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Diodos (1956)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZX84J-B6V8,115 | 0.0300 |  | 224 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||
 | NZX2V7C, 133 | 0.0200 | | 94 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | NZX2 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||
| PZU12B, 115 | - | | 4309 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU12 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||
| PZU22B1,115 | - | | 5878 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU22 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||
 | BZV85-C6V8,113 | 0.0400 | | 67 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.3 W | Do-41 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,969 | 1 V @ 50 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 V | 3.5 ohmios | ||||||||||||
 | BZV85-C7V5,113 | 0.0400 | | 122 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZV85 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | |||||||||||||||||||
| BAS16QA147 | 0.0200 | | 1658 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BAS16 | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,300 | |||||||||||||||||||||
 | BZX585-C39,115 | - | | 4391 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 300 MW | Sod-523 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 27.3 V | 39 V | 130 ohmios | ||||||||||||
 | BYQ28E-200,127 | 0.2400 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BYQ28 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | |||||||||||||||||||
 | BAT54AW, 115 | 0.0200 | | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BAT54 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||
 | BZX884-B8V2,315 | - | | 2498 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX884 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||
| BZV55-B51,115 | - | | 2890 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZV55 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | |||||||||||||||||||
 | BZX84-C33/DG/B3215 | 0.0700 | | 8047 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.800 | ||||||||||||||||||||||
 | PMEG6020ETP, 115 | 0.1000 | | 3 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | PMEG6020 | Schottky | SOD-128/CFP5 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 530 MV @ 2 A | 8.6 ns | 150 µA @ 60 V | 175 ° C (Máximo) | 2A | 240pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||
| NZX24A133 | - | | 7294 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| PZU8.2B1,115 | - | | 9675 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU8.2 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||
| PZU4.3B3,115 | 0.0400 | | 162 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU4.3 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||
 | PDZ15BGW115 | - | | 7537 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | PZU13B2,115 | - | | 8366 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU13 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||
| BZX84J-B3V6,115 | - | | 5658 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 550 MW | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.6 V | 90 ohmios | ||||||||||||
| BZV85-C12,113 | - | | 9177 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZV85 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | |||||||||||||||||||
| BZX884-C30,315 | 0.0300 | | 97 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX884 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||
| BZX84J-C6V2,115 | 0.0300 | | 1255 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 550 MW | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 4,515 | 1.1 V @ 100 Ma | 3 µA @ 4 V | 6.2 V | 10 ohmios | ||||||||||||
| PZU6.2B1,115 | 0.0400 | | 54 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU6.2 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||
| PZU7.5B1A115 | - | | 4304 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | PZU5.1B1A, 115 | - | | 6770 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU5.1 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||
| BAS40W, 115 | 0.0300 | | 65 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BAS40 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||
 | BZX79-B6V2143 | 0.0200 | | 105 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | BZV55-C3V3,115 | - | | 3236 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZV55 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | |||||||||||||||||||
 | BZB84-C4V3,215 | 0.0200 | | 183 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 V | 90 ohmios |
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