohmios
5822SMGE3/TR13	0.8100	RFQ	5928	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-215AB, Ala de Gaviota SMC	5822SMGE3	Schottky		DO-215AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	40 V	500 MV @ 3 A		1.5 Ma @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
CDLL3826	10.1250	RFQ	1378	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL3826		1 W	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		3 µA @ 1 V				5.1 V	7 ohmios
1N6622US	8.7600	RFQ	9398	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Sq-melf, un	1N6622	Estándar		Una masa	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	660 V	1.4 V @ 1.2 A	30 ns	500 na @ 660 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1.2a	10pf @ 10V, 1 MHz
CDLL4766A	101.7900	RFQ	3835	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA	CDLL4766		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					10 µA @ 6 V				9.1 V	350 ohmios
Msasc25h45kv	-	RFQ	6210	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Thinkey ™ 2		Schottky		Thinkey ™ 2	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	45 V	610 MV @ 20 A		1 ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C	25A	-
CDLL5526B/TR	6.4106	RFQ	5297	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf			500 MW	DO-213AB	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL5526B/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 6.2 V				6.8 V	30 ohmios
CDS963B-1	-	RFQ	2269	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-CDS963B-1	EAR99	8541.10.0050	50
Jantxv1n3828d-1/tr	32.2126	RFQ	1203	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N3828D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		3 µA @ 3 V				6.2 V	2 ohmios
1 PMT5947/TR13	2.2200	RFQ	5937	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5947		3 W	DO-216AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 62.2 V				82 V	160 ohmios
Jantx1n6489d	-	RFQ	9177	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1.5 W	Do-41	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		4 µA @ 1 V				4.7 V	8 ohmios
Mns1n4568dur-1/tr	108.5700	RFQ	1654	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	0 ° C ~ 75 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-MNS1N4568DUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 V	200 ohmios
Jantxv1n4958	-	RFQ	6715	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	E, axial			5 W		descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		25 µA @ 7.6 V				10 V	2 ohmios
Jans1n4969c	299.3502	RFQ	7195	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo									descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n4969c	EAR99	8541.10.0050	1
Jan1n4119c-1	10.5000	RFQ	1284	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4119			DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 21.3 V				28 V	200 ohmios
Jantxv1n4969us/tr	14.2975	RFQ	6187	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, E			5 W	D-5B	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4969us/tr	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 22.8 V				30 V	8 ohmios
1N6006UR-1	3.5850	RFQ	8619	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo					1N6006				-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1
1N5372C/TR12	3.3900	RFQ	3108	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5372		5 W	T-18	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 1 a		500 na @ 44.6 V				62 V	42 ohmios
1N823AUR-1	4.7550	RFQ	1232	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N823		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.2 V	10 ohmios
1N4626ur	4.3200	RFQ	99	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4626		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 5.2 V				5.6 V	1400 ohmios
1N4099-1	2.4750	RFQ	7619	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 5.2 V				6.8 V	200 ohmios
Jan1n4627-1	3.7500	RFQ	6426	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4627		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 5 V				6.2 V	1200 ohmios
Janhca1n752d	-	RFQ	5811	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N752D	EAR99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 1 V				5.6 V	11 ohmios
Jantxv1n3025c-1/tr	27.1187	RFQ	8495	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N3025C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 12.2 V				16 V	16 ohmios
Jantx1n966c-1	5.7600	RFQ	5149	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N966		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 12 V				16 V	17 ohmios
Jantx1n7050ur-1/tr	10.9650	RFQ	6974	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo									-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N7050UR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1
Jans1n3155-1	-	RFQ	1188	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/158	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					10 µA @ 5.5 V				8.4 V	15 ohmios
Jan1N755DUR-1/TR	12.7680	RFQ	8418	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N755DUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 5 V				7.5 V	6 ohmios
Jantx1n4463d	28.7550	RFQ	1193	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4463		1.5 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 Ma		500 na @ 4.92 V				8.2 V	3 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²