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Diodos (1956)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZV55-B15,115 | - |  | 8767 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZV55 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | |||||||||||||||||||
| PZU3.0B2A115 | 1.0000 | | 5060 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | BAV170M315 | 0.0200 | | 480 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | BZB984-C11,115 | 0.0400 | | 209 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | SOT-663 | 265 MW | SOT-663 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 8 V | 11 V | 10 ohmios | |||||||||||
 | BZX585-C11,135 | - | | 2201 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 300 MW | Sod-523 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 100 µA @ 8 V | 11 V | 10 ohmios | ||||||||||||
 | BZX84-B22,215 | 0.0200 | | 154 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||
 | 1PS66SB82115 | 0.0800 | | 97 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | 1PS66 | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | BZX585-C4V7,115 | - | | 5880 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX585 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||
 | BZX79-C33,113 | 0.0200 | | 470 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX79 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||
 | 1N4741A, 113 | 0.0400 | | 15 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | 1N47 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | |||||||||||||||||||
 | BZV85-C68,113 | 0.0400 | | 59 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.3 W | Do-41 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 na @ 48 V | 68 V | 200 ohmios | ||||||||||||
 | TDZ7V5J115 | - | | 8458 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, TDZXJ | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | TDZ7V5 | 500 MW | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 1 µA @ 5 V | 7.5 V | 10 ohmios | |||||||||||
| PZU15BL, 315 | 1.0000 | | 7780 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 11 V | 15 V | 15 ohmios | ||||||||||||
| BZT52H-B2V7,115 | 0.0200 | | 96 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montaje en superficie | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 20 µA @ 1 V | 2.7 V | 83 ohmios | |||||||||||
| BZX84-B27,215 | 0.0200 | | 43 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||
| BZX585-C2V7,115 | 0.0300 | | 99 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 300 MW | Sod-523 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,764 | 1.1 V @ 100 Ma | 20 µA @ 1 V | 2.7 V | 100 ohmios | ||||||||||||
 | BYC8DX-600,127 | 0.4100 | | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Estándar | Un 220F | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 740 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.9 v @ 8 a | 20 ns | 40 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 8A | - | ||||||||||
 | NZX12D133 | 0.0200 | | 8309 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,840 | ||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C3V9,235 | 0.0200 | | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 1 V | 3.9 V | 90 ohmios | ||||||||||||
| PDZ3.9BGW, 115 | - | | 7235 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| NZX6V8B, 133 | - | | 3660 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | NZX6 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||
| PZU5.1BA115 | 1.0000 | | 3750 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | NZH22C, 115 | - | | 6433 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | NZH2 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||
| PZU15B3A115 | 1.0000 | | 1726 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||
| TDZ27J, 115 | 0.0300 | | 5674 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, TDZXJ | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | TDZ27 | 500 MW | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 18.9 V | 27 V | 40 ohmios | |||||||||||
| BZV85-C56,133 | 0.0300 | | 52 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.3 W | Do-41 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 na @ 39 V | 56 V | 150 ohmios | ||||||||||||
| BZX79-C5V1,113 | 0.0200 | | 233 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX79 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||
 | PZU22B, 115 | - | | 7008 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU22 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||
 | BZX79-B16,113 | 0.0200 | | 50 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 11.2 V | 16 V | 40 ohmios | ||||||||||||
| BAS19,235 | - | | 5775 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Estándar | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 100 V | 1.25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 100 V | 150 ° C (Máximo) | 200 MMA | 5PF @ 0V, 1MHz |
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