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Diodos (1956)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZV55-B47115 | 1.0000 |  | 6712 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | BZB84-B24215 | - | | 9818 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | BZB84-B3V6,215 | - | | 4151 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZB84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
 | BZV55-C4V3,115 | 0.0200 | | 88 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZV55 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | ||||||||||||||||||||
 | BZX84J-B2V4,115 | - | | 5378 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
 | NZX9V1A, 133 | 0.0200 | | 135 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | NZX9 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||
 | PMEG6020EPA115 | - | | 5188 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | 3-Powerudfn | PMEG6020 | Schottky | 3-Huson (2x2) | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 575 MV @ 2 A | 78 ns | 250 µA @ 60 V | 150 ° C (Máximo) | 2A | 250pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||
 | PZU13B3A, 115 | 0.0300 | | 17 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 320 MW | Sod-323 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,010 | 1.1 V @ 100 Ma | 100 na @ 10 V | 13 V | 10 ohmios | |||||||||||||
 | PZU18B2A, 115 | 0.0300 | | 33 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU18 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
 | PZU7.5B2,115 | 0.0400 | | 7238 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU7.5 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
| BZX84J-C20,115 | - | | 2285 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
 | 1N4731A, 113 | - | | 4244 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | 1N47 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | ||||||||||||||||||||
| BAV170/DG/B3215 | - | | 2442 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
 | BAV20,133 | 0.0200 | | 221 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | ALF2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 150 V | 175 ° C (Máximo) | 250 Ma | 5PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||
| PMEG3005EJ, 115 | 0.0500 | | 430 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PMEG3005 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
| BZV55-C2V4135 | - | | 1614 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||
| BZB84-C51,215 | 1.0000 | | 8231 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZB84-C51 | 300 MW | To-236ab | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 35.7 V | 51 V | 180 ohmios | ||||||||||||
| BZV49-C43,115 | - | | 8378 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZV49 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | ||||||||||||||||||||
 | BZT52H-B5V1/DLT115 | 1.0000 | | 7470 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZT52 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | BZX84-B11,235 | 0.0200 | | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 8 V | 11 V | 20 ohmios | |||||||||||||
| BZX84-B3V0,215 | - | | 3779 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios | |||||||||||||
| PZU10B2,115 | - | | 7207 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | Pzu10 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
| PZU3.9B1A, 115 | 0.0300 | | 14 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU3.9 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
 | PZU6.2B1A115 | - | | 7835 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||
| PZU4.3B1,115 | - | | 5801 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU4.3 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
| 1N4740A, 113 | 0.0400 | | 306 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | 1N47 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | ||||||||||||||||||||
 | BZX884-C4V7,315 | - | | 5954 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1.416 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 2 V | 4.7 V | 80 ohmios | ||||||||||
| BZT52H-C13,115 | 0.0200 | | 65 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZT52 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
 | BAS40H, 115 | 0.0300 | | 2342 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BAS40 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
 | BZX79-C2V7,133 | 0.0200 | | 209 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX79 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 |
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