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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4745ATR | 0.0300 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4745 | 1 W | Do-41 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,193 | 5 µA @ 12.2 V | 16 V | 16 ohmios | |||||||||||||||
![]() | 1N4753A-T50A | 0.0300 | ![]() | 69 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 9,366 | 5 µA @ 27.4 V | 36 V | 50 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | BZX79C15 | 0.0300 | ![]() | 274 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1.5 V @ 100 Ma | 50 na @ 10.5 V | 15 V | 30 ohmios | |||||||||||||||
![]() | Bav99wt1g | 1.0000 | ![]() | 3243 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BAV99 | Estándar | SC-70-3 (SOT323) | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 100 V | 215MA (DC) | 1.25 V @ 150 Ma | 6 ns | 2.5 µA @ 70 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | 1N5231BTR | - | ![]() | 1610 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 V | 17 ohmios | |||||||||||||||
![]() | 1N5234BTR | 0.0200 | ![]() | 470 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 4 V | 6.2 V | 7 ohmios | |||||||||||||||
![]() | FFD08S60S-F085 | - | ![]() | 2501 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotive, AEC-Q101, Stealth ™ II | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Estándar | TO-252, (D-Pak) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.6 v @ 8 a | 30 ns | 100 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | |||||||||||||
![]() | ISL9R860PF2 | - | ![]() | 2419 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Stealth ™ | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Estándar | TO20F-2L | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.4 v @ 8 a | 30 ns | 100 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | |||||||||||||
![]() | Fdll914b | 0.0300 | ![]() | 120 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Estándar | Sod-80 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 11,539 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 100 V | 1 V @ 5 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 175 ° C (Máximo) | 200 MMA | 4PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | BZX79C3V6-T50A | 0.0200 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1.5 V @ 100 Ma | 15 µA @ 1 V | 3.6 V | 90 ohmios | |||||||||||||||
![]() | SS13 | 0.1200 | ![]() | 416 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,435 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 500 MV @ 1 A | 200 µA @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | ||||||||||||||
![]() | RGP10B | 0.0700 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.991 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | S310 | 0.3400 | ![]() | 378 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Schottky | SMC (DO-214AB) | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 948 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 850 MV @ 3 A | 500 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||
![]() | SB5100 | 0.5600 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | DO-201AA, DO-27, AXIAL | Schottky | DO-2010 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 790 MV @ 5 A | 500 µA @ 100 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | ||||||||||||||
![]() | UF4007 | 1.0000 | ![]() | 6139 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | UF400 | Estándar | Do-41 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 1000 V | -50 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||||
![]() | US2DA | 0.1100 | ![]() | 9688 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.984 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1 V @ 1.5 A | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | UF4005 | 0.0900 | ![]() | 80 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | UF400 | Estándar | Do-41 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,386 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 600 V | -50 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||||
![]() | BZX84C6V2 | - | ![]() | 1299 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23-3 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BZX84C6V2-600039 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 4 V | 6.2 V | 6 ohmios | ||||||||||||||
![]() | 1N5257B | - | ![]() | 7381 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-1N5257B-600039 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 25 V | 33 V | 58 ohmios | ||||||||||||||
![]() | MMSD4148-D87Z | - | ![]() | 7730 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | SOD-123 | Estándar | SOD-123 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-MMSD4148-D87Z-600039 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 100 V | 1 V @ 10 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 150 ° C | 200 MMA | 4PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | Mmsz5246et1g | - | ![]() | 3310 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-MMSZ5246ET1G-600039 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 12 V | 16 V | 17 ohmios | ||||||||||||||
![]() | 1N4744A-T50A | - | ![]() | 6004 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-1N4744A-T50A-600039 | 1 | 5 µA @ 11.4 V | 15 V | 14 ohmios | |||||||||||||||
![]() | 1N5259B | - | ![]() | 5042 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-1N5259B-600039 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 30 V | 39 V | 80 ohmios | ||||||||||||||
![]() | ISL9R1560G2-F085 | - | ![]() | 6001 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotive, AEC-Q101, Stealth ™ | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | Estándar | To-247-2 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 116 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.2 v @ 15 a | 40 ns | 100 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | |||||||||||||
MMSZ5244B | - | ![]() | 9892 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ52 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 622 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 10 V | 14 V | 15 ohmios | ||||||||||||
![]() | MBRS340 | - | ![]() | 5928 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Schottky | SMC (DO-214AB) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 525 MV @ 3 A | 2 Ma @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 4A | - | ||||||||||||||
![]() | 1N4446 | 0.0600 | ![]() | 106 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0070 | 179 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 100 V | 1 V @ 20 Ma | 4 ns | 25 na @ 20 V | 175 ° C (Máximo) | 200 MMA | 4PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | 1N756A | 1.9200 | ![]() | 141 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 156 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 1 V | 8.2 V | 8 ohmios | ||||||||||||||
![]() | Fep16cta | 0.6100 | ![]() | 130 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Estándar | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 150 V | 16A | 950 MV @ 8 A | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | BZX55C24 | 0.0600 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.3 V @ 100 Ma | 100 na @ 18 V | 24 V | 80 ohmios |
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