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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
UZ120	22.4400	RFQ	5728	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A, axial			3 W	A, axial	-			Alcanzar sin afectado	150-UZ120	EAR99	8541.10.0050	1				1 µA @ 152 V				200 V	950 ohmios
CDLL5248	2.8650	RFQ	1507	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL5248		10 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	100 na @ 14 V				18 V	21 ohmios
DR-1061/TR	-	RFQ	6387	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo									-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-DR-1061/TR			1
Jantxv1n6349	14.6700	RFQ	9530	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N6349		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a	50 na @ 84 V				110 V	500 ohmios
2EZ19D5	2.6700	RFQ	848	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	2EZ19		2 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000			1.2 v @ 200 ma	500 na @ 14.4 V				19 V	11 ohmios
Uz710	22.4400	RFQ	4834	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A, axial			3 W	A, axial	-			Alcanzar sin afectado	150-UZ710	EAR99	8541.10.0050	1				40 µA @ 7.6 V				10 V	4 ohmios
Jantxv1n5538d-1	29.2200	RFQ	7724	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5538		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	10 na @ 16.2 V				18 V	100 ohmios
1N4925A	20.5650	RFQ	7920	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4925		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1								19.2 V	75 ohmios
Jan1N3027C-1	17.3250	RFQ	8347	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N3027		1 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma	10 µA @ 15.2 V				20 V	22 ohmios
1N457AUR-1/TR	7.9200	RFQ	3799	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo									-							122
CDLL4766	93.9300	RFQ	7058	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA	CDLL4766		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				10 µA @ 6 V				9.1 V	350 ohmios
1 PMT5936BE3/TR13	0.7350	RFQ	7438	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5936		3 W	DO-216AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000			1.2 v @ 200 ma	1 µA @ 22.8 V				30 V	28 ohmios
Jans1n938b-1/tr	-	RFQ	3758	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/156	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n938b-1/tr	EAR99	8541.10.0050	1				10 µA @ 6 V				9 V	20 ohmios
1N4972US	9.2700	RFQ	2676	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	SQ-Melf, E	1N4972		5 W	E-Mada	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a	2 µA @ 29.7 V				39 V	14 ohmios
Jantxv1n983bur-1	7.5600	RFQ	4342	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N983		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	500 na @ 62 V				82 V	330 ohmios
Jankca1n4618d	-	RFQ	5916	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-Jankca1n4618d	EAR99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 Ma	1 µA @ 1 V				2.7 V	1500 ohmios
Jans1n6487us	-	RFQ	2750	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	A, SQ-Melf	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a	35 µA @ 1 V				3.9 V	9 ohmios
Jantx1n823aur-1/tr	6.6600	RFQ	6395	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/159	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-Jantx1n823aur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	118				2 µA @ 3 V				6.2 V	10 ohmios
CDLL5542D	16.2000	RFQ	5352	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL5542D	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	10 na @ 21.6 V				24 V	100 ohmios
Jan1N4552B	-	RFQ	6990	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/358	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	Do-203ab, do-5, semental			50 W	Do-5	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A	20 µA @ 1 V				5.1 V	0.12 ohmios
Smaj5917be3/tr13	0.8850	RFQ	4065	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Smaj5917		3 W	DO-214AC (SMAJ)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500			1.2 v @ 200 ma	5 µA @ 1.5 V				4.7 V	5 ohmios
1N5929APE3/TR8	0.9150	RFQ	5252	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5929		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500			1.2 v @ 200 ma	1 µA @ 11.4 V				15 V	9 ohmios
CD5349A	5.6700	RFQ	2758	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	Morir			5 W	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-CD5349A	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a	2 µA @ 9.1 V				12 V	2.5 ohmios
1N5263A	2.1000	RFQ	7589	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5263A	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 Ma	100 na @ 41 V				56 V	150 ohmios
Jan1n4475	7.9500	RFQ	6782	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4475		1.5 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 Ma	50 na @ 21.6 V				27 V	18 ohmios
Jantxv1n4110-1	9.0450	RFQ	2503	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4110		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma	50 na @ 12.2 V				16 V	100 ohmios
Jantx1n3164	-	RFQ	6463	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/211	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-205AB, DO-9, Semento		Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	200 V	1.55 V @ 940 A	10 Ma @ 200 V	-65 ° C ~ 200 ° C	300A	-
UPS120/TR7	0.5550	RFQ	2560	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-216AA	UPS120	Schottky		Powermite	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	20 V	450 MV @ 1 A	400 µA @ 20 V	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	80pf @ 5V, 1 MHz
SMBJ5371AE3/TR13	0.8100	RFQ	2140	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ5371		5 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 1 a	500 na @ 43 V				60 V	40 ohmios
1N2982B	37.3500	RFQ	4827	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	1N2982		10 W	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 2 a	10 µA @ 13.7 V				18 V	4 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²