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Diodos (1956)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZB84-C6V8,215 | 0.0200 |  | 3639 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,900 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 V | 15 ohmios | ||||||||||
 | BZX84J-B3V9,115 | 0.0300 | | 1062 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 550 MW | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 3 µA @ 1 V | 3.9 V | 90 ohmios | |||||||||||
 | BZX79-C24,133 | 0.0200 | | 126 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX79 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||
 | BZB84-B6V2,215 | - | | 8448 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZB84 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||
| BZB84-C3V6,215 | 0.0200 | | 5682 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,278 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.6 V | 90 ohmios | ||||||||||
| BZV85-C15,133 | - | | 9859 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZV85 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | ||||||||||||||||||
| BZV85-C30,133 | 0.0400 | | 118 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZV85 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | ||||||||||||||||||
 | BZX585-B3V3,135 | - | | 9983 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX585 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||
 | BZT52H-C7V5,115 | - | | 6217 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZT52 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||
 | 1PS79SB31,115 | - | | 2474 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Schottky | Sod-523 | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 500 MV @ 200 Ma | 30 µA @ 10 V | 125 ° C (Máximo) | 200 MMA | 25pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||
 | BZX79-B24133 | - | | 6037 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | BZV55-C20,115 | 0.0200 | | 270 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZV55 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | ||||||||||||||||||
 | PZU11B1,115 | 0.0400 | | 30 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | Pzu11 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||
 | BZX84-C3V3,215 | - | | 8463 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||
 | BZX884-C3V6,315 | 0.0300 | | 99 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,606 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.6 V | 90 ohmios | |||||||||||
| PZU13B1,115 | - | | 5760 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU13 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||
 | BAS40-04W, 115 | - | | 7743 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BAS40 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||
| BZB784-C4V3115 | 1.0000 | | 5500 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| BZV55-B9V1,115 | - | | 7932 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZV55 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | ||||||||||||||||||
 | 1PS76SB10,115 | - | | 5880 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | 1PS76 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||
| BZX84J-B33115 | 1.0000 | | 2364 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||
| PZU24B2,115 | - | | 4113 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU24 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||
| BZT52H-C3V9,115 | 0.0200 | | 93 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montaje en superficie | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 1 V | 3.9 V | 95 ohmios | ||||||||||
 | BZV49-C3V0,115 | 0.1800 | | 59 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZV49 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | ||||||||||||||||||
 | BZB784-C4V7115 | 1.0000 | | 9301 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||
| BZB84-C2V7,215 | - | | 8838 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 20 µA @ 1 V | 2.7 V | 100 ohmios | |||||||||||
| BZX79-B6V8,133 | 0.0200 | | 109 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX79 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||
| BZX84-A2V4,215 | 0.1100 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 V | 100 ohmios | |||||||||||
| BAV70,235 | - | | 2637 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BAV70 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | ||||||||||||||||||
| BZX384-B56,115 | 0.0200 | | 2391 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX384 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 |
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