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Diodos (1290)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
1N5226B	0.0300	RFQ	10	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar				EAR99	8541.10.0050	10,486					1.5 V @ 200 Ma		25 µA @ 1 V						3.3 V	28 ohmios
SS28	-	RFQ	9924	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB		Schottky		DO-214AA (SMB)	descascar				EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		80 V		850 MV @ 2 A		400 µA @ 80 V	-65 ° C ~ 125 ° C	2A	-
RRP30120	-	RFQ	9134	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2		Estándar		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1200 V		3.2 V @ 30 A	85 ns	250 µA @ 1200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	30A	-
EGF1D	1.0000	RFQ	9952	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA		Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar				EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1 V @ 1 A	50 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
BZX79C39	0.0200	RFQ	31	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar				EAR99	8541.10.0050	15,000					1.5 V @ 100 Ma		50 na @ 27.3 V						39 V	130 ohmios
DFB2510	1.6400	RFQ	1	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, TS-6P	DFB25	Estándar		TS-6P	descascar				EAR99	8541.10.0080	199					1.1 v @ 25 a		10 µA @ 100 V		25 A		Fase única	100 V
BAT54CWT1G	-	RFQ	7445	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	BAT54	Schottky		SC-70-3 (SOT323)	descascar				EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	1 par Cátodo Común	30 V	200MA (DC)	800 MV @ 100 Ma	5 ns	2 µA @ 25 V	-55 ° C ~ 125 ° C
1N5245BTR	-	RFQ	9370	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar				EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		100 na @ 11 V						15 V	16 ohmios
Df01m	0.2600	RFQ	10	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4 EDIP (0.300 ", 7.62 mm)		Estándar		DFM	descascar				EAR99	8541.10.0080	1.151					1.1 v @ 1 a		10 µA @ 100 V		1 A		Fase única	100 V
FFH60UP40S3	1.0000	RFQ	9759	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-247-3		Estándar		To-247	descascar				EAR99	8542.39.0001	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 60 A	85 ns	100 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C	60A	-
ES1H	0.0900	RFQ	13	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA		Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar				EAR99	8541.10.0080	3.209	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		500 V		1.7 V @ 1 A	35 ns	5 µA @ 500 V	150 ° C (Máximo)	1A	-
1N4752ATR	0.0300	RFQ	9158	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar				EAR99	8541.10.0050	8,208							5 µA @ 25.1 V						33 V	45 ohmios
1N5226BTR	0.0300	RFQ	54	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar				EAR99	8541.10.0050	11,539					1.2 v @ 200 ma		25 µA @ 1 V						3.3 V	28 ohmios
1N4148	-	RFQ	4088	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N414	Estándar		Do-35	descascar				EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		100 V		1 V @ 10 Ma	4 ns	5 µA @ 75 V	-65 ° C ~ 175 ° C	200 MMA	4PF @ 0V, 1MHz
MM3Z8V2C	0.0300	RFQ	27	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F			200 MW	Sod-323f	descascar				EAR99	8541.10.0050	8,586					1 V @ 10 Ma		630 na @ 5 V						8.2 V	14 ohmios
S1D	1.0000	RFQ	8487	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA		Estándar		DO-214AC, SMA	descascar				EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.1 v @ 1 a	1.5 µs	5 µA @ 200 V	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	-
S1g	0.0500	RFQ	186	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA		Estándar		DO-214AC, SMA	descascar				EAR99	8541.10.0080	6.217	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.1 v @ 1 a	1.5 µs	5 µA @ 400 V	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	-
Gf1b	-	RFQ	3807	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA		Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar				EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1 V @ 1 A	2 µs	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
1N5260B	2.0500	RFQ	3	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar				EAR99	8541.10.0050	159					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 33 V						43 V	93 ohmios
Gbu8g	-	RFQ	2664	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-ESIP, GBU		Estándar		Gbu	descascar				EAR99	8541.10.0080	146					1 v @ 8 a		5 µA @ 400 V		5.6 A		Fase única	400 V
DF005S1	0.2100	RFQ	6	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota		Estándar		4 SDIP	descascar				EAR99	8541.10.0080	1					1.1 v @ 1 a		3 µA @ 50 V		1 A		Fase única	50 V
MMSZ5257B	1.0000	RFQ	5408	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ52		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		100 na @ 25 V						5.1 V	41 ohmios
MBR1535CT	1.0000	RFQ	3886	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3		Schottky		Un 220-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	35 V	15A	840 MV @ 15 A		100 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 150 ° C
Bar43c	-	RFQ	6476	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	Bar43	Schottky		SOT-23-3 (TO-236)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	1 par Cátodo Común	30 V	200 MMA	800 MV @ 100 Ma	5 ns	500 na @ 25 V	150 ° C (Máximo)
MMSZ5243B	-	RFQ	9857	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		500 na @ 9.9 V						13 V	13 ohmios
BZX79C20-T50A	0.0200	RFQ	30	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX79C20		500 MW	Do-35	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000					1.5 V @ 100 Ma		50 na @ 14 V						20 V	55 ohmios
BZX84C27	0.0200	RFQ	91	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		250 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		50 na @ 18.9 V						27 V	80 ohmios
BZX79C47	0.0200	RFQ	79	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX79C47		500 MW	Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 100 Ma		50 na @ 32.9 V						47 V	170 ohmios
MMSZ5236B	0.0200	RFQ	134	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 5%	-	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ52		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000					900 MV @ 10 Ma		3 µA @ 6 V						7.5 V	5 ohmios
Mm5z36v	1.0000	RFQ	9820	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	± 6%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523F	MM5Z3		200 MW	Sod-523f	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	8,000							50 na @ 25.2 V						36 V	90 ohmios

2000+
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Unidad de producto estándar
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Diodos (1290)

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