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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
CD5258B	1.4497	RFQ	7350	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD5258B	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 27 V				36 V	70 ohmios
1N756A/TR	2.3400	RFQ	5480	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N756A/TR	EAR99	8541.10.0050	404					1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 6 V				8.2 V	8 ohmios
LSM345G/TR13	1.5000	RFQ	5450	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-215AB, Ala de Gaviota SMC	LSM345	Schottky		DO-215AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		520 MV @ 3 A		1.5 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
85HQ045	117.7800	RFQ	8723	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	85HQ045	Schottky		DO-203AB (DO-5)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	85HQ045ms	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		740 MV @ 80 A		2 Ma @ 45 V	-65 ° C ~ 175 ° C	80A	-
1N4749AP/TR12	-	RFQ	1711	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4749		1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 18.2 V				24 V	25 ohmios
SMBJ5342B/TR13	1.6650	RFQ	5834	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ5342		5 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 1 a		10 µA @ 4.9 V				6.8 V	1 ohmios
R30720	40.6350	RFQ	9541	Tecnología de Microchip	R307	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	R30720	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.1 v @ 200 a		25 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 200 ° C	85a	-
Jan1n4109Cur-1/TR	13.0606	RFQ	9526	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)				DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N4109CUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 11.4 V				15 V	100 ohmios
CDLL4901/TR	29.9700	RFQ	3472	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 100 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL4901/TR	EAR99	8541.10.0050	1							15 µA @ 8 V				12.8 V	200 ohmios
Jantxv1n4978dus	51.1200	RFQ	8715	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			5 W	E-Mada	-			Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4978dus	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 51.7 V				68 V	50 ohmios
1n4732aure3/tr	3.8400	RFQ	5040	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-			Alcanzar sin afectado	150-1n4732aure3/tr	EAR99	8541.10.0050	246					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 1 V				4.7 V	8 ohmios
Jankca1n4131d	-	RFQ	5073	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-JANKCA1N4131D	EAR99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 57 V				75 V	700 ohmios
Jans1n4975cus	343.6210	RFQ	2889	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo									descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n4975cus	EAR99	8541.10.0050	1
LSM120GE3/TR13	0.6450	RFQ	8858	Tecnología de Microchip	*	Tape & Reel (TR)	Activo					LSM120				-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000
1 PMT4099CE3/TR13	0.5400	RFQ	5428	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4099		1 W	DO-216	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000					1.1 V @ 200 Ma		10 µA @ 5.17 V				6.8 V	200 ohmios
Jantx1n5522dur-1/tr	42.0014	RFQ	6987	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N5522DUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 2 V				4.7 V	22 ohmios
Jans1n6350us	164.8650	RFQ	3855	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		50 na @ 91 V				113 V	600 ohmios
Jantxv1n333333rb	-	RFQ	7886	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/358	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	Do-203ab, do-5, semental			50 W	Do-5	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n333333rb	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 42.6 V				52 V	5.5 ohmios
Jantxv1n991b-1/tr	-	RFQ	2349	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n991b-1/tr	EAR99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 Ma		500 na @ 137 V				180 V	2.2 ohmios
1N5956Be3	3.5850	RFQ	4610	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial			1.19 W	Do-41	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5956BE3	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 152 V				200 V	1200 ohmios
1N6000B	2.0700	RFQ	2062	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N6000		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	1N6000BMS	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 8 V				10 V	15 ohmios
1N1199	75.5700	RFQ	8580	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	1N1199	Estándar		DO-4 (DO-203AA)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.2 V @ 30 A		10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 200 ° C	12A	-
Jantxv1n3044cur-1	46.1250	RFQ	9723	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	1N3044		1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 76 V				100 V	350 ohmios
1N6658	242.5050	RFQ	4915	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/616	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Un 254-3, un 254AA	1N6658	Estándar		Un 254	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	15A	1 V @ 10 A	35 ns	10 µA @ 150 V	-
1N979B-1	3.7350	RFQ	4714	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N979B-1	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 43 V				56 V	150 ohmios
1N5274A	3.1200	RFQ	3822	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5274		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 99 V				130 V	1100 ohmios
Jankca1n4131c	-	RFQ	7682	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-Jankca1N4131C	EAR99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 57 V				75 V	700 ohmios
Jantx1n5620	5.9200	RFQ	25	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/427	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	A, axial	1N5620	Estándar		A, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.3 V @ 3 A	2 µs	500 na @ 800 V	-65 ° C ~ 200 ° C	1A	-
Jan1N986C-1	4.3950	RFQ	2248	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N986		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 84 V				110 V	750 ohmios
Jan1n4976cus/tr	23.7000	RFQ	5037	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/356	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			5 W	E-Mada	-				150-Enero1n4976cus/TR	EAR99	8541.10.0050	100					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 42.6 V				56 V	35 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²