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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Relación de la capacidad	Condición de Relación de Capacitancia	Q @ VR, F
Jan1n3307b	-	RFQ	9878	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/358	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	Do-203ab, do-5, semental			50 W	Do-5	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		50 µA @ 5.4 V						8.2 V	0.4 ohmios
Jantxv1n4984us	19.9200	RFQ	2658	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, E	1N4984		5 W	D-5B	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 91.2 V						120 V	170 ohmios
1N4910A	92.3100	RFQ	4307	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial	1N4910		400 MW	Do-7	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1											12.8 V	50 ohmios
S034120F	49.0050	RFQ	8846	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-S034120F			1
1N1200BR	34.7100	RFQ	9806	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	1N1200	Polaridad Inversa Estándar		DO-4 (DO-203AA)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	100 V	1.2 V @ 30 A		10 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 200 ° C	12A	-
Jantxv1n3029dur-1	56.9100	RFQ	3078	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	1N3029		1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 18.2 V						24 V	25 ohmios
1N4775A-1	16.8000	RFQ	9598	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			250 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N4775A-1	EAR99	8541.10.0050	1					10 µA @ 6 V						8.5 V	200 ohmios
1N5934E3/TR13	0.9900	RFQ	5141	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5934		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 18.2 V						24 V	19 ohmios
Jan1N4105-1/TR	3.7772	RFQ	2741	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial				DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Enero1N4105-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 8.5 V						11 V	200 ohmios
Jantxv1n6774	-	RFQ	5959	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Un 257-3		Estándar		Un 257	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	50 V	1.15 v @ 15 a	35 ns	10 µA @ 800 MV	-65 ° C ~ 150 ° C	15A	300pf @ 5V, 1MHz
Jantx1n4978cus/tr	24.7500	RFQ	9391	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/356	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			5 W	E-Mada	-				150-Jantx1n4978cus/TR	EAR99	8541.10.0050	100			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 51.7 V						68 V	50 ohmios
Jantx1n6317	12.5550	RFQ	8513	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N6317		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		5 µA @ 2 V						5.1 V	14 ohmios
CDLL4474/TR	10.3341	RFQ	6812	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf			1.5 W	DO-213AB	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL4474/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 Ma		50 na @ 19.2 V						24 V	16 ohmios
1N5937BPE3/TR8	-	RFQ	9659	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5937		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 25.1 V						33 V	33 ohmios
Jan1N4938ur-1/TR	-	RFQ	5811	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/169	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA		Estándar		DO-213AA	-				150-ENERO1N4938UR-1/TR			1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	175 V	1 V @ 100 Ma	50 ns	100 na @ 175 V	-65 ° C ~ 175 ° C	100mA	-
Jan1n992dur-1	-	RFQ	7023	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.3 V @ 200 Ma		500 na @ 152 V						200 V	2500 ohmios
1N4712	3.9300	RFQ	1632	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4712		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 21.2 V						28 V
1N5989UR-1/TR	3.7400	RFQ	8237	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-					EAR99	8541.10.0050	264			1.1 V @ 200 Ma								3.6 V
Jantxv1n4627c-1	20.5650	RFQ	1918	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4627		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 5 V						6.2 V	1200 ohmios
GCX1208-23-4/TR	5.3550	RFQ	5391	Tecnología de Microchip	GCX1208	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 125 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3				Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-GCX1208-23-4/TR	EAR99	8541.10.0060	1,000								3.9pf @ 4V, 1MHz	1 par Cátodo Común	30 V			3.9	C0/C30	2500 @ 4V, 50MHz
MSASC150H45A	-	RFQ	9685	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	3-SMD, sin Plomo		Schottky		-	-			Alcanzar sin afectado	150-MSASC150H45A	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	45 V	900 MV @ 150 A		10 Ma @ 45 V	-65 ° C ~ 175 ° C	150a	-
1N3312A	49.3800	RFQ	5469	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3312		50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 9.9 V						13 V	1.1 ohmios
Jan1N4959C	14.9250	RFQ	5667	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	E, axial	1N4959		5 W	E, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		10 µA @ 8.4 V						11 V	2.5 ohmios
Jan1n4467c	16.7700	RFQ	8771	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4467		1.5 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 Ma		200 na @ 9.6 V						12 V	7 ohmios
SMBG5381A/TR13	2.2200	RFQ	8403	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB	SMBG5381		5 W	SMBG (DO-215AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 1 a		500 na @ 93.6 V						130 V	190 ohmios
1N5242Bur-1/TR	3.0200	RFQ	2407	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-					EAR99	8541.10.0050	329			1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 9.1 V						12 V	30 ohmios
1N5942APE3/TR12	0.9150	RFQ	8724	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5942		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 38.8 V						51 V	70 ohmios
1 PMT4126E3/TR13	0.4950	RFQ	3629	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4126		1 W	DO-216	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 38.76 V						51 V	300 ohmios
Jan1n4620cur-1	19.5600	RFQ	2790	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4620		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		3.5 µA @ 1.5 V						3.3 V	1650 ohmios
1N4751PE3/TR8	0.9150	RFQ	2618	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4751		1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500			1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 22.8 V						30 V	40 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²