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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Ss33 | 0.2200 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Schottky | SMC (DO-214AB) | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.350 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 500 MV @ 3 A | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||
![]() | MBR1660 | 1.0000 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Schottky | TO20AC | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 302 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 750 MV @ 16 A | 1 ma @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 16A | 450pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | Mm3z43vc | - | ![]() | 7538 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 200 MW | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 Ma | 45 na @ 30.1 V | 43 V | 141 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | MBRP3010NTU | 0.8300 | ![]() | 782 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Schottky | Un 220-3 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 362 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 30A | 1.05 V @ 30 A | 1 ma @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||
![]() | MM3Z5V1C | 0.0300 | ![]() | 195 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 200 MW | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1 V @ 10 Ma | 1.8 µA @ 2 V | 5.1 V | 56 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | Mm3z39vb | 1.0000 | ![]() | 6928 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 200 MW | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 Ma | 45 na @ 27.3 V | 39 V | 122 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | MBR4035PT | 1.4100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Schottky | Un 3p | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 35 V | 40A | 700 MV @ 20 A | 1 ma @ 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||
![]() | MM3Z3V0C | 0.0200 | ![]() | 9665 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 200 MW | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,889 | 1 V @ 10 Ma | 9 µA @ 1 V | 3 V | 89 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | 1N5400G | - | ![]() | 1476 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | 1N5400 | Estándar | Do-201ad | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 980 MV @ 3 A | 500 na @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | 1N4148WS | - | ![]() | 7476 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 1N4148 | Estándar | Sod-323 | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 4 ns | -55 ° C ~ 150 ° C | 150 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | 1N458A | 2.0000 | ![]() | 292 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,535 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1 V @ 100 Ma | 25 µA @ 125 V | 175 ° C (Máximo) | 500mA | - | |||||||||||||||
![]() | UF4006 | 0.0800 | ![]() | 78 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | UF400 | Estándar | Do-41 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.643 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -50 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||||||
![]() | FFA60UP20DNTU | 1.1600 | ![]() | 450 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Estándar | Un 3pn | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 30A | 1.15 V @ 30 A | 40 ns | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||
![]() | Mm3z62vc | 0.0300 | ![]() | 69 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 200 MW | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 Ma | 45 na @ 43.4 V | 62 V | 202 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | Mur460ffg | 1.0000 | ![]() | 4059 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Switchmode ™ | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | DO-201AA, DO-27, AXIAL | Estándar | Axial | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.28 v @ 4 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 4A | - | ||||||||||||||
![]() | In5258b | - | ![]() | 6015 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | A Través del Aguetero | Axial | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | FDLL3595 | - | ![]() | 1666 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Estándar | Sod-80 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 125 V | 1 V @ 200 Ma | 3 µs | 1 na @ 125 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 200 MMA | 8pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | 1N914BTR | 0.0300 | ![]() | 186 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | Do-35 | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 11,539 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 100 V | 1 V @ 100 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | 4PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||
![]() | BZX84C5V1 | - | ![]() | 5914 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C5 | 300 MW | SOT23-3 (TO-236) | - | 0000.00.0000 | 1 | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 60 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | Mm3z24vc | 0.0300 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 200 MW | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1 V @ 10 Ma | 45 na @ 16.8 V | 24 V | 65 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | Gbu8a | 0.8200 | ![]() | 890 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP, GBU | Estándar | Gbu | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 367 | 1 v @ 8 a | 5 µA @ 50 V | 5.6 A | Fase única | 50 V | ||||||||||||||||
![]() | Mm3z3v3b | 1.0000 | ![]() | 5106 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Mm3z3v3 | 200 MW | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 Ma | 4.5 µA @ 1 V | 3.3 V | 89 ohmios | |||||||||||||||
![]() | RURG3060CC-F085 | - | ![]() | 6082 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | To-247 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 30A | 1.5 V @ 30 A | 80 ns | 250 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||
![]() | 1N5232B | 0.0300 | ![]() | 37 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | 500 MW | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 5 µA @ 3 V | 5.6 V | 11 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRB41H100CT-1G | 1.0800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 279 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF01S1 | 0.1900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Estándar | 4 SDIP | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.700 | 1.1 v @ 1 a | 3 µA @ 100 V | 1 A | Fase única | 100 V | ||||||||||||||||
![]() | MM5Z30V | 1.0000 | ![]() | 2788 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 7% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 200 MW | Sod-523f | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 50 na @ 21 V | 30 V | 80 ohmios | ||||||||||||||
![]() | BZX85C11 | 0.0300 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,095 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 7.7 V | 11 V | 8 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | Mm3z6v2b | 0.0300 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 200 MW | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 Ma | 2.7 µA @ 4 V | 6.2 V | 9 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | 1N5249BTR | 0.0200 | ![]() | 138 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 14 V | 19 V | 23 ohmios |
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