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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Ffpf10ua60st | 1.0000 | ![]() | 8081 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Estándar | TO20F-2L | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.3 V @ 10 A | 120 ns | 100 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||||||
![]() | 1N4728A | 0.0300 | ![]() | 67 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 20 ° C | A Través del Aguetero | Axial | 1 W | Axial | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 9,779 | 100 µA @ 1 V | 3.3 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | Rurp860 | - | ![]() | 7415 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Estándar | Un 220-2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.5 V @ 8 A | 70 ns | 100 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 8A | - | ||||||||||||||
![]() | MBR1660 | 1.0000 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Schottky | TO20AC | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 302 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 750 MV @ 16 A | 1 ma @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 16A | 450pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | Mm3z24vb | 0.0300 | ![]() | 62 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 200 MW | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1 V @ 10 Ma | 45 na @ 16.8 V | 24 V | 65 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | DFB2560 | 1.7700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | Estándar | TS-6P | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 170 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 600 V | 25 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||||||
![]() | BAT42XV2 | - | ![]() | 7273 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | BAT42 | Schottky | Sod-523f | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 1 V @ 200 Ma | 5 ns | 500 na @ 25 V | 125 ° C (Máximo) | 200 MMA | 7pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | BZX79C6V2-T50R | 0.0200 | ![]() | 810 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX79C6 | 500 MW | Do-35 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 3 µA @ 4 V | 6.2 V | 10 ohmios | |||||||||||||||
![]() | Rgf1b | 0.1300 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,392 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8.5pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||
![]() | MMBZ5221B | 0.0200 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 µA @ 1 V | 2.4 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | RURG3060CC-F085 | - | ![]() | 6082 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | To-247 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 30A | 1.5 V @ 30 A | 80 ns | 250 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||
![]() | Mm3z24vc | 0.0300 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 200 MW | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1 V @ 10 Ma | 45 na @ 16.8 V | 24 V | 65 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | Gbu8a | 0.8200 | ![]() | 890 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP, GBU | Estándar | Gbu | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 367 | 1 v @ 8 a | 5 µA @ 50 V | 5.6 A | Fase única | 50 V | ||||||||||||||||
![]() | Mm3z3v3b | 1.0000 | ![]() | 5106 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Mm3z3v3 | 200 MW | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 Ma | 4.5 µA @ 1 V | 3.3 V | 89 ohmios | |||||||||||||||
![]() | 1N5232B | 0.0300 | ![]() | 37 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | 500 MW | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 5 µA @ 3 V | 5.6 V | 11 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRB41H100CT-1G | 1.0800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 279 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF01S1 | 0.1900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Estándar | 4 SDIP | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.700 | 1.1 v @ 1 a | 3 µA @ 100 V | 1 A | Fase única | 100 V | ||||||||||||||||
![]() | 1N914BTR | 0.0300 | ![]() | 186 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | Do-35 | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 11,539 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 100 V | 1 V @ 100 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | 4PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||
![]() | BZX84C5V1 | - | ![]() | 5914 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C5 | 300 MW | SOT23-3 (TO-236) | - | 0000.00.0000 | 1 | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 60 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | MM5Z30V | 1.0000 | ![]() | 2788 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 7% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 200 MW | Sod-523f | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 50 na @ 21 V | 30 V | 80 ohmios | ||||||||||||||
![]() | 1N5247BTR | 0.0200 | ![]() | 4891 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 13 V | 17 V | 19 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | 1N5251B | 0.0300 | ![]() | 163 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 900 MV @ 200 Ma | 100 na @ 17 V | 22 V | 29 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | GBPC1202W | 3.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, GBPC-W | Estándar | GBPC-W | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 90 | 1.1 v @ 6 a | 5 µA @ 200 V | 12 A | Fase única | 200 V | ||||||||||||||||
![]() | 1N4148-T50A | 0.0300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4148 | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 11,539 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 100 V | 1 V @ 10 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 175 ° C (Máximo) | 200 MMA | 4PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | BZX85C13 | 0.0300 | ![]() | 89 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,230 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 9.1 V | 13 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | BZX79C10 | 0.0300 | ![]() | 203 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1.5 V @ 100 Ma | 200 na @ 7 V | 10 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | GBPC2504W | - | ![]() | 1994 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, GBPC-W | Estándar | GBPC-W | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 400 V | 25 A | Fase única | 400 V | |||||||||||||||||
![]() | GBPC1510W | 2.8300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 107 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9K3060G3 | 1.6300 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Stealth ™ | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Avalancha | To-247 | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 184 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 30A | 2.4 V @ 30 A | 45 ns | 100 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||
![]() | BAT43XV2 | 0.0300 | ![]() | 2524 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Schottky | Sod-523f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.830 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 1 V @ 200 Ma | 5 ns | 500 na @ 25 V | 125 ° C | 200 MMA | 7pf @ 1v, 1 MHz |
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