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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
BZX84C13	0.0200	RFQ	178	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C13		300 MW	Sot-23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		100 na @ 8 V				13 V	30 ohmios
BAS20	0.0200	RFQ	1	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAS20	Estándar		SOT-23-3 (TO-236)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		150 V		1.25 V @ 200 Ma	50 ns	100 na @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C	200 MMA	5PF @ 0V, 1MHz
BZX84C33	-	RFQ	4290	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		250 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		50 na @ 23.1 V				33 V	80 ohmios
FDH300A_NL	0.5700	RFQ	14	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		Estándar		Do-35	-	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido	EAR99	8542.39.0001	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		125 V		1 V @ 200 Ma		1 na @ 125 V	175 ° C (Máximo)	200 MMA	6pf @ 0v, 1 MHz
MBR0540	-	RFQ	5722	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SOD-123		Schottky		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0070	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		510 MV @ 500 Ma		20 µA @ 40 V	-65 ° C ~ 125 ° C	500mA	-
Baw62	0.0200	RFQ	247	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	Baw62	Estándar		Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0070	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		75 V		1 V @ 100 Ma	4 ns	5 µA @ 75 V	175 ° C (Máximo)	300mA	2pf @ 0V, 1 MHz
BAV103-G	0.0400	RFQ	260	Semiconductor de fairchild	*	Una granela	Activo									-	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido	EAR99	8541.10.0070	2.500
MM5Z3V3	1.0000	RFQ	4066	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 6.06%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523			200 MW	Sod-523f	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	8,000							5 µA @ 1 V				3.3 V	95 ohmios
BAV21	0.0200	RFQ	339	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BAV21	Estándar		Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0070	10,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		250 V		1.25 V @ 200 Ma	50 ns	100 na @ 200 V	-50 ° C ~ 200 ° C	250 Ma	5PF @ 0V, 1MHz
1N4751A-T50A	0.0500	RFQ	6	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4751		1 W	Do-41	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1							5 µA @ 22.8 V				30 V	40 ohmios
BAS70SV	0.0700	RFQ	197	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	BAS70	Schottky		SOT-563F	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	2 Independientes	70 V	70 Ma	1 V @ 15 Ma	8 ns	2.5 µA @ 70 V	-55 ° C ~ 150 ° C
BZX79C2V7-T50A	0.0200	RFQ	50	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX79C2		500 MW	Do-35	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 100 Ma		75 µA @ 1 V				2.7 V	100 ohmios
SS24	0.0900	RFQ	5399	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SS24	Schottky		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados	EAR99	8541.10.0080	11	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		500 MV @ 2 A		400 µA @ 40 V	-65 ° C ~ 125 ° C	2A	-
MMSZ5255B	1.0000	RFQ	1316	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		100 na @ 21 V				28 V	44 ohmios
MMSZ5257B	1.0000	RFQ	5408	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ52		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		100 na @ 25 V				5.1 V	41 ohmios
1N5253B	3.7600	RFQ	483	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	80					1.2 v @ 200 ma		100 na @ 19 V				25 V	35 ohmios
Mmbz5248b	0.0200	RFQ	2130	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ52		300 MW	Sot-23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		100 na @ 14 V				18 V	21 ohmios
MMSD459A	-	RFQ	5817	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SOD-123	MMSD45	Estándar		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0070	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)							150 ° C (Máximo)	-	-
Mmbz5253b	0.0200	RFQ	170	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ52		300 MW	Sot-23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	756					900 MV @ 10 Ma		100 na @ 19 V				25 V	35 ohmios
FYD0504SATM	-	RFQ	5460	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	FYD05	Schottky		D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados	EAR99	8541.10.0080	2.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		550 MV @ 5 A		1 ma @ 40 V	-65 ° C ~ 150 ° C	5A	-
Mmsz5246b	1.0000	RFQ	8636	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		100 na @ 12 V				16 V	17 ohmios
MBRS130	-	RFQ	4855	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB		Schottky		SMB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados	EAR99	8541.10.0080	929	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		550 MV @ 1 A		1 ma @ 30 V	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	-
MBR1535CT	1.0000	RFQ	3886	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3		Schottky		Un 220-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	35 V	15A	840 MV @ 15 A		100 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 150 ° C
Bar43c	-	RFQ	6476	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	Bar43	Schottky		SOT-23-3 (TO-236)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	1 par Cátodo Común	30 V	200 MMA	800 MV @ 100 Ma	5 ns	500 na @ 25 V	150 ° C (Máximo)
MMSZ5236B	0.0200	RFQ	134	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ52		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		3 µA @ 6 V				7.5 V	5 ohmios
Mm5z36v	1.0000	RFQ	9820	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 6%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523F	MM5Z3		200 MW	Sod-523f	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	8,000							50 na @ 25.2 V				36 V	90 ohmios
BZX79C20-T50A	0.0200	RFQ	30	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX79C20		500 MW	Do-35	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000					1.5 V @ 100 Ma		50 na @ 14 V				20 V	55 ohmios
BZX84C27	0.0200	RFQ	91	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		250 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		50 na @ 18.9 V				27 V	80 ohmios
MMSZ5253B	1.0000	RFQ	1744	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		100 na @ 19 V				25 V	35 ohmios
BZX79C47	0.0200	RFQ	79	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX79C47		500 MW	Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 100 Ma		50 na @ 32.9 V				47 V	170 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
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Diodos (1290)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²