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Diodos (1956)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PZU9.1B3,115 | 0.0400 |  | 17 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU9.1 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||
 | BZX84-C22,215 | 0.0200 | | 31 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||
 | BZX84-C5V1,235 | 0.0200 | | 270 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 60 ohmios | |||||||||||
 | BZX884-B75,315 | 0.0300 | | 189 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX884 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||
 | BZX84-C6V8215 | - | | 4434 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | BZV55-B12,135 | - | | 2397 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZV55 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||
 | 1N4734A, 133 | - | | 3992 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | 1N47 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | ||||||||||||||||||
 | BZX79-C47,113 | - | | 3202 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX79 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||
 | NZX12C, 133 | - | | 1580 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | ALF2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 8 V | 12 V | 35 ohmios | |||||||||||
| PMEG2005CT, 215 | - | | 4000 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PMEG2 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||
| BAS70,235 | 0.0200 | | 269 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Schottky | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 70 V | 1 V @ 15 Ma | 10 µA @ 70 V | 150 ° C (Máximo) | 70 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||
| BZT52H-C5V1,115 | - | | 6965 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZT52 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||
 | PZU8.2B1A, 115 | 0.0300 | | 38 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 320 MW | Sod-323 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,010 | 1.1 V @ 100 Ma | 500 na @ 5 V | 8.2 V | 10 ohmios | |||||||||||
| PMEG2005el, 315 | 0.0500 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PMEG2 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | ||||||||||||||||||
| BZB84-C11215 | - | | 5133 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||
| NZX7V5C, 133 | 0.0200 | | 122 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | NZX7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||
| BZX84-C47,235 | 0.0200 | | 70 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 32.9 V | 47 V | 170 ohmios | |||||||||||
| BZB84-C47,215 | 0.0200 | | 2570 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZB84 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||
| BZX84-C9V1,215 | - | | 8856 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 250 MW | To-236ab | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 500 na @ 6 V | 9.1 V | 15 ohmios | ||||||||
| BZX84J-C75,115 | - | | 9378 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||
| BZX84-C5V6/CH, 235 | - | | 8864 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||
| BAT17235 | 0.0600 | | 10 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||
| BZX84-B12,215 | - | | 2927 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||
| BZV55-C3V9,115 | - | | 8830 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZV55 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | ||||||||||||||||||
 | BZV85-C7V5133 | 0.0400 | | 55 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||
| BZX884-C27 | - | | 7389 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 18.9 µA @ 50 MV | 27 V | 80 ohmios | |||||||||||||
 | BZT52H-B3V9,115 | - | | 7649 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZT52 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||
| BZB84-C10,215 | - | | 7968 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 200 na @ 7 V | 10 V | 20 ohmios | |||||||||||
| BZX84J-B18,115 | 0.0300 | | 7753 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||
 | BAS321115 | - | | 3009 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 |
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