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Diodos (1956)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PDZ3.3B145 | 1.0000 |  | 3306 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
 | BZB84-C36,215 | 1.0000 | | 3141 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 25.2 V | 36 V | 90 ohmios | |||||||||||||
 | BZV85-C33,133 | 0.0400 | | 58 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,969 | 1 V @ 50 Ma | 50 na @ 23 V | 33 V | 45 ohmios | ||||||||||||||
 | BAV70QA147 | 0.0300 | | 185 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 3-xdfn | BAV70 | Estándar | DFN1010D-3 | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Cátodo Común | 100 V | 175MA (DC) | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||
 | NZX3V9C133 | 0.0200 | | 4453 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,484 | ||||||||||||||||||||||||
 | BZX884-C24,315 | 0.0300 | | 107 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX884 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||
| NZX4V3C, 133 | 0.0200 | | 76 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | NZX4 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||
| BZX79-B4V7143 | - | | 3192 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
| BZB84-B62,215 | 0.0300 | | 35 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,823 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 43.4 V | 62 V | 215 ohmios | |||||||||||||
| BZB84-C43,215 | 0.0200 | | 8006 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZB84 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
 | BZV55-C5V1,135 | 0.0200 | | 110 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZV55 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||
 | BYV29FX-600,127 | 0.4100 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Estándar | Un 220F | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 727 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.9 v @ 8 a | 35 ns | 50 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 9A | - | ||||||||||||
 | PZU2.7B1,115 | 0.0400 | | 44 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU2.7 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
 | PZU18B2L315 | 0.0300 | | 70 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,764 | ||||||||||||||||||||||||
| PZU36B, 115 | - | | 6475 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU3 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
| PZU9.1B2A115 | - | | 6177 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
 | PZU9.1B3 | - | | 4131 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
| PZU13B3,115 | - | | 8242 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU13 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
| PMLL4148L, 135 | - | | 9036 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PMLL4 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | |||||||||||||||||||||
| PZU5.6B3,115 | 0.0400 | | 35 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU5.6 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
| PZU6.8B, 115 | 0.0300 | | 14 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU6.8 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
 | NXPS20H100CX, 127 | 0.2800 | | 162 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Schottky | Un 220F | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 10A | 770 MV @ 10 A | 4.5 Ma @ 100 V | 175 ° C (Máximo) | |||||||||||||
| BZX84-C9V1,235 | 1.0000 | | 3260 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 500 na @ 6 V | 9.1 V | 15 ohmios | ||||||||||||||
 | 1PS70SB46,115 | 0.0300 | | 418 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | 1PS70 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
 | BZT52-B5V6X | - | | 2480 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 1.96% | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montaje en superficie | SOD-123 | BZT52 | 590 MW | SOD-123 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 2 V | 5.6 V | 40 ohmios | |||||||||||||
| BAS16H, 115 | 0.0200 | | 266 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, BAS16 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | BAS16 | Estándar | SOD-123F | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C (Máximo) | 215 Ma | 1.5pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||
 | BZX79-C7V5,113 | 0.0200 | | 458 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX79 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||
 | BAT54W135 | 1.0000 | | 3638 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BAT54 | Schottky | Sot-323 | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 800 MV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 150 ° C (Máximo) | 200 MMA | 10pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||
| BZB84-B68,215 | - | | 4488 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZB84 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
| BZV55-C22,135 | 0.0200 | | 164 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZV55 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 |
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