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Diodos (1290)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Ffpf06f150stu	1.0000	RFQ	6048	Semiconductor de fairchild	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To20-2 paqueto entero		Estándar		TO20F-2L	-	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1500 V		1.6 v @ 6 a	170 ns	7 µA @ 1500 V	-65 ° C ~ 150 ° C	6A	-
FLZ4V7A	1.0000	RFQ	4660	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 3%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Sod-80	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		190 na @ 1 V						4.6 V	21 ohmios
MMBD1501	0.0700	RFQ	6003	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		Estándar		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.10.0070	2,960	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		200 V		1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 180 V	150 ° C (Máximo)	200 MMA	4PF @ 0V, 1MHz
FLZ22VC	0.0200	RFQ	47	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 3%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Sod-80	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.10.0050	2.500					1.2 v @ 200 ma		133 na @ 17 V						21.7 V	25.6 ohmios
1N6005B	1.8400	RFQ	9	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.10.0050	163					1.2 v @ 200 ma		100 na @ 12 V						16 V	36 ohmios
BZX55C13	0.0500	RFQ	19	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 6%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.10.0050	1,000					1.3 V @ 100 Ma		100 na @ 10 V						13 V	26 ohmios
FFP30UP20DNTU	1.0000	RFQ	3927	Semiconductor de fairchild	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3		Estándar		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	15A	1.15 v @ 15 a	45 ns	100 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C
KBU4K	1.0000	RFQ	8500	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, KBU		Estándar		Kbu	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.10.0080	200					1 v @ 4 a		5 µA @ 50 V		4 A		Fase única	800 V
Ffpf05u60dntu	0.2800	RFQ	1	Semiconductor de fairchild	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero		Estándar		Un 220F-3	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	600 V	5A	2.3 V @ 5 A	80 ns	2.5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C
1N5407	-	RFQ	4168	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto			A Través del Aguetero	DO-201AA, DO-27, AXIAL		Estándar		Axial	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.10.0080	500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1 v @ 3 a		10 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 170 ° C	3A	-
1N3070	6.2400	RFQ	4	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		Estándar		DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	EAR99	8541.10.0070	49	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1 V @ 100 Ma	50 ns	100 na @ 175 V	175 ° C (Máximo)	500mA	5PF @ 0V, 1MHz
1N6012B	1.8400	RFQ	1	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.10.0050	163					1.2 v @ 200 ma		100 na @ 25 V						33 V	88 ohmios
Flz27vb	0.0200	RFQ	56	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 3%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Sod-80	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.10.0050	2.500					1.2 v @ 200 ma		133 na @ 21 V						25.6 V	38 ohmios
MBR3045STG	0.8600	RFQ	1	Semiconductor de fairchild	Switchmode ™	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	MBR3045	Schottky		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	15A	620 MV @ 15 A		200 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 175 ° C
FFPF20U40STU	1.5000	RFQ	272	Semiconductor de fairchild	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To20-2 paqueto entero		Estándar		TO20F-2L	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.4 V @ 20 A	50 ns	50 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C	20A	-
Flz39vc	1.0000	RFQ	3777	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 3%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Sod-80	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.10.0050	2.500					1.2 v @ 200 ma		133 na @ 30 V						36.9 V	72 ohmios
FLZ2V4B	0.0200	RFQ	25	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 4%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Sod-80	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.10.0050	2.500					1.2 v @ 200 ma		84 µA @ 1 V						2.5 V	35 ohmios
FLZ30VC	0.0200	RFQ	4458	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 3%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Sod-80	descascar	ROHS3 Cumplante	EAR99	8541.10.0050	4,045					1.2 v @ 200 ma		133 na @ 23 V						29.1 V	46 ohmios
Baw74	0.0400	RFQ	101	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	Baw74	Estándar		Sot-23-3	descascar		EAR99	8541.10.0070	7,612	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	1 par Ánodo Común	50 V	200 MMA	1 V @ 100 Ma	4 ns	100 µA @ 50 V	150 ° C (Máximo)
1N5222B	0.0200	RFQ	94	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar		EAR99	8541.10.0050	15,000					1.2 v @ 200 ma		100 µA @ 1 V						2.5 V	30 ohmios
Mm3z5v6c	0.0300	RFQ	90	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F			200 MW	Sod-323f	descascar		EAR99	8541.10.0050	11,539					1 V @ 10 Ma		900 na @ 2 V						5.6 V	37 ohmios
SB160	0.0900	RFQ	128	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial		Schottky		Do15/do204ac	descascar		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		700 MV @ 1 A		500 µA @ 60 V	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	-
Bav19tr	0.0300	RFQ	30	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		Estándar		DO-35 (DO-204AH)	descascar		EAR99	8541.10.0070	9,779	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		120 V		1.25 V @ 200 Ma	50 ns	100 na @ 100 V	175 ° C (Máximo)	200 MMA	5PF @ 0V, 1MHz
Mmbd4148ca	-	RFQ	5189	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		Estándar		Sot-23-3	descascar		EAR99	8541.10.0070	620	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	1 par Ánodo Común	100 V	200 MMA	1 V @ 10 Ma	4 ns	5 µA @ 75 V	-55 ° C ~ 150 ° C
Gbu4m	0.7200	RFQ	27	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-ESIP, GBU		Estándar		Gbu	descascar		EAR99	8541.10.0080	414					1 v @ 4 a		5 µA @ 1 V		2.8 A		Fase única	1 kV
EGP30F	0.2600	RFQ	2	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial		Estándar		Do-201ad	descascar		EAR99	8541.10.0080	1.156	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		300 V		1.25 v @ 3 a	50 ns	5 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	75pf @ 4V, 1 MHz
EGP30B	0.3000	RFQ	2	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial		Estándar		Do-201ad	descascar		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		950 MV @ 3 A	50 ns	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	95pf @ 4V, 1 MHz
EGP10D	0.1300	RFQ	84	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial		Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar		EAR99	8541.10.0080	2,342	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		950 MV @ 1 A	50 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	-
EGP10C	0.1300	RFQ	25	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial		Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar		EAR99	8541.10.0080	2.576	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		950 MV @ 1 A	50 ns	5 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	-
SS35	1.0000	RFQ	7093	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC		Schottky		SMC (DO-214AB)	descascar		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		750 MV @ 3 A		500 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (1290)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²