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Diodos (1956)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZV49-C43,115 | - |  | 8378 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZV49 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | |||||||||||||||||||
 | BZT52H-B5V1/DLT115 | 1.0000 | | 7470 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZT52 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | BZX84-B11,235 | 0.0200 | | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 8 V | 11 V | 20 ohmios | ||||||||||||
| BZX84-B3V0,215 | - | | 3779 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios | ||||||||||||
 | PZU10B2,115 | - | | 7207 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | Pzu10 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||
 | PZU3.9B1A, 115 | 0.0300 | | 14 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU3.9 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||
 | PZU6.2B1A115 | - | | 7835 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| PZU4.3B1,115 | - | | 5801 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU4.3 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||
 | 1N4740A, 113 | 0.0400 | | 306 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | 1N47 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | |||||||||||||||||||
 | BZX884-C4V7,315 | - | | 5954 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1.416 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 2 V | 4.7 V | 80 ohmios | |||||||||
| BZT52H-C13,115 | 0.0200 | | 65 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZT52 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||
 | BAS40H, 115 | 0.0300 | | 2342 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BAS40 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||
 | BZX79-C2V7,133 | 0.0200 | | 209 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX79 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||
| BAW56W, 115 | 0.0200 | | 800 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | Baw56w | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||
 | Pmeg3002esfyl | 0.0400 | | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | 0201 (0603 Métrica) | PMEG3002 | Schottky | DSN0603-2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 535 MV @ 200 Ma | 1.42 ns | 9 µA @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | 200 MMA | 21pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||
| NZH6V2B, 115 | - | | 8204 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | NZH6 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||
 | PZU24B3A, 115 | 0.0300 | | 49 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 320 MW | Sod-323 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,010 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 19 V | 24 V | 30 ohmios | ||||||||||||
| BAT54CM315 | 1.0000 | | 4472 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BAT54 | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | BZX79-B24143 | 0.0200 | | 124 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| BZX79-B2V4,113 | 0.0200 | | 57 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX79 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||
 | BZX585-B6V8,135 | - | | 7620 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX585 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||
| BZX79-C39,133 | 0.0200 | | 264 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 27.3 V | 39 V | 130 ohmios | ||||||||||||
| 1N4739A, 113 | 0.0400 | | 351 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | 1N47 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | |||||||||||||||||||
 | 1N4739A, 133 | 0.0400 | | 27 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,969 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 7 V | 9.1 V | 5 ohmios | ||||||||||||
| NZX7V5X, 133 | 0.0200 | | 80 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | NZX7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||
| BZX884-B36,315 | - | | 7820 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 25.2 V | 36 V | 90 ohmios | ||||||||||||
| BZV90-C3V6,115 | - | | 2795 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZV90 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | |||||||||||||||||||
| 1N4728A, 133 | 0.0400 | | 52 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 µA @ 1 V | 3.3 V | 10 ohmios | ||||||||||||
| BZX84-A39,215 | 0.1100 | | 3 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.390 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 27.3 V | 39 V | 130 ohmios | ||||||||||||
| BZV85-C10,113 | 0.0400 | | 34 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZV85 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 |
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