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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZV55-B5V1,115 | 0.0200 | ![]() | 115 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-B5V1,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 60 ohmios | ||||||||||||
![]() | BZB984-C3V3,115 | 0.0400 | ![]() | 5822 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | SOT-663 | 265 MW | SOT-663 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZB984-C3V3,115-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 85 ohmios | |||||||||
![]() | BZX585-B3V0,115 | - | ![]() | 1500 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 300 MW | Sod-523 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX585-B3V0,115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios | ||||||||||||
![]() | BZT52H-B22,115 | - | ![]() | 7615 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montaje en superficie | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZT52H-B22,115-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 15.4 V | 22 V | 25 ohmios | |||||||||
![]() | PZU24B1,115 | 0.0300 | ![]() | 59 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 310 MW | Sod-323f | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PZU24B1,115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 19 V | 24 V | 30 ohmios | ||||||||||||
![]() | PZU11B3,115 | 0.0300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 310 MW | Sod-323f | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PZU11B3,115-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 100 na @ 8 V | 11 V | 10 ohmios | ||||||||||
![]() | PZU20B2,115 | 0.0300 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 310 MW | Sod-323f | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PZU20B2,115-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 15 V | 20 V | 20 ohmios | ||||||||||
![]() | BZX84-C68,215 | 0.0200 | ![]() | 104 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX84-C68,215-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 47.6 V | 68 V | 240 ohmios | ||||||||||||
![]() | PZU22B2,115 | 0.0300 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 310 MW | Sod-323f | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PZU22B2,115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 17 V | 22 V | 25 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1N4742A, 113 | - | ![]() | 1206 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-1N4742A, 113-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C39,115 | 0.0200 | ![]() | 837 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-C39,115-954 | 0000.00.0000 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 27.3 V | 39 V | 130 ohmios | |||||||||||
![]() | BAS32L, 135 | 0.0200 | ![]() | 635 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Estándar | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BAS32L, 135-954 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1 V @ 100 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 200 ° C (Max) | 200 MMA | 2pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | BZX79-C4V7,113 | 0.0200 | ![]() | 262 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-C4V7,113-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | TDZ8V2J, 115 | 0.0300 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotive, AEC-Q101, TDZXJ | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | TDZ8V2 | 500 MW | Sod-323f | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-TDZ8V2J, 115-954 | 10,414 | 1.1 V @ 100 Ma | 700 na @ 5 V | 8.2 V | 10 ohmios | |||||||||||
![]() | BZB84-C15,215 | 1.0000 | ![]() | 6356 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZB84-C15,215-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 10.5 V | 15 V | 30 ohmios | |||||||||
![]() | BZV85-C62,113 | 0.0400 | ![]() | 55 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.3 W | Do-41 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV85-C62,113-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 na @ 43 V | 62 V | 175 ohmios | ||||||||||||
![]() | BZX585-C24,115 | 0.0300 | ![]() | 251 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 300 MW | Sod-523 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX585-C24,115-954 | 10,764 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 16.8 V | 24 V | 70 ohmios | ||||||||||||
![]() | PZU9.1bl, 315 | 0.0300 | ![]() | 92 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-Pzu9.1bl, 315-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 500 na @ 6 V | 9.1 V | 10 ohmios | ||||||||||||
![]() | BAT54VV, 115 | - | ![]() | 5705 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | BAT54 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-bat54vv, 115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-A20,215 | 0.1000 | ![]() | 127 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX84-A20,215-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 14 V | 20 V | 55 ohmios | ||||||||||
![]() | BZV55-B3V0,115 | 0.0200 | ![]() | 86 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-B3V0,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios | ||||||||||||
![]() | PMEG045V050EPDAZ | 0.1600 | ![]() | 895 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Schottky | CFP15 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PMEG045V050EPDAZ-954 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 490 MV @ 5 A | 12 ns | 300 µA @ 45 V | 175 ° C (Máximo) | 5A | 580pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||
![]() | PMEG4005EGWJ | - | ![]() | 1938 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SOD-123 | Schottky | SOD-123 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PMEG4005EGWJ-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 470 MV @ 500 Ma | 100 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 500mA | 43pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||
![]() | 1PS66SB17,115 | 1.0000 | ![]() | 1033 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | 1PS66 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-1PS66SB17,115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-B16,115 | 0.0300 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 550 MW | Sod-323f | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX84J-B16,115-954 | 10,051 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 11.2 V | 16 V | 20 ohmios | ||||||||||||
![]() | BAS16,215 | - | ![]() | 3763 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotive, AEC-Q101, BAS16 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS16 | Estándar | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-Bas16,215-954 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C (Máximo) | 215 Ma | 1.5pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||
![]() | BZX84-B10,215 | 0.0200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX84-B10,215-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 200 na @ 7 V | 10 V | 20 ohmios | ||||||||||||
![]() | BZX79-C30,143 | 0.0200 | ![]() | 165 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-C30,143-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 700 mv | 30 V | 80 ohmios | ||||||||||||
![]() | Pzu4.3b, 115 | 0.0300 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 310 MW | Sod-323f | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-Pzu4.3b, 115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 V | 90 ohmios | ||||||||||||
![]() | BAW56W, 135 | 0.0200 | ![]() | 210 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | Baw56 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-Baw56W, 135-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 |
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