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Diodos (1290)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
1N457TR	0.0400	RFQ	30	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		Estándar		DO-35 (DO-204AH)	descascar				EAR99	8541.10.0070	8,172	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		70 V		1 V @ 20 Ma		25 na @ 60 V	175 ° C (Máximo)	200 MMA	8pf @ 0v, 1 MHz
1N4738A	0.0300	RFQ	19	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	descascar				EAR99	8541.10.0050	9,616					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 6 V						8.2 V	4.5 ohmios
MM3Z6V2C	0.0300	RFQ	10	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F			200 MW	Sod-323f	descascar				EAR99	8541.10.0050	1					1 V @ 10 Ma		2.7 µA @ 4 V						6.2 V	9 ohmios
1N4742ATR	1.0000	RFQ	9155	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar				EAR99	8541.10.0050	1							5 µA @ 9.1 V						12 V	9 ohmios
1N4737ATR	0.0300	RFQ	12	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4737		1 W	Do-41	descascar				EAR99	8541.10.0050	1							10 µA @ 5 V						7.5 V	4 ohmios
Rs1dfa	0.0700	RFQ	9184	Semiconductor de fairchild	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SOD-123W	RS1D	Estándar		SOD-123FA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	658	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.3 V @ 800 Ma	150 ns	5 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	800mA	10pf @ 4V, 1 MHz
EGP30C	0.2700	RFQ	5	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial		Estándar		Do-201ad	descascar				EAR99	8541.10.0080	1.212	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		950 MV @ 3 A	50 ns	5 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	95pf @ 4V, 1 MHz
1N4447TR	0.0200	RFQ	28	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		Estándar		DO-35 (DO-204AH)	descascar				EAR99	8541.10.0070	15,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V					175 ° C (Máximo)	-	-
Gbu4j	0.8400	RFQ	360	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-ESIP, GBU		Estándar		Gbu	descascar				EAR99	8541.10.0080	1					1 v @ 4 a		5 µA @ 600 V		2.8 A		Fase única	600 V
Gf1m	-	RFQ	2560	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	GF1	Estándar		SMA (DO-214AC)	descascar				EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.2 v @ 1 a	2 µs	5 µA @ 1 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
1N459ATR	0.0300	RFQ	15	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		Estándar		DO-35 (DO-204AH)	descascar				EAR99	8541.10.0070	11,539	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1 V @ 100 Ma		25 na @ 175 V	175 ° C (Máximo)	500mA	6pf @ 0v, 1 MHz
1N4732ATR	0.0300	RFQ	2226	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar				EAR99	8541.10.0050	8,960							10 µA @ 1 V						4.7 V	8 ohmios
BAS40SL	-	RFQ	2475	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Sod-923	BAS40	Schottky		Sod-923f	descascar				EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		40 V		1 V @ 40 Ma	8 ns	200 na @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C	100mA	5PF @ 0V, 1MHz
1N5252BTR	0.0200	RFQ	7944	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar				EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		100 na @ 18 V						24 V	33 ohmios
1N4739A	0.0300	RFQ	101	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 20 ° C	A Través del Aguetero	Axial			1 W	Axial	descascar				EAR99	8541.10.0050	9,779							10 µA @ 7 V						9.1 V	5 ohmios
ES2C	-	RFQ	4914	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB		Estándar		SMB (DO-214AA)	descascar				EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		900 MV @ 2 A	20 ns	5 µA @ 150 V	-50 ° C ~ 150 ° C	2A	-
DF02S	1.0000	RFQ	7019	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota		Estándar		DF-S	descascar				EAR99	8541.10.0080	1					1.1 V @ 1.5 A		10 µA @ 200 V		1 A		Fase única	200 V
1N4738A-T50R	0.0500	RFQ	15	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar				EAR99	8541.10.0050	1							10 µA @ 6 V						8.2 V	4.5 ohmios
S2K	-	RFQ	4949	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB		Estándar		SMB (DO-214AA)	descascar				EAR99	8541.10.0080	2,185	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.15 v @ 2 a	1.5 µs	5 µA @ 800 V	-50 ° C ~ 150 ° C	2A	-
RB521S30T5G	-	RFQ	3609	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SC-79, SOD-523		Schottky		Sod-523	descascar				EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		30 V		500 MV @ 200 Ma		30 µA @ 10 V	-55 ° C ~ 125 ° C	200 MMA	-
BZX79C5V6-T50A	0.0200	RFQ	45	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar				EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 100 Ma		1 µA @ 2 V						5.6 V	40 ohmios
GBPC1504	2.5800	RFQ	150	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Cuadrado, GBPC		Estándar		GBPC	descascar				EAR99	8541.10.0080	150					1.1 V @ 7.5 A		10 µA @ 400 V		15 A		Fase única	400 V
Gbu6g	0.7000	RFQ	532	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-ESIP, GBU		Estándar		Gbu	descascar				EAR99	8541.10.0080	1					1 v @ 6 a		5 µA @ 400 V		4.2 A		Fase única	400 V
GBU8K	-	RFQ	1472	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-ESIP, GBU		Estándar		Gbu	descascar				EAR99	8541.10.0080	1					1 v @ 8 a		5 µA @ 800 V		5.6 A		Fase única	800 V
1N4728ATR	0.0300	RFQ	135	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar				EAR99	8541.10.0050	11,053							100 µA @ 1 V						3.3 V	10 ohmios
BZX79C5V6	0.0300	RFQ	70	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	descascar				EAR99	8541.10.0050	11,539					1.5 V @ 100 Ma		1 µA @ 2 V						5.6 V	40 ohmios
1N4757A	0.0300	RFQ	44	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	descascar				EAR99	8541.10.0050	9,879					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 38.8 V						51 V	95 ohmios
Mm3z12vb	0.0300	RFQ	15	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F			200 MW	Sod-323f	descascar				EAR99	8541.10.0050	10,017					1 V @ 10 Ma		900 na @ 8 V						12 V	23 ohmios
1N4732A	0.0300	RFQ	101	Semiconductor de fairchild	*	Una granela	Activo									descascar				EAR99	8541.10.0050	9,779
MBR20100CTTU	-	RFQ	2674	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3		Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	10A	800 MV @ 10 A		200 µA @ 100 V	150 ° C (Máximo)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
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Diodos (1290)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²