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Diodos (1956)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZB84-B12,215 | - |  | 7248 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZB84-B12 | 300 MW | To-236ab | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 8 V | 12 V | 25 ohmios | ||||||||||||
 | BZB784-C7V5,115 | 0.0300 | | 28 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZB784 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
 | BZX84-B30,215 | - | | 4012 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
| BZX84-B2V7,215 | 0.0200 | | 128 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
 | BZX79-B9V1,113 | 0.0200 | | 179 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX79 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||
 | BZX384-C22,115 | - | | 7085 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX384 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
 | BZX585-B2V4135 | 1.0000 | | 4054 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 300 MW | Sod-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 V | 100 ohmios | ||||||||||
| 1PS70SB45,115 | 0.0300 | | 366 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | 1PS70 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
 | PDZ5.1B145 | - | | 1365 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | BZB984-C4V3,115 | 0.0400 | | 36 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZB984 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | ||||||||||||||||||||
 | BZB984-C8V2115 | - | | 8086 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | BZX585-C4V7,135 | 0.0300 | | 2042 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX585 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||
 | BZX84J-C5V6,115 | - | | 3433 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
 | BZV90-C24,115 | 0.1700 | | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 1.5 W | SOT-223 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.745 | 1 V @ 50 Ma | 50 na @ 16.8 V | 24 V | 70 ohmios | |||||||||||||
| BZX79-C3V9,133 | 0.0200 | | 195 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX79 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||
 | BZV49-C3V3,115 | - | | 7991 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZV49 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | ||||||||||||||||||||
| Pmeg2005eld, 315 | - | | 3428 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PMEG2 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | ||||||||||||||||||||
 | BZX884-B3V0,315 | 1.0000 | | 8176 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios | ||||||||||||||
| BZX884-C4V3315 | - | | 6967 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
 | BYV32E-150,127 | - | | 4003 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | BYV32 | Estándar | Un 220b | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 20A | 1.15 V @ 20 A | 25 ns | 30 µA @ 150 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||
| PZU6.8B2,115 | - | | 9523 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU6.8 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
| BZX84-A4V7,215 | - | | 9157 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
 | BZV90-C39115 | - | | 4179 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 1.5 W | SOT-223 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 na @ 27.3 V | 39 V | 130 ohmios | ||||||||||
 | BYV415W-600P127 | - | | 8954 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||
| PZU3.6BA115 | 1.0000 | | 3584 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 320 MW | Sod-323 | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 3.000 | 1.1 V @ 100 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.6 V | 90 ohmios | ||||||||||||
 | BB178/L315 | 0.0900 | | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | ||||||||||||||||||||
| BZV90-C7V5115 | 1.0000 | | 5758 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 1.5 W | SOT-223 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 1 µA @ 5 V | 7.5 V | 15 ohmios | ||||||||||
| BZX585-C4V3135 | 1.0000 | | 5859 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 300 MW | Sod-523 | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 V | 90 ohmios | ||||||||||||
| BZX585-C9V1135 | 0.0300 | | 7056 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 300 MW | Sod-523 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,170 | 1.1 V @ 100 Ma | 500 na @ 6 V | 9.1 V | 10 ohmios | ||||||||||
| PZU13B1A115 | - | | 3061 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 320 MW | Sod-323 | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 100 na @ 10 V | 13 V | 10 ohmios |
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