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Diodos (1956)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZX79-B36,133 | 0.0200 |  | 16 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 16,000 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 25.2 V | 36 V | 90 ohmios | ||||||||||||||
 | BZX79-B3V3,133 | 0.0200 | | 70 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 95 ohmios | ||||||||||||||
 | BZX884-B6V8,315 | - | | 1719 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX884 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||
 | 1N4746A, 133 | 0.0400 | | 127 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,969 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 13.7 V | 18 V | 20 ohmios | ||||||||||||||
 | PZU3.0DB2,115 | 1.0000 | | 7873 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | 250 MW | 5-TSOP | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 Independientes | 900 MV @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios | |||||||||||||
 | 1N4747A, 113 | 0.0400 | | 290 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | 1N47 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | |||||||||||||||||||||
 | BZX79-C36143 | 0.0200 | | 55 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
 | PZU30BA115 | - | | 3019 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
 | PZU3.6B2,115 | - | | 9289 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU3.6 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
 | BZX84-A2V7,215 | 0.1100 | | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
 | BZT52H-C10,115 | - | | 5929 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZT52 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
 | BYC58X-600,127 | 0.6300 | | 910 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BYC58 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | |||||||||||||||||||||
 | BZX84-C11,235 | 0.0200 | | 30 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 8 V | 11 V | 20 ohmios | ||||||||||||||
| BZX84-C3V9,215 | 0.0200 | | 183 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
 | BZX84-C33,215 | 1.0000 | | 5847 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 23.1 V | 33 V | 80 ohmios | |||||||||||||||
| BZX84-B39,215 | 0.0200 | | 603 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
 | Byc10x-600,127 | - | | 3283 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Estándar | Un 220F | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 350 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 2.9 v @ 10 a | 55 ns | 200 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 10A | - | ||||||||||||
| BYC5X-600,127 | - | | 2191 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Estándar | Un 220F | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 2.9 v @ 5 a | 50 ns | 100 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 5A | - | ||||||||||||
| BZT52H-C43,115 | 0.0200 | | 31 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZT52 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
 | BZV49-C10,115 | 0.1800 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZV49 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | |||||||||||||||||||||
 | BZX585-C39,115 | - | | 4391 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 300 MW | Sod-523 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 27.3 V | 39 V | 130 ohmios | ||||||||||||||
 | BYQ28E-200,127 | 0.2400 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BYQ28 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | |||||||||||||||||||||
 | BAT54AW, 115 | 0.0200 | | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BAT54 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
| BZX884-B8V2,315 | - | | 2498 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX884 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||
| BZV55-B51,115 | - | | 2890 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZV55 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | |||||||||||||||||||||
 | BZX84-C33/DG/B3215 | 0.0700 | | 8047 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.800 | ||||||||||||||||||||||||
 | PMEG6002TV, 115 | - | | 6226 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | PMEG6002 | Schottky | Sot-666 | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 2 Independientes | 60 V | 200MA (DC) | 600 MV @ 200 Ma | 100 µA @ 60 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||
| NZX33A, 133 | 0.0200 | | 60 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | NZX3 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||
| BZX384-B2V7,115 | 0.0200 | | 5773 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX384 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
| BZX84J-C36,115 | - | | 6221 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 |
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