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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4738A.ta | 0.0400 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 8.2 V | 4.5 ohmios | |||||||||||||||
![]() | 1N5251BTR | 0.0300 | ![]() | 274 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 17 V | 22 V | 29 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | RRG3060-F085 | - | ![]() | 5121 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | Estándar | To-247-2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.1 V @ 30 A | 45 ns | 250 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 30A | - | |||||||||||||||
![]() | BZX84C5V6 | - | ![]() | 6163 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23-3 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BZX84C5V6-600039 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 2 V | 5.6 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | BZX85C15TR5K | - | ![]() | 4286 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | DO-204Al (DO-41) | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BZX85C15TR5K-600039 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 10.5 V | 15 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | Mmbz5233b | - | ![]() | 2732 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 225 MW | Sot-23-3 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-MMBZ5233B-600039 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 3.5 V | 6 V | 7 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | BZX85C18-T50A | - | ![]() | 2203 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | DO-204Al (DO-41) | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BZX85C18-T50A-600039 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 12.5 V | 17.95 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | FFSH2065A | - | ![]() | 9891 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | To-247-2 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-FFSH2065A-600039 | 1 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.75 V @ 20 A | 0 ns | 200 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 25A | 1085pf @ 1V, 100kHz | ||||||||||||||
![]() | 1N483B | 6.0900 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N483 | Estándar | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 54 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 80 V | 1 V @ 100 Ma | 25 na @ 60 V | 175 ° C (Máximo) | 200 MMA | - | ||||||||||||
![]() | EGP30D | 0.2900 | ![]() | 5901 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 14 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 3 A | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 95pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | FDH300_Q | 1.2400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Rs1bfa | 0.0900 | ![]() | 8226 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SOD-123W | Estándar | SOD-123FA | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,470 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 800 Ma | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 10pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | 1N5231B | 0.0300 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | - | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 5 µA @ 2 V | 5.1 V | 17 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | EGF1A | 0.1900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-EGF1A-600039 | 1.735 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | Rurd620ccs9a | - | ![]() | 9473 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Estándar | TO-252, (D-Pak) | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 6A | 1 v @ 6 a | 30 ns | 100 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||
![]() | MDB10SS | 0.1000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Estándar | 4 Microdip/SMD | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 1 V | 1 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||||||
![]() | 1N758A | 1.9300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 156 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 1 V | 10 V | 17 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | FFSP20120A | - | ![]() | 7277 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO20AC | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.75 V @ 20 A | 0 ns | 200 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 20A | 1220pf @ 1V, 100kHz | |||||||||||||||
![]() | Mmbd1403a | 0.0400 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Estándar | Sot-23-3 | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 7.397 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | Conexión de la Serie de 1 par | 175 V | 200 MMA | 1 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 175 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||
![]() | S100 | 0.2300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | 0000.00.0000 | 1.311 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 850 MV @ 1 A | 200 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||
![]() | GBPC1208W | 2.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, GBPC-W | Estándar | GBPC-W | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 v @ 6 a | 5 µA @ 800 V | 12 A | Fase única | 800 V | |||||||||||||||||
![]() | Ffp15u20dntu | 0.3300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Estándar | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 15A | 1.2 V @ 15 A | 40 ns | 15 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||
![]() | BAT54 | - | ![]() | 2679 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT54 | Schottky | Sot-23-3 | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-bat54-600039 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 800 MV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 200 MMA | 10pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||
MMSZ5240B | - | ![]() | 2359 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ52 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 8 V | 10 V | 10 ohmios | ||||||||||||||
![]() | KBL06 | - | ![]() | 7657 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBL | Estándar | KBL | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1 v @ 4 a | 5 µA @ 600 V | 4 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||||||
MMSZ5231B | - | ![]() | 2666 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ5231B | 500 MW | SOD-123 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 V | 17 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BZX85C8V2 | 0.0300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 5 V | 8.2 V | 5 ohmios | ||||||||||||||
![]() | MMBZ5230B | 0.0200 | ![]() | 84 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ52 | 350 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 2 V | 4.7 V | 19 ohmios | |||||||||||||
![]() | EGP10G | 0.1300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,277 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.25 v @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||
![]() | FFB20UP20STM | 1.0000 | ![]() | 4609 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Estándar | D2PAK (TO-263) | descascar | 0000.00.0000 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.15 V @ 20 A | 45 ns | 100 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 20A | - |
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