- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estonio
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Diodos (1956)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZB84-B3V6,215 | - |  | 4151 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZB84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
 | TDZ7V5J115 | - | | 8458 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, TDZXJ | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | TDZ7V5 | 500 MW | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 1 µA @ 5 V | 7.5 V | 10 ohmios | ||||||||||||
 | PZU15BL, 315 | 1.0000 | | 7780 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 11 V | 15 V | 15 ohmios | |||||||||||||
 | BZV85-C68,113 | 0.0400 | | 59 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.3 W | Do-41 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 na @ 48 V | 68 V | 200 ohmios | |||||||||||||
| BZT52H-B2V7,115 | 0.0200 | | 96 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montaje en superficie | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 20 µA @ 1 V | 2.7 V | 83 ohmios | ||||||||||||
 | BZX79-C33,113 | 0.0200 | | 470 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX79 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||
 | 1N4741A, 113 | 0.0400 | | 15 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | 1N47 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | ||||||||||||||||||||
 | BAT854W, 115 | 0.0300 | | 4422 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BAT85 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
 | BAT86,133 | 0.0800 | | 30 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | Schottky | Do-34 | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.985 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 50 V | 900 MV @ 100 Ma | 4 ns | 5 µA @ 40 V | 125 ° C (Máximo) | 200 MMA | 8pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||
 | BZX84-B56,215 | 0.0200 | | 60 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 39.2 V | 56 V | 200 ohmios | |||||||||||||
 | BZX884-C47,315 | 0.0300 | | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX884 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||
| PMEG4030ER115 | 1.0000 | | 6115 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | BZX384-C47115 | - | | 3270 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384 | 300 MW | Sod-323 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 50 V | 47 V | 170 ohmios | |||||||||
 | BZX585-C36115 | - | | 3147 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||
| BZX884-C30,315 | 0.0300 | | 97 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX884 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||
| BAS40W, 115 | 0.0300 | | 65 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BAS40 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
 | BZV55-B15,115 | - | | 8767 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZV55 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | ||||||||||||||||||||
| PZU3.0B2A115 | 1.0000 | | 5060 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
| BZX84-B22,215 | 0.0200 | | 154 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
 | 1PS66SB82115 | 0.0800 | | 97 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | 1PS66 | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| BAV170M315 | 0.0200 | | 480 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | BZB984-C11,115 | 0.0400 | | 209 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | SOT-663 | 265 MW | SOT-663 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 8 V | 11 V | 10 ohmios | ||||||||||||
 | BZX585-C4V7,115 | - | | 5880 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX585 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
| BB208-03 | 1.0000 | | 7378 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
| BZX585-C11,135 | - | | 2201 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 300 MW | Sod-523 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 100 µA @ 8 V | 11 V | 10 ohmios | |||||||||||||
| BZX585-C2V7,115 | 0.0300 | | 99 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 300 MW | Sod-523 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,764 | 1.1 V @ 100 Ma | 20 µA @ 1 V | 2.7 V | 100 ohmios | |||||||||||||
 | BYC8DX-600,127 | 0.4100 | | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Estándar | Un 220F | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 740 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.9 v @ 8 a | 20 ns | 40 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 8A | - | |||||||||||
 | NZX12D133 | 0.0200 | | 8309 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,840 | |||||||||||||||||||||||
| BZX384-C2V7,115 | 0.0200 | | 5558 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX384 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
| BZX585-B4V3,115 | - | | 3051 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 300 MW | Sod-523 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 V | 90 ohmios |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)