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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Msasc25h30ks/tr	453.0300	RFQ	1648	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo									-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-MSASC25H30KS/TR			1
R3110	49.0050	RFQ	8321	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-R3110			1
CDLL4581A/TR	7.5750	RFQ	7134	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-55 ° C ~ 100 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL4581A/TR	EAR99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V					25 ohmios
SBR60100R	143.2050	RFQ	5149	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental		Schottky		Do-5	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	100 V	890 MV @ 60 A			-	60A	-
Jan1n981d-1	6.0600	RFQ	9822	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N981		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 52 V				68 V	230 ohmios
Janhca1n4108	13.2734	RFQ	7271	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	DO-7 (DO-204AA)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N4108	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 10.65 V				14 V	200 ohmios
1N5371E3/TR13	0.9900	RFQ	6404	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5371		5 W	T-18	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.250			1.2 v @ 1 a		500 na @ 43 V				60 V	40 ohmios
Jantxv1n3030bur-1	18.0150	RFQ	1325	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	1N3030		1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 20.6 V				27 V	35 ohmios
R35120	37.0200	RFQ	4352	Tecnología de Microchip	R35	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	R35120	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1200 V	1.25 V @ 200 A		25 µA @ 1200 V	-65 ° C ~ 200 ° C	70a	-
1N3909	48.5400	RFQ	8606	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	1N3909	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	50 V	1.4 V @ 50 A	200 ns	15 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	50A	-
Jan1n6315cus/tr	39.2850	RFQ	3529	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/533	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-				150-Enero1n6315cus/TR	EAR99	8541.10.0050	100			1.4 v @ 1 a		2 µA @ 1 V				4.3 V	20 ohmios
UFR3020R	56.6250	RFQ	5857	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento		Estándar		DO-203AA (DO-4)	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	200 V	975 MV @ 30 A	35 ns	15 µA @ 200 V	175 ° C (Máximo)	30A	140pf @ 10V, 1 MHz
S50480	158.8200	RFQ	5064	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento		Estándar		DO-205AB (DO-9)	-			Alcanzar sin afectado	150-S50480	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	800 V	1.25 V @ 1000 A		75 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 200 ° C	300A	-
R42150	102.2400	RFQ	1215	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-R42150			1
1N4480USE3	10.0681	RFQ	2825	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	A, SQ-Melf	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N4480USE3	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		50 na @ 34.4 V				43 V	40 ohmios
Jantxv1n5522d-1/tr	26.0414	RFQ	7355	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N5522D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 2 V				4.7 V	22 ohmios
1N2495	44.1600	RFQ	2904	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento		Estándar		DO-4 (DO-203AA)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N2495	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	400 V	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 200 ° C	6A	-
CD5802	6.4050	RFQ	8616	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-CD5802			1
Jantx1n4148ub2	24.6450	RFQ	6884	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/116	Una granela	Activo			Montaje en superficie	2-smd, sin plomo	1N4148	Estándar		UB2	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	75 V	1.2 V @ 100 Ma	20 ns	500 na @ 75 V	-65 ° C ~ 200 ° C	200 MMA	4PF @ 0V, 1MHz
Jankca1n747d	-	RFQ	5323	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-jankca1n747d	EAR99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 Ma		10 µA @ 1 V				3.6 V	24 ohmios
UFT3020	62.1000	RFQ	2027	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-204AA, TO-3	UFT3020	Estándar		TO-204AD (TO-3)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	200 V	930 MV @ 15 A	35 ns	15 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	30A	140pf @ 10V, 1 MHz
1N2054	158.8200	RFQ	5333	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento		Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N2054	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	50 V	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 190 ° C	275a	-
HSM360J/TR13	1.5300	RFQ	1026	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	HSM360	Schottky		DO-214AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	60 V	620 MV @ 3 A		100 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
Jans1n4120-1/tr	31.6700	RFQ	4027	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n4120-1/tr	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 22.8 V				30 V	200 ohmios
Jantx1n4991cus/tr	55.9050	RFQ	5915	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/356	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			5 W	E-Mada	-				150-Jantx1n4991cus/TR	EAR99	8541.10.0050	100			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 182 V				240 V	650 ohmios
1N5518A	2.7150	RFQ	6559	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5518A	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 900 MV				3.3 V
DSB0.5A20	-	RFQ	6280	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	DSB0.5	Schottky		Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	20 V	650 MV @ 500 Ma		10 µA @ 20 V	-65 ° C ~ 125 ° C	500mA	60pf @ 0V, 1 MHz
Jantxv1n751dur-1	23.9550	RFQ	3234	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N751		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 2 V				5.1 V	17 ohmios
UTR2350	11.8800	RFQ	8717	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	B, axial		Estándar		B, axial	-			Alcanzar sin afectado	150-UTR2350	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	500 V	1.1 v @ 2 a	350 ns	5 µA @ 500 V	-65 ° C ~ 175 ° C	2a	200pf @ 0V, 1 MHz
Jan1n3890r	333.0150	RFQ	6587	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/304	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento		Estándar		DO-203AA (DO-4)	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	100 V	1.5 V @ 20 A	150 ns	10 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	12A	115pf @ 10V, 1 MHz

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²