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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5985B | 2.0000 | ![]() | 53 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 v @ 200 ma | 100 µA @ 1 V | 2.4 V | 100 ohmios | |||||||||||||||
![]() | Rurd4120s9a | 0.5700 | ![]() | 5574 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Estándar | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 2.1 v @ 4 a | 90 ns | 100 µA @ 1200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 4A | - | |||||||||||||
![]() | BZX55C3V0 | 0.0200 | ![]() | 4234 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 7% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,295 | 1.3 V @ 100 Ma | 4 µA @ 1 V | 3 V | 85 ohmios | |||||||||||||||
![]() | Kbu6k | - | ![]() | 4104 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBU | Estándar | Kbu | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 v @ 6 a | 10 µA @ 800 V | 6 A | Fase única | 800 V | |||||||||||||||
![]() | Flz16vc | 0.0200 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1.2 v @ 200 ma | 133 na @ 12 V | 16.1 V | 15.2 ohmios | |||||||||||||||
![]() | Kbu6g | - | ![]() | 7582 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBU | Estándar | Kbu | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 v @ 6 a | 10 µA @ 50 V | 6 A | Fase única | 400 V | |||||||||||||||
![]() | 1N4933GP | 0.1900 | ![]() | 44 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 25,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.2 v @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 12PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | 1N961BTR | 0.0200 | ![]() | 72 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 10 µA @ 7.6 V | 10 V | 8.5 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | Ffpf06u40dntu | 1.0000 | ![]() | 8480 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Estándar | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 400 V | 6A | 1.4 v @ 6 a | 50 ns | 20 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||
![]() | 1N746ATR | 0.0200 | ![]() | 48 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 µA @ 1 V | 3.3 V | 28 ohmios | |||||||||||||||
![]() | ISL9K860P3 | - | ![]() | 8630 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Stealth ™ | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Estándar | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 8A | 2.4 v @ 8 a | 30 ns | 100 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||
![]() | BZX55C11 | 0.0500 | ![]() | 9821 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.3 V @ 100 Ma | 100 na @ 8.5 V | 11 V | 20 ohmios | |||||||||||||||
![]() | 1N749A | 2.0800 | ![]() | 101 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 156 | 1.5 V @ 200 Ma | 2 µA @ 1 V | 4.3 V | 22 ohmios | |||||||||||||||
![]() | FLZ6V2B | 0.0200 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.2 v @ 200 ma | 3.3 µA @ 3 V | 6.1 V | 8.5 ohmios | |||||||||||||||
![]() | FLZ2V2B | 0.0200 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 4% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.2 v @ 200 ma | 55 µA @ 700 MV | 2.3 V | 35 ohmios | |||||||||||||||
![]() | FFP20UP20DNTU | 0.4200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Estándar | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 10A | 1.15 V @ 10 A | 45 ns | 100 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||
![]() | Fep16ft | 0.5500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Estándar | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 300 V | 16A | 1.3 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||
![]() | BZX55C5V6 | 0.0400 | ![]() | 149 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 7% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.3 V @ 100 Ma | 100 na @ 1 V | 5.6 V | 25 ohmios | |||||||||||||||
![]() | Ffpf20up20stu | 0.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Estándar | TO20F-2L | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.15 V @ 20 A | 45 ns | 100 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | |||||||||||||
![]() | 1N759A | 1.9300 | ![]() | 91 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 156 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 1 V | 12 V | 30 ohmios | |||||||||||||||
![]() | Ffpf10u60stu | 0.2700 | ![]() | 174 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Estándar | TO20F-2L | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.110 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.2 v @ 10 a | 90 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||||
![]() | 1N4148_NL | 0.0200 | ![]() | 136 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4148 | Estándar | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 100 V | 1 V @ 10 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | 4PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||
![]() | 1N4746A_NL | 0.0400 | ![]() | 5615 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 5 µA @ 13.7 V | 18 V | 20 ohmios | ||||||||||||||
![]() | Ffpf10u20dntu | 0.2500 | ![]() | 55 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Estándar | Un 220F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 10A | 1.2 v @ 10 a | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | RURG1520CC_NL | - | ![]() | 5962 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Avalancha | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 15A | 1.05 v @ 15 a | 35 ns | 100 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
![]() | 1N958 | 0.0200 | ![]() | 6848 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 20% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 75 µA @ 4.8 V | 7.5 V | 5.5 ohmios | ||||||||||||||
![]() | FDH333_NL | 0.2700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 125 V | 1.05 v @ 200 ma | 3 na @ 125 V | 175 ° C (Máximo) | 200 MMA | 6pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | Rurp820cc | 0.5200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Avalancha | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 8A | 975 MV @ 8 A | 13 ns | 100 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
![]() | Rurp860_nl | - | ![]() | 2564 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Estándar | Un 220-2 | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.5 V @ 8 A | 70 ns | 100 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 8A | - | |||||||||||
![]() | Ffpf06u20stu | 0.2200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Estándar | TO20F-2L | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.2 v @ 6 a | 35 ns | 6 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 6A | - |
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