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Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jantx1n976b-1 | 2.7750 |  | 4589 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N976 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 33 V | 43 V | 93 ohmios | |||||||||
 | Jan1n4493c | 25.6050 | | 6012 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4493 | 1.5 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 250 na @ 120 V | 150 V | 700 ohmios | |||||||||
 | Jans1n4466us | 91.8900 | | 5794 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | A, SQ-Melf | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 300 na @ 8.8 V | 11 V | 6 ohmios | |||||||||||
 | Jantxv1n1186 | 114.5250 | | 7067 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/297 | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 1N1186 | Estándar | Do-5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.4 V @ 110 A | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 35a | - | ||||||||
| Jantxv1n6304 | - | | 6829 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Estándar | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.18 V @ 150 A | 60 ns | 25 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 70a | ||||||||||
 | SMBJ5340B/TR13 | 1.6650 | | 6502 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5340 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 3 V | 6 V | 1 ohmios | |||||||||
| 1N647-1E3/TR | 2.0083 | | 8674 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N647-1E3/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1 V @ 400 Ma | 200 na @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 400mA | - | |||||||||
 | 1N536666AE3/TR8 | - | | 5391 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5366 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 28.1 V | 39 V | 14 ohmios | |||||||||
 | Jan1n3025dur-1/TR | 36.2558 | | 4011 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n3025dur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 12.2 V | 16 V | 16 ohmios | ||||||||||
| CD4976 | 6.3574 | | 9221 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4976 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | Jans1n4972us | 86.7300 | | 3 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 29.7 V | 39 V | 14 ohmios | ||||||||||
| 1N5257Be3 | - | | 6200 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | - | 1 (ilimitado) | 150-1N5257Be3 | EAR99 | 8541.10.0050 | 304 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 25 V | 33 V | 58 ohmios | |||||||||||
| 1N4766A-1 | 88.5300 | | 9740 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 250 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N4766A-1 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 9.1 V | 350 ohmios | ||||||||||||
 | CDLL5539D | 16.2000 | | 5375 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5539D | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 17.1 V | 19 V | 100 ohmios | |||||||||||
 | CDLL5243A/TR | 2.7132 | | 3686 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 10 MW | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5243A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 9.9 V | 13 V | 13 ohmios | ||||||||||
| Jantxv1n3043cur-1 | 46.1250 | | 3219 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3043 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 69.2 V | 91 V | 250 ohmios | |||||||||
| Jans1n4122cur-1 | 97.9650 | | 7403 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 27.4 V | 36 V | 200 ohmios | |||||||||||
| 1N6000ur/TR | 3.7350 | | 1827 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 150-1N6000ur/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 264 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 V | ||||||||||||||
| Jans1n6314cus/tr | 285.2250 | | 6133 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | 150-jans1n6314cus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.4 v @ 1 a | 2 µA @ 1 V | 3.9 V | 23 ohmios | ||||||||||||
| Jans1n4487us/tr | 162.1650 | | 6479 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | 150-jans1n4487us/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 65.6 V | 82 V | 160 ohmios | ||||||||||||
| Jan1n3042cur-1 | 32.5950 | | 8749 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3042 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 62.2 V | 82 V | 200 ohmios | |||||||||
 | 1N3028BUR-1 | 15.3000 | | 7374 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 1N3028 | 1 W | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 16.7 V | 22 V | 23 ohmios | |||||||||
| Jan1N965CUR-1/TR | 8.0997 | | 3724 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N965CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 11 V | 15 V | 16 ohmios | ||||||||||
| Jantx1n3038dur-1 | 46.6950 | | 4377 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3038 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 42.6 V | 56 V | 110 ohmios | |||||||||
| 1N4747APE3/TR12 | 0.9450 | | 7453 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4747 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 15.2 V | 20 V | 22 ohmios | |||||||||
| Jantxv1n4126-1/tr | 8.1662 | | 8875 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N4126-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 38.8 V | 51 V | 300 ohmios | ||||||||||
| Jantx1n5535d-1 | 21.9150 | | 2060 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5535 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 13.5 V | 15 V | 100 ohmios | |||||||||
| Jantx1n3027d-1 | 27.4500 | | 2257 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3027 | 1 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 15.2 V | 20 V | 22 ohmios | |||||||||
| Jans1n6312 | - | | 8430 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 27 ohmios | ||||||||||
 | Jan1n4961 | - | | 3080 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 5 W | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 10 µA @ 9.9 V | 13 V | 3 ohmios |
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