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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Mmbd1705a	0.0300	RFQ	32	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBD17	Estándar		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	1 par Ánodo Común	30 V	50mera	1.1 V @ 50 Ma	1 ns	50 na @ 20 V	150 ° C (Máximo)
BZX85C15-T50A	0.0300	RFQ	2	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 6%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BZX85C15		1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	11,095					1.2 v @ 200 ma		500 na @ 10.5 V				15 V	15 ohmios
MBRS320	-	RFQ	5733	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	MBRS320	Schottky		SMC (DO-214AB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		20 V		500 MV @ 3 A		2 Ma @ 20 V	-65 ° C ~ 125 ° C	4A	-
FFD08S60S	0.3600	RFQ	222	Semiconductor de fairchild	*	Una granela	Activo									-	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8542.39.0001	2.500
BZX85C18-T50R	0.0300	RFQ	27	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		500 na @ 12.5 V				18 V	20 ohmios
MM5Z9V1	0.0200	RFQ	58	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 6%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523F	MM5Z9		200 MW	Sod-523f	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	8,000							200 na @ 7 V				9.1 V	15 ohmios
MMBZ5250B	-	RFQ	5047	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ52		300 MW	Sot-23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		100 na @ 15 V				20 V	25 ohmios
Mmbz5243b	0.0200	RFQ	171	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			225 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		500 na @ 9.9 V				13 V	13 ohmios
MBR745	1.0000	RFQ	7811	Semiconductor de fairchild	Switchmode ™	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2	MBR745	Schottky		Un 220-2	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		570 MV @ 7.5 A		1 ma @ 45 V	-65 ° C ~ 175 ° C	7.5a	400pf @ 5V, 1MHz
Mmbz5246b	0.0200	RFQ	525	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ52		300 MW	Sot-23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		100 na @ 12 V				16 V	17 ohmios
MMSD4148	-	RFQ	4598	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SOD-123	MMSD41	Estándar		SOD-123	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		100 V		1 V @ 10 Ma	4 ns	5 µA @ 75 V	150 ° C (Máximo)	200 MMA	4PF @ 0V, 1MHz
FYPF2010DNTU	-	RFQ	7730	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	FYPF20	Schottky		Un 220F	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	20A	770 MV @ 10 A		100 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C
MM5Z75V	0.0200	RFQ	53	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 6%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523			200 MW	Sod-523f	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	8,000							50 na @ 52.5 V				75 V	255 ohmios
SB320	0.1500	RFQ	14	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	DO-201AA, DO-27, AXIAL	SB32	Schottky		DO-2010	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	2,049	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		20 V		490 MV @ 3 A		500 µA @ 20 V	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	-
BZX85C24-T50R	0.0300	RFQ	21	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 200 ma		500 na @ 17 V				24 V	25 ohmios
BZX85C36	1.0000	RFQ	5132	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 200 ma		500 na @ 25 V				36 V	1000 ohmios
1N5401	-	RFQ	8738	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	DO-201AA, DO-27, AXIAL		Estándar		Axial	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	2.746	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1 v @ 3 a		10 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
RRG5060-F085	-	RFQ	4183	Semiconductor de fairchild	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	To-247-2	RHRG5060	Estándar		To-247-2	-	No Aplicable	3 (168 Horas)		2156-RHRG5060-F085	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		2.1 V @ 50 A	60 ns	250 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	50A	-
MBR0530	-	RFQ	8887	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SOD-123	MBR0530	Schottky		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		430 MV @ 500 Ma		130 µA @ 30 V	-65 ° C ~ 125 ° C	500mA	-
MMSZ5256B	0.0200	RFQ	838	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		100 na @ 23 V				30 V	49 ohmios
MMSZ5251B	1.0000	RFQ	8531	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ52		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		100 na @ 17 V				22 V	19 ohmios
MBR3050PT	2.1100	RFQ	651	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-247-3	MBR3050	Schottky		TO-247AD (TO-3P)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	50 V	20A	750 MV @ 20 A		5 Ma @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C
MMSZ5233B	0.0200	RFQ	182	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ52		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		5 µA @ 3.5 V				6 V	11 ohmios
MMSZ5237B	0.0200	RFQ	132	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ52		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		3 µA @ 6.5 V				8.2 V	6 ohmios
MMSZ5230B	1.0000	RFQ	8598	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			500 MW	SOD-123	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		5 µA @ 2 V				4.7 V	19 ohmios
MMSZ5235B	0.0200	RFQ	361	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		3 µA @ 5 V				6.8 V	5 ohmios
Mm5z24v	0.0200	RFQ	68	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 6%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523F	MM5Z2		200 MW	Sod-523f	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	8,000							50 na @ 16.8 V				24 V	70 ohmios
FDH333_Q	0.6200	RFQ	2	Semiconductor de fairchild	*	Una granela	Activo									-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	1
BZX84C24	-	RFQ	6689	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		250 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	8,000					900 MV @ 10 Ma		100 na @ 16.8 V				24 V	70 ohmios
RRG5060F085	2.5900	RFQ	7466	Semiconductor de fairchild	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	To-247-2		Estándar		To-247-2	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		2.1 V @ 50 A	60 ns	250 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	50A	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (1290)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²