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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4751A-T50A | 0.0500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4751 | 1 W | Do-41 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 22.8 V | 30 V | 40 ohmios | ||||||||||||
![]() | BAS70SV | 0.0700 | ![]() | 197 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | BAS70 | Schottky | SOT-563F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 2 Independientes | 70 V | 70 Ma | 1 V @ 15 Ma | 8 ns | 2.5 µA @ 70 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | BZX79C2V7-T50A | 0.0200 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX79C2 | 500 MW | Do-35 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 75 µA @ 1 V | 2.7 V | 100 ohmios | |||||||||||
![]() | Bav99t | - | ![]() | 3075 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SOT-523 | BAV99 | Estándar | SOT-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | Conexión de la Serie de 1 par | 85 V | 75 Ma | 1 V @ 50 Ma | 4 ns | 2 µA @ 75 V | 125 ° C (Máximo) | |||||||||
![]() | SS24 | 0.0900 | ![]() | 5399 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SS24 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 11 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 500 MV @ 2 A | 400 µA @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 2a | - | ||||||||||
![]() | MMSZ5255B | 1.0000 | ![]() | 1316 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 21 V | 28 V | 44 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1N5253B | 3.7600 | ![]() | 483 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 80 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 19 V | 25 V | 35 ohmios | ||||||||||||
![]() | BZX85C22 | 0.0300 | ![]() | 41 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | BZX85C22 | 1.3 W | Do-41G | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 16 V | 22 V | 25 ohmios | |||||||||||
![]() | BZX85C5V6 | 0.0300 | ![]() | 42 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | BZX85C5 | 1.3 W | Do-41G | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 2 V | 5.6 V | 7 ohmios | |||||||||||
![]() | 1S921TR | 0.0200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1S92 | Estándar | Do-35 | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 0000.00.0000 | 5,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 100 V | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 100 V | 200 MMA | - | ||||||||||||
![]() | S310-G | 0.2000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | Bav21tr | - | ![]() | 4263 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BAV21 | Estándar | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 5,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 250 V | 1.25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 200 V | 175 ° C (Máximo) | 200 MMA | 5PF @ 0V, 1MHz | |||||||||
![]() | BZX85C12T50A | 0.0200 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 8.4 V | 12 V | 9 ohmios | ||||||||||||
![]() | BZX85C18 | 0.0300 | ![]() | 61 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 12.5 V | 18 V | 20 ohmios | ||||||||||||
![]() | EGP20KTA | 0.1500 | ![]() | 34 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | EGP20 | Estándar | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.7 v @ 2 a | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 2a | 45pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | MMBZ5245B | - | ![]() | 8224 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ52 | 300 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 11 V | 15 V | 16 ohmios | |||||||||||
![]() | BZX85C3V3-FS | 0.0300 | ![]() | 71 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 6.06% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 60 µA @ 1 V | 3.3 V | 20 ohmios | ||||||||||||
![]() | BAT54-FS | 1.0000 | ![]() | 6262 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | BAT54 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5226B-FS | 0.0200 | ![]() | 307 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 25 µA @ 1 V | 3.3 V | 28 ohmios | ||||||||||||
![]() | BAV21-T50A | 244.9900 | ![]() | 85 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | - | 2156-BAV21-T50A | 2 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 250 V | 1.25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 200 V | 175 ° C | 200 MMA | 5PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||
![]() | MM5Z5V6 | - | ![]() | 1235 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 7.14% | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 200 MW | Sod-523f | - | 2156-MM5Z5V6 | 1 | 1 µA @ 2 V | 5.6 V | 40 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | FFP08D60L2 | - | ![]() | 8812 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Estándar | Un 220-2 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 3.6 v @ 8 a | 25 ns | 10 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | |||||||||||||
![]() | 1N755ATR | 0.0200 | ![]() | 65 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 1 V | 7.5 V | 6 ohmios | ||||||||||||||
![]() | Rurd620 | 0.7100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Estándar | I-pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1 v @ 6 a | 30 ns | 100 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 6A | - | ||||||||||
![]() | 1N5229B | 0.0300 | ![]() | 233 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | 500 MW | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 22 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | RB751SL | - | ![]() | 3042 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | Sod-923 | Schottky | Sod-923f | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-RB751SL-600039 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 370 MV @ 1 MA | 8 ns | 500 na @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 30mera | 2.5pf @ 1v, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | Fmka130l | - | ![]() | 1927 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 4,121 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 410 MV @ 1 A | 1 ma @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | |||||||||||||
![]() | 1N5229BTR | 0.0300 | ![]() | 155 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | 500 MW | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 22 ohmios | ||||||||||||||||||||
![]() | FDLL4151 | 0.0200 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Estándar | Sod-80 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0070 | 15,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1 V @ 50 Ma | 4 ns | 50 na @ 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 200 MMA | 4PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | RRG1560-F085 | 1.7100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | Estándar | To-247-2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.3 V @ 15 A | 55 ns | 100 µA @ 1 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 15A | - |
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