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Diodos (1290)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Kbu4m	1.4800	RFQ	7508	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, KBU		Estándar		Kbu	descascar	ROHS3 Cumplante			2156-kbu4m-fs	EAR99	8541.10.0080	200					1 v @ 4 a		5 µA @ 50 V		4 A		Fase única	1 kV
BZX79C27	0.0200	RFQ	84	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0050	1,000					1.5 V @ 100 Ma		50 na @ 18.9 V						27 V	80 ohmios
UF4003	0.1000	RFQ	104	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	UF400	Estándar		Do-41	descascar					EAR99	8541.10.0080	2.950	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 200 V	-50 ° C ~ 175 ° C	1A	-
1N4937	0.0200	RFQ	3	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4937	Estándar		Axial	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	5,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.2 v @ 1 a	300 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	-
1N5224B	2.4100	RFQ	99	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5224		500 MW	Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	125					900 MV @ 200 Ma		50 µA @ 1 V						2.8 V	30 ohmios
1N4735ATR	-	RFQ	7745	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar					EAR99	8541.10.0050	1							10 µA @ 3 V						6.2 V	2 ohmios
Mmbz5242b	-	RFQ	6634	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ52		300 MW	Sot-23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		1 µA @ 9.1 V						12 V	30 ohmios
1N5263B	1.8600	RFQ	158	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 0.5%	-	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5263		500 MW	-	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	162					900 MV @ 200 Ma		100 na @ 41 V						56 V	150 ohmios
FLZ8V2B	0.0200	RFQ	5084	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 3%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Sod-80	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0050	4,230					1.2 v @ 200 ma		300 na @ 5 V						8 V	6.6 ohmios
1N4454	0.9200	RFQ	101	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		Estándar		Do-35	descascar					EAR99	8541.10.0070	325	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		75 V		1 V @ 10 Ma	4 ns	100 na @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	200 MMA	-
FFSH20120Adn-F155	-	RFQ	2177	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-247-3	FFSH20120	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY		To-247	descascar					EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	1200 V	10a (DC)	1.75 v @ 10 a		200 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C
S1KFP	0.0700	RFQ	7976	Semiconductor de fairchild	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SOD-123H	S1K	Estándar		Sod-123he	descascar					EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.3 V @ 1.2 A	1.5 µs	5 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.2a	18pf @ 0v, 1 MHz
DFB2080	1.3600	RFQ	11	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, TS-6P		Estándar		TS-6P	descascar					EAR99	8541.10.0080	222					1.1 V @ 20 A		10 µA @ 800 V		20 A		Fase única	800 V
BZX84C30	-	RFQ	5468	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C30		300 MW	Sot-23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		100 na @ 21 V						30 V	80 ohmios
1N970B	1.8400	RFQ	23	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0050	163							5 µA @ 18.2 V						24 V	33 ohmios
1N970BTR	0.0500	RFQ	25	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0050	5,000							5 µA @ 18.2 V						24 V	33 ohmios
1N959B	3.2100	RFQ	122	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0050	94							50 µA @ 6.2 V						8.2 V	6.5 ohmios
Ffpf06u40stu	0.3000	RFQ	8	Semiconductor de fairchild	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To20-2 paqueto entero		Estándar		TO20F-2L	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.4 v @ 6 a	50 ns	20 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C	6A	-
1N5234CTR	0.0200	RFQ	55	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 2%	200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar					EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 4 V						6.2 V	7 ohmios
Mmbz5246bnl	0.7700	RFQ	594	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	Sot-23-3	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		100 na @ 12 V						16 V	17 ohmios
FLZ3V3A	0.0200	RFQ	75	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 3%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Sod-80	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0050	2.500					1.2 v @ 200 ma		14 µA @ 1 V						3.3 V	35 ohmios
BZX84C11	0.0200	RFQ	48	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie		BZX84				descascar		Vendedor indefinido	Vendedor indefinido	2156-BZX84C11-600039			1							100 na @ 8 V						11 V	20 ohmios
Mm5z11v	-	RFQ	7089	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523F	MM5Z1		200 MW	Sod-523f	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	8,000							100 na @ 8 V						11 V	20 ohmios
Gbu6k	0.5800	RFQ	1860	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-ESIP, GBU		Estándar		Gbu	descascar					EAR99	8541.10.0080	58					1 v @ 6 a		5 µA @ 800 V		4.2 A		Fase única	800 V
Flz24vc	0.0200	RFQ	9869	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 3%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Sod-80	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0050	9,784					1.2 v @ 200 ma		133 na @ 19 V						23.8 V	29 ohmios
MBRP1545NTU	0.5300	RFQ	1	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3		Schottky		Un 220-3	descascar					EAR99	8541.10.0080	570	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	15A	800 MV @ 15 A		1 ma @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C
BZX79C3V6	0.0300	RFQ	153	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar					EAR99	8541.10.0050	8,849					1.5 V @ 100 Ma		15 µA @ 1 V						3.6 V	90 ohmios
SB140	0.0800	RFQ	133	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial		Schottky		Do15/do204ac	descascar					EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		500 MV @ 1 A		500 µA @ 40 V	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	-
BAV19	0.0200	RFQ	43	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		Estándar		DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.10.0070	2,000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		120 V		1.25 V @ 200 Ma	50 ns	100 na @ 100 V	175 ° C (Máximo)	200 MMA	5PF @ 0V, 1MHz
BZX79C4V7	0.0300	RFQ	80	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar					EAR99	8541.10.0050	11,539					1.5 V @ 100 Ma		3 µA @ 2 V						4.7 V	80 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
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Diodos (1290)

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30,000,000

2800+

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15,000 m²