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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Jantx1n6770	-	RFQ	2591	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Un 257-3		Estándar		Un 257	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	150 V	1.06 v @ 8 a	35 ns	10 µA @ 120 V	-	8A	150pf @ 5V, 1 MHz
CDLL5525C/TR	12.3900	RFQ	6554	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL5525C/TR	EAR99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 5 V				6.2 V	30 ohmios
Janhca1n5545b	6.7564	RFQ	6296	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N5545B	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 27 V				30 V	100 ohmios
Jan1n4470dus	33.4500	RFQ	6747	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Sq-melf, un	1N4470		1.5 W	D-5A	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 Ma		50 na @ 12.8 V				16 V	10 ohmios
Jantxv1n5526dur-1	61.9050	RFQ	4480	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N5526		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 6.2 V				6.8 V	30 ohmios
Jan1N3043C-1/TR	15.5078	RFQ	6691	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Enero1N3043C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 69.2 V				91 V	250 ohmios
1N4466C	17.7000	RFQ	6551	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial			1.5 W	Do-41	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N4466C	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		300 na @ 8.8 V				11 V	6 ohmios
Jan1n942bur-1	-	RFQ	9100	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/157	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					15 µA @ 8 V				11.7 V	30 ohmios
1N4571A	6.5800	RFQ	9475	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	150-1N4571A	EAR99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 V	100 ohmios
Jan1n4493dus	33.4500	RFQ	3244	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Sq-melf, un	1N4493		1.5 W	D-5A	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 Ma		250 na @ 120 V				150 V	700 ohmios
1N718A	2.7150	RFQ	2017	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N718		250 MW	Do-35	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1									15 V	13 ohmios
Jan1N4103CUR-1	14.5650	RFQ	6030	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4103			DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 7 V				9.1 V	200 ohmios
1N4129/TR	2.3408	RFQ	2496	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			400 MW	DO-213AA	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N4129/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 Ma		10 na @ 47.1 V				62 V	500 ohmios
Jantxv1n4571a-1	7.6500	RFQ	9637	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/452	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4571		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 V	100 ohmios
Jantx1n2999b	-	RFQ	1660	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/124	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	1N2999		10 W	DO-213AA (DO-4)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 2 a		10 µA @ 42.6 V				56 V	16 ohmios
Jantx1n963d-1	6.9000	RFQ	4343	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N963		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 9.1 V				12 V	11.5 ohmios
1 PMT5941C/TR7	2.7600	RFQ	1395	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1PMT5941		3 W	DO-216AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 35.8 V				47 V	67 ohmios
Jantxv1n4118dur-1	36.0000	RFQ	2768	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4118		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 20.5 V				27 V	150 ohmios
1N6031B-1	2.7750	RFQ	2078	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N6031B-1	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 152 V				200 V	2000 ohmios
Jans1n4988c	415.7700	RFQ	1085	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	E, axial			5 W	E, axial	-			Alcanzar sin afectado	150-jans1n4988c	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 136.8 V				180 V	450 ohmios
Jantxv1n3040cur-1	46.1250	RFQ	7513	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	1N3040		1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 51.7 V				68 V	150 ohmios
CD4109	1.3699	RFQ	9803	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD4109	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 Ma		50 na @ 11.4 V				15 V	100 ohmios
Jantx1n5522b-1	7.2300	RFQ	1361	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5522		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 2 V				4.7 V	22 ohmios
Janhca1n971b	8.5785	RFQ	4497	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	DO-7 (DO-204AA)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N971B	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 20.6 V				27 V	41 ohmios
1N5244	3.9150	RFQ	2870	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5244	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 9.5 V				14 V	15 ohmios
Jans1n3595-1/tr	48.8502	RFQ	3140	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		Estándar		Do-35	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n3595-1/tr	EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	125 V	1 V @ 200 Ma	3 µs	1 na @ 125 V	-65 ° C ~ 175 ° C	200 MMA	-
CDLL4923	23.6400	RFQ	8167	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA	CDLL4923		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					15 µA @ 12 V				19.2 V	150 ohmios
1N5996B/TR	2.0083	RFQ	2571	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N5996B/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 5.2 V				6.8 V	8 ohmios
Jantx1n6912utk2	-	RFQ	3130	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/723	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Thinkey ™ 2		Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY		Thinkey ™ 2	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)	45 V	640 MV @ 25 A		1.2 Ma @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C	25A	1000PF @ 5V, 1MHz
Jan1N825-1	3.9750	RFQ	4322	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/159	Una granela	Activo	± 5%	-	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N825		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.2 V	15 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
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Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²