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Diodos (1290)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
FFB10UP20STM	0.8600	RFQ	1	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Estándar		D2PAK (TO-263)	descascar				EAR99	8542.39.0001	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.15 V @ 10 A	45 ns	100 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	-
1N5233B	0.0300	RFQ	27	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%		A Través del Aguetero				500 MW	-	descascar				EAR99	8541.10.0050	11,539							5 µA @ 3.5 V						6 V	7 ohmios
ISL9R18120G2	1.0000	RFQ	2861	Semiconductor de fairchild	Stealth ™	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	To-247-2		Estándar		To-247-2	descascar				EAR99	8542.39.0001	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1200 V		3.3 V @ 18 A	70 ns	100 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	18A	-
MM3Z20VC	0.0300	RFQ	55	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F			200 MW	Sod-323f	descascar				EAR99	8541.10.0050	11,539					1 V @ 10 Ma		45 na @ 14 V						20 V	51 ohmios
EGP20K	0.2500	RFQ	6	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial		Estándar		Do-15	descascar				EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.7 v @ 2 a	75 ns	5 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	45pf @ 4V, 1MHz
1N457TR	0.0400	RFQ	30	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		Estándar		DO-35 (DO-204AH)	descascar				EAR99	8541.10.0070	8,172	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		70 V		1 V @ 20 Ma		25 na @ 60 V	175 ° C (Máximo)	200 MMA	8pf @ 0v, 1 MHz
1N4738A	0.0300	RFQ	19	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	descascar				EAR99	8541.10.0050	9,616					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 6 V						8.2 V	4.5 ohmios
MM3Z6V2C	0.0300	RFQ	10	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F			200 MW	Sod-323f	descascar				EAR99	8541.10.0050	1					1 V @ 10 Ma		2.7 µA @ 4 V						6.2 V	9 ohmios
1N4742ATR	1.0000	RFQ	9155	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar				EAR99	8541.10.0050	1							5 µA @ 9.1 V						12 V	9 ohmios
Rs1dfa	0.0700	RFQ	9184	Semiconductor de fairchild	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SOD-123W	RS1D	Estándar		SOD-123FA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	658	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.3 V @ 800 Ma	150 ns	5 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	800mA	10pf @ 4V, 1 MHz
EGP10D	0.1300	RFQ	84	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial		Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar				EAR99	8541.10.0080	2,342	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		950 MV @ 1 A	50 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	-
EGP10C	0.1300	RFQ	25	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial		Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar				EAR99	8541.10.0080	2.576	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		950 MV @ 1 A	50 ns	5 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	-
EGP30C	0.2700	RFQ	5	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial		Estándar		Do-201ad	descascar				EAR99	8541.10.0080	1.212	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		950 MV @ 3 A	50 ns	5 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	95pf @ 4V, 1 MHz
Gf1m	-	RFQ	2560	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	GF1	Estándar		SMA (DO-214AC)	descascar				EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.2 v @ 1 a	2 µs	5 µA @ 1 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
BAS40SL	-	RFQ	2475	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Sod-923	BAS40	Schottky		Sod-923f	descascar				EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		40 V		1 V @ 40 Ma	8 ns	200 na @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C	100mA	5PF @ 0V, 1MHz
1N459ATR	0.0300	RFQ	15	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		Estándar		DO-35 (DO-204AH)	descascar				EAR99	8541.10.0070	11,539	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1 V @ 100 Ma		25 na @ 175 V	175 ° C (Máximo)	500mA	6pf @ 0v, 1 MHz
S1J	1.0000	RFQ	8096	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA		Estándar		DO-214AC, SMA	descascar				EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.1 v @ 1 a	1.5 µs	5 µA @ 600 V	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	-
RGP10D	0.0600	RFQ	33	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial		Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar				EAR99	8541.10.0080	4.915	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
1N4732ATR	0.0300	RFQ	2226	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar				EAR99	8541.10.0050	8,960							10 µA @ 1 V						4.7 V	8 ohmios
1N4739A	0.0300	RFQ	101	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 20 ° C	A Través del Aguetero	Axial			1 W	Axial	descascar				EAR99	8541.10.0050	9,779							10 µA @ 7 V						9.1 V	5 ohmios
ES2C	-	RFQ	4914	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB		Estándar		SMB (DO-214AA)	descascar				EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		900 MV @ 2 A	20 ns	5 µA @ 150 V	-50 ° C ~ 150 ° C	2A	-
MM3Z3V6C	0.0300	RFQ	128	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F			200 MW	Sod-323f	descascar				EAR99	8541.10.0050	11,539					1 V @ 10 Ma		4.5 µA @ 1 V						3.6 V	84 ohmios
Mm3z6v8c	0.0300	RFQ	126	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F			200 MW	Sod-323f	descascar				EAR99	8541.10.0050	8,663					1 V @ 10 Ma		1.8 µA @ 4 V						6.8 V	14 ohmios
MM3Z4V7C	0.0300	RFQ	25	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F			200 MW	Sod-323f	descascar				EAR99	8541.10.0050	11,539					1 V @ 10 Ma		2.7 µA @ 2 V						4.7 V	75 ohmios
MM3Z3V0B	0.0200	RFQ	5780	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F			200 MW	Sod-323f	descascar				EAR99	8541.10.0050	1					1 V @ 10 Ma		9 µA @ 1 V						3 V	89 ohmios
MBR750	0.6600	RFQ	1	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2		Schottky		TO20AC	descascar				EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		750 MV @ 7.5 A		500 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	7.5a	400pf @ 4V, 1 MHz
FDLL400	0.0400	RFQ	71	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80		Estándar		Sod-80	descascar				EAR99	8542.39.0001	7,493	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		150 V		1.1 V @ 300 Ma	50 ns	100 na @ 150 V	175 ° C (Máximo)	200 MMA	2pf @ 0V, 1 MHz
RHRG75120	-	RFQ	3744	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	To-247-2		Estándar		To-247-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1200 V		3.2 V @ 75 A	100 ns	250 µA @ 1200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	75a	-
MBR1560CT	1.0000	RFQ	5560	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3		Schottky		Un 220-3	descascar				EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	15A	900 MV @ 15 A		1 ma @ 60 V	-65 ° C ~ 150 ° C
GBPC1506	-	RFQ	3822	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Cuadrado, GBPC	GBPC15	Estándar		GBPC	descascar				EAR99	8541.10.0080	1					1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 600 V		15 A		Fase única	600 V

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
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Diodos (1290)

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30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²