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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Jan1n633333c | 39.6300 | ![]() | 7909 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n6333c | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 18 V | 24 V | 24 ohmios | ||||||||||||||
Jantxv1n4970d | 23.4600 | ![]() | 4057 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | E, axial | 5 W | E, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n4970d | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 25.1 V | 33 V | 10 ohmios | ||||||||||||||
![]() | SBT3035 | 62.1000 | ![]() | 7111 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | SBT30 | Schottky | TO-204AA (TO-3) | - | Alcanzar sin afectado | 150-SBT3035 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 35 V | 30A | 700 MV @ 30 A | 1.5 Ma @ 35 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
![]() | R306030F | 49.0050 | ![]() | 4098 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-R306030F | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N2996RB | 36.9900 | ![]() | 2547 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 1N2996 | 10 W | DO-4 (DO-203AA) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N2996RB | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 36 V | 50 V | 15 ohmios | ||||||||||||
![]() | CD746C | - | ![]() | 2490 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-CD746C | EAR99 | 8541.10.0050 | 278 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 µA @ 1 V | 3.3 V | 28 ohmios | |||||||||||||
![]() | Jantxv1n4982cus | 40.8900 | ![]() | 9888 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n4982cus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 76 V | 100 V | 110 ohmios | |||||||||||||
![]() | 680-6E3 | 246.7800 | ![]() | 2211 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrados, NA | Estándar | N / A | - | Alcanzar sin afectado | 150-680-6E3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.2 v @ 2 a | 2 µA @ 600 V | 10 A | Fase única | 600 V | |||||||||||||
![]() | 1N4588RD | 102.2400 | ![]() | 7975 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | Polaridad Inversa Estándar | DO-205AA (DO-8) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1n4588rd | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 v @ 200 a | 50 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 150a | - | ||||||||||||
![]() | Jan1n6341cus | 63.7050 | ![]() | 6833 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n6341cus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 39 V | 51 V | 85 ohmios | |||||||||||||
Jans1n4495cus | 283.8300 | ![]() | 5593 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4495cus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 144 V | 180 V | 1300 ohmios | ||||||||||||||
Janhca1n748d | - | ![]() | 6227 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N748D | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 1 V | 3.9 V | 23 ohmios | ||||||||||||||
![]() | Jans1n4495d | 452.0100 | ![]() | 3577 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do041, axial | 1.5 W | Do-41 | - | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4495d | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 144 V | 180 V | 1300 ohmios | |||||||||||||
![]() | R3405 | 49.0050 | ![]() | 9636 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-R3405 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Jankca1n4115d | - | ![]() | 7036 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-jankca1n4115d | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 16.72 V | 22 V | 150 ohmios | |||||||||||||
Jankca1n750d | - | ![]() | 8179 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-jankca1n750d | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 1 V | 4.7 V | 19 ohmios | ||||||||||||||
Janhca1n5520c | - | ![]() | 1176 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N5520C | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 1 V | 3.9 V | 22 ohmios | ||||||||||||||
![]() | 1N6930UTK1AS | 259.3500 | ![]() | 3851 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N6930UTK1AS | 1 | |||||||||||||||||||||||||
1N5259 | 4.2300 | ![]() | 8230 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5259 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 µA @ 29 V | 39 V | 80 ohmios | ||||||||||||||
![]() | Jantx1n6342cus | 39.7950 | ![]() | 6094 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n6342cus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 43 V | 56 V | 100 ohmios | |||||||||||||
![]() | CD4782A | 18.4950 | ![]() | 4381 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-CD4782A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 8.5 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||
1N5269 | 2.1000 | ![]() | 4682 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5269 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 65 V | 87 V | 370 ohmios | ||||||||||||||
![]() | UFR3020RE3 | 56.8200 | ![]() | 5625 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | Polaridad Inversa Estándar | DO-4 (DO-203AA) | - | Alcanzar sin afectado | 150-UFR3020RE3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 975 MV @ 30 A | 35 ns | 15 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 30A | 140pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | Jantxv1n6325cus | 57.1050 | ![]() | 9970 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n6325cus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 1 µA @ 8.5 V | 11 V | 7 ohmios | |||||||||||||
![]() | Jantxv1n6329dus | 68.5500 | ![]() | 7384 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n6329dus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 12 V | 16 V | 12 ohmios | |||||||||||||
![]() | CDS6857-1 | - | ![]() | 3255 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDS6857-1 | 50 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | R4260il | 102.2400 | ![]() | 8448 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | Polaridad Inversa Estándar | DO-205AA (DO-8) | - | Alcanzar sin afectado | 150-R4260il | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.2 v @ 200 a | 50 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 125a | - | ||||||||||||
![]() | UZ5808 | 32.2650 | ![]() | 7223 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | B, axial | 5 W | B, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UZ5808 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 200 µA @ 5.9 V | 8.2 V | 1.5 ohmios | ||||||||||||||
Janhca1n5530c | - | ![]() | 3932 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N5530C | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 9.1 V | 10 V | 60 ohmios | ||||||||||||||
![]() | CDLL3048B | 15.3000 | ![]() | 4110 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL3048B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 150 V | 1000 ohmios |
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