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Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N5369CE3/TR8 | 3.3900 |  | 8958 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5369 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 36.7 V | 51 V | 27 ohmios | |||||||||
 | 1N4104UR/TR | 4.1200 | | 3310 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 237 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 7.6 V | 10 V | 200 ohmios | |||||||||||||
 | Jantxv1n3016cur-1/tr | 51.2715 | | 6451 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N3016CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 150 µA @ 5.2 V | 6.8 V | 3.5 ohmios | ||||||||||
 | SMBJ5942B/TR13 | 1.5600 | | 6902 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5942 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 38.8 V | 51 V | 70 ohmios | |||||||||
| 1N5940CE3/TR13 | - | | 1392 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5940 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 32.7 V | 43 V | 53 ohmios | |||||||||
 | UFS360GE3/TR13 | 1.5000 | | 8879 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-215AB, Ala de Gaviota SMC | UFS360 | Estándar | DO-215AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.2 v @ 3 a | 60 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||
| 1N5944PE3/TR12 | 0.9150 | | 5209 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5944 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 47.1 V | 62 V | 100 ohmios | |||||||||
| 1N4754APE3/TR8 | 0.9450 | | 2927 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4754 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 29.7 V | 39 V | 60 ohmios | |||||||||
 | Jan1n4460cus | 26.7600 | | 7329 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N4460 | 1.5 W | D-5A | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 10 µA @ 3.72 V | 6.2 V | 4 ohmios | ||||||||||
 | 1N3155A | 15.7600 | | 156 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N3155 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 5.5 V | 8.4 V | 15 ohmios | ||||||||||
 | CDLL5223A | 2.8650 | | 1756 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL5223 | 10 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 75 µA @ 1 V | 2.7 V | 30 ohmios | |||||||||
 | UFR3010 | 51.9600 | | 6357 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | DO-203AA (DO-4) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 975 MV @ 30 A | 35 ns | 175 ° C (Máximo) | 30A | 140pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||
 | Jans1n4614-1/tr | 55.5200 | | 2521 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4614-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3.5 µA @ 1 V | 1.8 V | 1200 ohmios | ||||||||||
 | Jans1n6864us/tr | - | | 4003 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/620 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | Schottky | B, SQ-Melf | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n6864us/tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 80 V | 700 MV @ 3 A | 150 µA @ 80 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | |||||||||
 | 1N5226/TR | 2.8950 | | 3285 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5226/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 325 | 1.5 V @ 200 Ma | 25 µA @ 950 MV | 3.3 V | 28 ohmios | |||||||||||
| Jantx1n982c-1 | 11.3850 | | 7940 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N982 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 56 V | 75 V | 270 ohmios | |||||||||
| Jantxv1n4624d-1 | 18.4650 | | 5534 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4624 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 3 V | 4.7 V | 1550 ohmios | |||||||||
| Dsb5817/tr | - | | 7080 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do041, axial | Schottky, Polaridad Inversa | Do-41 | - | Alcanzar sin afectado | 150-DSB5817/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 258 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 600 MV @ 1 A | 100 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | ||||||||||
| Jantx1n6874utk2cs/tr | 413.4000 | | 3412 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N6874UTK2CS/TR | 100 | |||||||||||||||||||||||
 | Jantx1n4153-1 | 44.4900 | | 902 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4153 | Estándar | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 50 V | 880 MV @ 20 Ma | 4 ns | 50 na @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 150 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||
| Jan1n748cur-1 | 11.3850 | | 5797 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N748 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.9 V | 23 ohmios | |||||||||
 | 1N5953A | 3.4050 | | 4248 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500 | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do041, axial | 1N5953 | 1.25 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 114 V | 150 V | 600 ohmios | ||||||||||
| Jan1N962C-1/TR | 4.4289 | | 5589 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1N962C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 8.4 V | 11 V | 9.5 ohmios | ||||||||||
| Jan1n4484dus | 34.6050 | | 7142 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N4484 | 1.5 W | D-5A | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 250 na @ 49.6 V | 62 V | 80 ohmios | |||||||||
| Enero1n5195/tr | 26.4138 | | 6119 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/118 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N5195/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 180 V | 1 V @ 100 Ma | 1 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | - | |||||||||
| Jan1N5538B-1/TR | 5.0407 | | 4011 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N5538B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 16.2 V | 18 V | 100 ohmios | ||||||||||
| Jantxv1n3040dur-1/tr | 50.5932 | | 5441 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n3040dur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 51.7 V | 68 V | 150 ohmios | ||||||||||
| 1N4738UR/TR | 3.6200 | | 2002 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 272 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 6 V | 8.2 V | 4.5 ohmios | |||||||||||||
| 1N5987B | 2.0700 | | 6609 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5987 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1N5987BMS | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios | ||||||||
| CD4689V | 5.3400 | | 4877 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-CD4689V | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 µA @ 3 V | 5.1 V |
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