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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Ffa20u20dntu | 0.8500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Estándar | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 20A | 1.2 V @ 20 A | 40 ns | 20 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||
![]() | Mmbd1701a | 0.1000 | ![]() | 966 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Estándar | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 1.1 V @ 50 Ma | 1 ns | 50 na @ 20 V | 150 ° C (Máximo) | 50mera | 1PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||
![]() | BAV21-T50A | 244.9900 | ![]() | 85 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | - | 2156-BAV21-T50A | 2 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 250 V | 1.25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 200 V | 175 ° C | 200 MMA | 5PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||
![]() | MM5Z5V6 | - | ![]() | 1235 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 7.14% | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 200 MW | Sod-523f | - | 2156-MM5Z5V6 | 1 | 1 µA @ 2 V | 5.6 V | 40 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | BZX84C11 | 0.0200 | ![]() | 48 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | BZX84 | descascar | Vendedor indefinido | Vendedor indefinido | 2156-BZX84C11-600039 | 1 | 100 na @ 8 V | 11 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | DF10S1 | 0.3400 | ![]() | 82 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Estándar | 4 SDIP | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 882 | 1.1 v @ 1 a | 3 µA @ 1 V | 1 A | Fase única | 1 kV | |||||||||||||||||
![]() | FLZ3V3A | 0.0200 | ![]() | 75 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.2 v @ 200 ma | 14 µA @ 1 V | 3.3 V | 35 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | Mm5z11v | - | ![]() | 7089 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523F | MM5Z1 | 200 MW | Sod-523f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 8 V | 11 V | 20 ohmios | ||||||||||||||
![]() | Flz24vc | 0.0200 | ![]() | 9869 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 9,784 | 1.2 v @ 200 ma | 133 na @ 19 V | 23.8 V | 29 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | Gbu6k | 0.5800 | ![]() | 1860 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP, GBU | Estándar | Gbu | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 58 | 1 v @ 6 a | 5 µA @ 800 V | 4.2 A | Fase única | 800 V | |||||||||||||||||
![]() | 1N5234CTR | 0.0200 | ![]() | 55 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 2% | 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 4 V | 6.2 V | 7 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | MBRP1545NTU | 0.5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Schottky | Un 220-3 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 570 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 15A | 800 MV @ 15 A | 1 ma @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||
![]() | BZX79C36-T50A | 0.0200 | ![]() | 55 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 50 na @ 25.2 V | 36 V | 90 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | FFP08D60L2 | - | ![]() | 8812 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Estándar | Un 220-2 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 3.6 v @ 8 a | 25 ns | 10 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | |||||||||||||||
![]() | 1N5229B | 0.0300 | ![]() | 233 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | 500 MW | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 22 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | Rurd620 | 0.7100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Estándar | I-pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1 v @ 6 a | 30 ns | 100 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 6A | - | ||||||||||||
![]() | Fmka130l | - | ![]() | 1927 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 4,121 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 410 MV @ 1 A | 1 ma @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | |||||||||||||||
![]() | RB751SL | - | ![]() | 3042 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | Sod-923 | Schottky | Sod-923f | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-RB751SL-600039 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 370 MV @ 1 MA | 8 ns | 500 na @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 30mera | 2.5pf @ 1v, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | 1N5229BTR | 0.0300 | ![]() | 155 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | 500 MW | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 22 ohmios | ||||||||||||||||||||||
![]() | Gbu6j | - | ![]() | 9391 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP, GBU | Estándar | Gbu | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 445 | 1 v @ 6 a | 5 µA @ 600 V | 4.2 A | Fase única | 600 V | |||||||||||||||||
![]() | ES1G | 1.0000 | ![]() | 1761 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | FDLL4151 | 0.0200 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Estándar | Sod-80 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0070 | 15,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1 V @ 50 Ma | 4 ns | 50 na @ 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 200 MMA | 4PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||
![]() | SB140 | 0.0800 | ![]() | 133 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | Schottky | Do15/do204ac | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 500 MV @ 1 A | 500 µA @ 40 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||
1N914BWS | - | ![]() | 5234 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Estándar | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 15,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1 V @ 100 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 150 ° C (Máximo) | 150 Ma | 4PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||
![]() | BZX79C51-T50A | 0.0200 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX79C51 | 500 MW | Do-35 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 100 Ma | 500 na @ 35.7 V | 51 V | 180 ohmios | |||||||||||||
![]() | Mm5z47v | 0.0200 | ![]() | 111 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523F | MM5Z4 | 200 MW | Sod-523f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 50 na @ 32.9 V | 47 V | 170 ohmios | ||||||||||||||
![]() | Mmbz5244b | - | ![]() | 4032 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ52 | 300 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 10 V | 14 V | 15 ohmios | |||||||||||||
![]() | BZX79C4V7 | 0.0300 | ![]() | 80 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1.5 V @ 100 Ma | 3 µA @ 2 V | 4.7 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | BAV19 | 0.0200 | ![]() | 43 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0070 | 2,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 120 V | 1.25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 100 V | 175 ° C (Máximo) | 200 MMA | 5PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||
![]() | Ffpf15u20dntu | 0.5600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Estándar | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 15A | 1.2 V @ 15 A | 40 ns | 15 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C |
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