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Diodos (1956)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BAV70/LF1215 | 0.0200 |  | 555 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV70 | Estándar | Sot-23-3 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 215MA (DC) | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||
 | PMEG6020ETP/B115 | 0.1200 | | 6 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PMEG6020 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
 | BZX585-B3V9135 | - | | 3475 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 300 MW | Sod-523 | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 3 µA @ 1 V | 3.9 V | 90 ohmios | ||||||||||||||
 | BZV90-C39115 | - | | 4179 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 1.5 W | SOT-223 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 na @ 27.3 V | 39 V | 130 ohmios | ||||||||||||
| BZV90-C7V5115 | 1.0000 | | 5758 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 1.5 W | SOT-223 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 1 µA @ 5 V | 7.5 V | 15 ohmios | ||||||||||||
| BZX585-C4V3135 | 1.0000 | | 5859 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 300 MW | Sod-523 | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 V | 90 ohmios | ||||||||||||||
| PZU13B1A115 | - | | 3061 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 320 MW | Sod-323 | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 100 na @ 10 V | 13 V | 10 ohmios | ||||||||||||||
 | BYV415W-600P127 | - | | 8954 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| PZU3.6BA115 | 1.0000 | | 3584 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 320 MW | Sod-323 | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 3.000 | 1.1 V @ 100 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.6 V | 90 ohmios | ||||||||||||||
 | BZX585-C9V1135 | 0.0300 | | 7056 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 300 MW | Sod-523 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,170 | 1.1 V @ 100 Ma | 500 na @ 6 V | 9.1 V | 10 ohmios | ||||||||||||
 | BYC10-600P127 | - | | 1710 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Estándar | TO20AC | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 10 A | 12 ns | 10 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | 10A | - | ||||||||||
 | PZU5.6BL315 | - | | 3584 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 1 µA @ 2.5 V | 5.6 V | 40 ohmios | ||||||||||||||
 | BYC20X-600P127 | 0.7600 | | 35 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| BZX884-B15315 | - | | 5201 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 10.5 V | 15 V | 15 ohmios | ||||||||||||||
 | BB178/L315 | 0.0900 | | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | ||||||||||||||||||||||
 | PMEG10020ELR115 | 1.0000 | | 7755 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PMEG10020 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | BZX84-B30,215 | - | | 4012 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
 | BYV25FX-600,127 | 0.2900 | | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Estándar | Un 220F | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 875 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.9 v @ 5 a | 35 ns | 50 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 5A | - | |||||||||||||
 | BYV40E-150,115 | 0.2900 | | 14 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | BYV40 | Estándar | SOT-223 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.031 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 1.5a | 1 V @ 1.5 A | 25 ns | 10 µA @ 150 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||
 | BZX84-C3V6 | - | | 7906 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
 | PZU22B, 115 | - | | 7008 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU22 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
 | BAT54C, 235 | 1.0000 | | 2481 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT54 | Schottky | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Cátodo Común | 30 V | 200MA (DC) | 800 MV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||
| BZB84-B12,215 | - | | 7248 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZB84-B12 | 300 MW | To-236ab | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 8 V | 12 V | 25 ohmios | ||||||||||||||
 | BZB784-C7V5,115 | 0.0300 | | 28 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZB784 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
 | BZV85-C56,133 | 0.0300 | | 52 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.3 W | Do-41 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 na @ 39 V | 56 V | 150 ohmios | |||||||||||||||
 | BZX79-C5V1,113 | 0.0200 | | 233 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX79 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||
| NZX2V4B, 133 | 0.0200 | | 134 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | NZX2 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||
 | BZX79-B16,113 | 0.0200 | | 50 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 11.2 V | 16 V | 40 ohmios | |||||||||||||||
 | BZT52-C33115 | 1.0000 | | 3831 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | BZT52 | Una granela | Activo | ± 6.06% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | BZT52 | 350 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 23.1 V | 33 V | 40 ohmios | |||||||||||
 | PZU16B3,115 | - | | 3131 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU16 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 |
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