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Diodos (1956)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZX384-C5V6,115 | 0.0200 |  | 3976 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX384 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
 | BZT52H-C15,115 | 0.0200 | | 125 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZT52 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
 | PZU4.7B2,135 | - | | 6665 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU4.7 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||
 | BAV70QA147 | 0.0300 | | 185 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 3-xdfn | BAV70 | Estándar | DFN1010D-3 | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Cátodo Común | 100 V | 175MA (DC) | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||
| NZX3V9C133 | 0.0200 | | 4453 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,484 | |||||||||||||||||||||||
 | BZX884-C24,315 | 0.0300 | | 107 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX884 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||
| NZX4V3C, 133 | 0.0200 | | 76 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | NZX4 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||
 | BYV29FX-600,127 | 0.4100 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Estándar | Un 220F | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 727 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.9 v @ 8 a | 35 ns | 50 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 9A | - | |||||||||||
 | PMEG2005CT, 215 | - | | 4000 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PMEG2 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
| NZX12C, 133 | - | | 1580 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | ALF2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 8 V | 12 V | 35 ohmios | |||||||||||||
| PZU2.7B1,115 | 0.0400 | | 44 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU2.7 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
 | PZU18B2L315 | 0.0300 | | 70 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,764 | |||||||||||||||||||||||
| PZU36B, 115 | - | | 6475 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU3 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
| BZX84-C22,215 | 0.0200 | | 31 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
 | BZX84-C5V1,235 | 0.0200 | | 270 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 60 ohmios | |||||||||||||
| BZX884-B75,315 | 0.0300 | | 189 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX884 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||
 | BZX84-C6V8215 | - | | 4434 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | BZV55-B12,135 | - | | 2397 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZV55 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||
| BZX84-A8V2,215 | 0.1100 | | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
 | PZU8.2B1A, 115 | 0.0300 | | 38 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 320 MW | Sod-323 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,010 | 1.1 V @ 100 Ma | 500 na @ 5 V | 8.2 V | 10 ohmios | |||||||||||||
| PMEG2005el, 315 | 0.0500 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PMEG2 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | ||||||||||||||||||||
 | 1N4734A, 133 | - | | 3992 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | 1N47 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | ||||||||||||||||||||
 | BZX79-C47,113 | - | | 3202 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX79 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||
| BZB84-C11215 | - | | 5133 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||
| NZX7V5C, 133 | 0.0200 | | 122 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | NZX7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||
| BAS70,235 | 0.0200 | | 269 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Schottky | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 70 V | 1 V @ 15 Ma | 10 µA @ 70 V | 150 ° C (Máximo) | 70 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||
| BZT52H-C5V1,115 | - | | 6965 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZT52 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
 | BYT28-300,127 | 0.5200 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | ByT28 | Estándar | Un 220b | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 577 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 300 V | 10A | 1.4 V @ 10 A | 60 ns | 10 µA @ 300 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||
| NZX11B, 133 | 0.0200 | | 108 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | NZX1 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||
| NZX22C, 133 | - | | 8546 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | NZX2 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 |
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