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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ES1DAF | 0.2600 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AD, SMAF | ES1D | Estándar | DO-214AD (SMAF) | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.152 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 1 A | 34 ns | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | Ffpf10up20stu | 0.5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Estándar | TO20F-2L | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 567 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.15 V @ 10 A | 35 ns | 100 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||||||
![]() | FDH444TR | 0.0300 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | FDH444 | Estándar | Do-35 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 9,779 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 125 V | 1.2 V @ 300 Ma | 60 ns | 50 na @ 100 V | 175 ° C (Máximo) | 200 MMA | 2.5pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | Mm3z68vc | 0.0200 | ![]() | 58 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 200 MW | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 Ma | 45 na @ 47.6 V | 68 V | 226 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | S3K | - | ![]() | 3073 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | SMC (DO-214AB) | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.15 v @ 3 a | 1.5 µs | 5 µA @ 800 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||
![]() | SB560 | 1.0000 | ![]() | 3074 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | DO-201AA, DO-27, AXIAL | Schottky | DO-2010 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 670 MV @ 5 A | 500 µA @ 60 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | |||||||||||||||
![]() | Gf1d | 0.1300 | ![]() | 68 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,441 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | UF4004 | - | ![]() | 3909 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | UF400 | Estándar | Do-41 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.25 v @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -50 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||||||
![]() | SB130 | 0.0900 | ![]() | 60 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | Schottky | Do15/do204ac | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,386 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 500 MV @ 1 A | 500 µA @ 30 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||
![]() | Mm3z4v7b | 0.0200 | ![]() | 7141 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 200 MW | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 Ma | 2.7 µA @ 2 V | 4.7 V | 75 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | SB540 | - | ![]() | 7476 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | DO-201AA, DO-27, AXIAL | Schottky | DO-2010 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 5 A | 500 µA @ 40 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | ||||||||||||||||
![]() | Mm3z62vb | 0.0200 | ![]() | 3951 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | MM3Z62 | 200 MW | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 Ma | 45 na @ 43.4 V | 62 V | 202 ohmios | |||||||||||||||
![]() | GBPC1202 | 3.1600 | ![]() | 248 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Cuadrado, GBPC | Estándar | GBPC | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 95 | 1.1 v @ 6 a | 5 µA @ 200 V | 12 A | Fase única | 200 V | ||||||||||||||||
![]() | 1N5244B | 0.0300 | ![]() | 70 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 900 MV @ 200 Ma | 100 na @ 11 V | 14 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | BZX79C4V3 | 0.0200 | ![]() | 167 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 90 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | 1N4756A | 0.0300 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 20 ° C | A Través del Aguetero | Axial | 1 W | Axial | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 35.8 V | 47 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | BZX79C7V5-T50A | 0.0300 | ![]() | 80 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 1 µA @ 5 V | 7.5 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | RS1MFP | 1.0000 | ![]() | 4998 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SOD-123H | Rs1m | Estándar | Sod-123he | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.3 V @ 1.2 A | 300 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.2a | 18pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | MB8S | 0.1200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-269AA, 4-besop | Estándar | To-269AA Minidil Delgada | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.526 | 1 V @ 400 Ma | 5 µA @ 800 V | 500 mA | Fase única | 800 V | ||||||||||||||||
![]() | FDH400TR | 0.0300 | ![]() | 163 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 9,779 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 150 V | 1.1 V @ 300 Ma | 50 ns | 100 na @ 150 V | 175 ° C (Máximo) | 200 MMA | 2pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | Mmbd1405a | 0.0700 | ![]() | 58 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Estándar | Sot-23-3 | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 4.594 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Ánodo Común | 175 V | 200 MMA | 1.1 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 175 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||
![]() | GBPC1201 | 1.0000 | ![]() | 9896 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Cuadrado, GBPC | Estándar | GBPC | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 v @ 6 a | 5 µA @ 100 V | 12 A | Fase única | 100 V | |||||||||||||||||
![]() | ES3C | - | ![]() | 9992 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | SMC (DO-214AB) | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 900 MV @ 3 A | 20 ns | 5 µA @ 150 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||
![]() | 1N4741ATR | 0.0300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,053 | 5 µA @ 8.4 V | 11 V | 8 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | Ss34 | 1.0000 | ![]() | 4445 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Ss34 | Schottky | SMC (DO-214AB) | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 500 MV @ 3 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||
![]() | GBPC3510 | 1.0000 | ![]() | 2676 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, GBPC | GBPC35 | Estándar | GBPC | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 1 V | 35 A | Fase única | 1 kV | |||||||||||||||
![]() | S2G | - | ![]() | 1975 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Estándar | SMB (DO-214AA) | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.15 v @ 2 a | 1.5 µs | 5 µA @ 1.7 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 2a | - | ||||||||||||||
![]() | SB340 | 0.2000 | ![]() | 2266 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | DO-201AA, DO-27, AXIAL | Schottky | DO-2010 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 801 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 490 MV @ 3 A | 500 µA @ 40 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||
![]() | ISL9R1560PF2 | - | ![]() | 1367 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | ISL9R1560 | Estándar | TO20F-2L | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.2 v @ 15 a | 40 ns | 100 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 15A | - | |||||||||||||
![]() | MB10S | 0.2200 | ![]() | 317 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-269AA, 4-besop | Estándar | To-269AA Minidil Delgada | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.347 | 1 V @ 400 Ma | 5 µA @ 1 V | 500 mA | Fase única | 1 kV |
Volumen de RFQ promedio diario
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