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Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N3021B-1/TR | 7.4214 |  | 3766 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3021 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N3021B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 8.4 V | 11 V | 8 ohmios | ||||||||
 | Jan1n3017Cur-1/TR | 29.0339 | | 8661 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N3017CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 150 µA @ 5.2 V | 7.5 V | 4 ohmios | |||||||||
 | CD4577A | 9.2100 | | 4341 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | Morir | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4577A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 50 ohmios | |||||||||||
 | Jantxv1n4112c-1/tr | 20.6815 | | 9713 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N4112C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 13.7 V | 18 V | 100 ohmios | |||||||||
| 1N3035B-1/TR | 7.4214 | | 2274 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3035 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N3035B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 32.7 V | 43 V | 70 ohmios | ||||||||
 | Jans1n4120ur-1/tr | 45.8600 | | 7168 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jans1n4120ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 22.8 V | 30 V | 200 ohmios | |||||||||
| CD5377B | 5.0274 | | 7123 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | Morir | 5 W | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD5377B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 500 na @ 69.2 V | 91 V | 75 ohmios | |||||||||
 | 1N4924/TR | 80.1000 | | 4529 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -25 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4924/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 19.2 V | 150 ohmios | |||||||||||
| Jan1N4584A-1/TR | 26.8350 | | 6771 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N4584A-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 25 ohmios | ||||||||||
| Jantxv1n5538c-1/tr | 20.8544 | | 4476 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N5538C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 16.2 V | 18 V | 100 ohmios | |||||||||
| CD4763A | 1.8354 | | 6951 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 1 W | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4763A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 69.2 V | 91 V | 250 ohmios | |||||||||
 | Jantxv1n5804us/tr | 14.1150 | | 5880 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/477 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | Estándar | D-5A | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N5804US/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 875 MV @ 1 A | 25 ns | 1 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 25pf @ 10V, 1 MHz | |||||||
| Jan1N4100Dur-1/TR | 25.3232 | | 1750 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N4100DUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 5.7 V | 7.5 V | 200 ohmios | ||||||||||
| 1N964B-1/TR | 2.1679 | | 7813 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N964B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 30 V | 13 V | 13 ohmios | |||||||||
 | Jantx1n4247/tr | 6.3300 | | 4090 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/286 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | Estándar | A, axial | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4247/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 3 A | 5 µs | 1 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||
 | CDLL5526/TR | 5.9052 | | 4117 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5526/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 5.5 V | 6.8 V | 30 ohmios | |||||||||
| Jan1n4123dur-1/TR | 24.8843 | | 6898 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n4123dur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 29.7 V | 39 V | 200 ohmios | ||||||||||
| CD981B | 1.5029 | | 8234 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD981B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 500 na @ 52 V | 68 V | 230 ohmios | |||||||||
| Jan1n753dur-1/TR | 12.7680 | | 6419 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N753DUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 3.5 V | 6.2 V | 7 ohmios | |||||||||
 | Janhcb1n6642 | 4.0166 | | 7995 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/394 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | D, axial | Estándar | D-5D | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCB1N6642 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 75 V | 1.2 V @ 100 Ma | 5 ns | 500 na @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 300mA | 5PF @ 0V, 1MHz | |||||||
| Jan1n752aur-1/TR | 4.0831 | | 6803 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N752AUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2.5 V | 5.6 V | 11 ohmios | |||||||||
 | Jantx1n3028d-1/tr | 24.4853 | | 3512 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N3028D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 16.7 V | 22 V | 23 ohmios | |||||||||
| Jantx1n5520c-1/tr | 16.8910 | | 2416 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5520C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 1 V | 3.9 V | 22 ohmios | |||||||||
 | Jantx1n6326us/tr | 15.1088 | | 3761 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N6326US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 1 µA @ 9 V | 12 V | 7 ohmios | |||||||||
 | 1N5187/TR | 8.2800 | | 2690 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | B, axial | Estándar | B, axial | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5187/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.5 v @ 9 a | 200 ns | 2 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||
| Jantxv1n5518d-1/tr | 26.0414 | | 3503 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N5518D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 26 ohmios | |||||||||
| Jan1N4129-1/TR | 3.7772 | | 1840 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1N4129-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 47.1 V | 62 V | 500 ohmios | ||||||||||
| Jantx1n4118cur-1/tr | 21.7056 | | 2290 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4118CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 20.5 V | 27 V | 150 ohmios | |||||||||
| CDLL5265/TR | 3.3516 | | 7751 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 10 MW | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5265/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 47 V | 62 V | 185 ohmios | |||||||||
 | Jantx1n4965us/tr | 8.6583 | | 6149 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4965US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 15.2 V | 20 V | 4.5 ohmios |
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