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Diodos (1956)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Estatus de Alcance	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Current - Max	Disipacia de Potencia (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Resistencia @ if, f
PZU5.1B2,115	-	RFQ	7198	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					PZU5.1				descascar	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000
PMLL4148L, 115	0.0200	RFQ	2	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					PMLL4				descascar	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0070	2.500
BAT54C, 215	1.0000	RFQ	4219	NXP USA Inc.	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAT54	Schottky		Sot-23	descascar			EAR99	8541.10.0070	1		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad			1 par Cátodo Común	30 V	200MA (DC)	800 MV @ 100 Ma	5 ns	2 µA @ 25 V	150 ° C (Máximo)
NZX36B, 133	0.0200	RFQ	54	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					NZX3				-	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	10,000
NZX6V8A, 133	0.0200	RFQ	6782	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					NZX6				-	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	10,000
NZH30C, 115	0.0300	RFQ	127	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					NZH3				descascar	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000
NZH4V7B, 115	-	RFQ	8181	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					Nzh4				descascar	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000
PZU4.7BA115	0.0200	RFQ	7141	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo									descascar			EAR99	8541.10.0050	1
PLVA665A, 215	-	RFQ	3040	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					PLVA6				-	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000
PLVA2668A, 215	0.0300	RFQ	4757	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo	-	-	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	Sot-23	descascar			EAR99	8541.10.0050	2.650	1 par Ánodo Común							900 MV @ 10 Ma							6.8 V	100 ohmios
PZU33B, 115	-	RFQ	5232	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					PZU3				descascar	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000
BZX84-C5V1	-	RFQ	6394	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo									descascar				0000.00.0000	1
PZU15B3,115	0.0400	RFQ	8	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					PZU15				descascar	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000
PZU24B, 115	-	RFQ	3193	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					PZU24				descascar	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000
BZV90-C43,115	0.1700	RFQ	4	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA			1.5 W	SOT-223	descascar			EAR99	8541.10.0050	1.745								1 V @ 50 Ma		50 na @ 30.1 V					43 V	150 ohmios
BZX79-C15,143	-	RFQ	3946	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					BZX79				-	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	5,000
1N4730A, 113	0.0400	RFQ	91	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					1N47				descascar	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	5,000
NZX20C, 133	0.0200	RFQ	91	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					NZX2				-	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	10,000
BZV55-C36,115	-	RFQ	9181	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					BZV55				descascar	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	2.500
BZB84-B22,215	0.0300	RFQ	62	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo	± 2%	-	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			300 MW	Sot-23	descascar			EAR99	8541.10.0050	11,823	1 par Ánodo Común							900 MV @ 10 Ma		50 na @ 15.4 V					22 V	55 ohmios
BZB84-B39,215	0.0300	RFQ	22	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo	± 2%	-	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			300 MW	Sot-23	descascar			EAR99	8541.10.0050	11,823	1 par Ánodo Común							900 MV @ 10 Ma		50 na @ 27.3 V					39 V	130 ohmios
BZX84-C8V2,235	0.0200	RFQ	300	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					BZX84				descascar	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	10,000
NZX4V3A, 133	0.0200	RFQ	98	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					NZX4				-	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	10,000
BZX79-B18,143	0.0200	RFQ	101	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar			EAR99	8541.10.0050	1								900 MV @ 10 Ma		50 na @ 12.6 V					18 V	45 ohmios
BZX84-C5V1/DG/B4215	0.0700	RFQ	2731	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo									descascar			EAR99	8541.10.0050	3,520
BZX79-B2V4,133	0.0200	RFQ	95	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar			EAR99	8541.10.0050	1								900 MV @ 10 Ma		50 µA @ 1 V					2.4 V	100 ohmios
BA591115	0.0500	RFQ	527	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		SC-76, SOD-323				Sod-323	descascar			EAR99	8541.10.0070	5,912			100 mA	500 MW								0.9pf @ 3V, 1 MHz	Estándar - Single	35V			500mohm @ 10 Ma, 100MHz
BZX884-C75,315	0.0300	RFQ	109	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					BZX884				descascar	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	10,000
BZX84-A13,215	0.1100	RFQ	7	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					BZX84				descascar	ROHS3 Cumplante	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000
PDZ33BGW115	-	RFQ	6092	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo									descascar			EAR99	8541.10.0050	1

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (1956)

2000+

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2800+

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