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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2M91Z A0G | - | ![]() | 8051 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 2M91 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 500 na @ 69.2 V | 91 V | 125 ohmios | ||||||||||||
![]() | BZV55B6V8 L0G | 0.0357 | ![]() | 8778 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Bzv55b | 500 MW | Mini Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 100 Ma | 100 na @ 3 V | 6.8 V | 8 ohmios | |||||||||||
TSSA5U50HE3G | 0.2817 | ![]() | 8392 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | TSSA5 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 540 MV @ 5 A | 300 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | |||||||||||
![]() | MTZJ16SA | 0.0305 | ![]() | 5211 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | MTZJ16 | 500 MW | Do-34 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-MTZJ16SATR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 200 na @ 12 V | 15.19 V | 40 ohmios | ||||||||||||
RSFBL MHG | - | ![]() | 9343 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | RSFBL | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 500 Ma | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 500mA | 4PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
Sk36ah | 0.1164 | ![]() | 9421 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Sk36 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 720 MV @ 3 A | 200 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||
![]() | 2m20zh | 0.1667 | ![]() | 9531 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 2M20 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,500 | 500 na @ 15.2 V | 20 V | 11 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1N4749AHA0G | - | ![]() | 1728 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4749 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA @ 18.2 V | 24 V | 25 ohmios | ||||||||||||
![]() | HER157G A0G | - | ![]() | 4187 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | HER157 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1 V @ 1.5 A | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 20pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
Rsfkl r3g | - | ![]() | 6934 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | Rsfkl | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 500 Ma | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 500mA | 4PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | Ss310hr7g | - | ![]() | 9416 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | SS310 | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 850 MV @ 3 A | 100 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | 1N4936G | 0.0577 | ![]() | 4387 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4936 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.2 v @ 1 a | 200 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | SF64GHB0G | - | ![]() | 8516 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | SF64 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 975 MV @ 6 A | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 6A | 100pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | Sft16gha0g | - | ![]() | 2553 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | T-18, axial | SFT16 | Estándar | TS-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
1SMA200Z R3G | 0.7100 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 1SMA200 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1 µA @ 152 V | 200 V | 1500 ohmios | |||||||||||||
ES1HL MTG | - | ![]() | 4085 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | ES1H | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1.7 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 8pf @ 1v, 1 MHz | ||||||||||
HS1BL RFG | - | ![]() | 1258 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | HS1B | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 950 MV @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 20pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | Sr2090pthc0g | - | ![]() | 9375 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SR2090 | Estándar | TO-247AD (TO-3P) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 90 V | 20A | 920 MV @ 10 A | 100 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
1SMA4764HR3G | - | ![]() | 5098 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 1SMA4764 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1 µA @ 76 V | 100 V | 350 ohmios | |||||||||||||
BZD27C7V5PHMHG | - | ![]() | 7471 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.04% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 50 µA @ 3 V | 7.45 V | 2 ohmios | ||||||||||||
![]() | TSF40L200C | 2.6600 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | TSF40 | Schottky | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 20A | 980 MV @ 20 A | 100 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | BZS55C4V3 RXG | 0.0340 | ![]() | 2624 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 1206 (3216 Métrica) | BZS55 | 500 MW | 1206 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 1 µA @ 1 V | 4.3 V | 80 ohmios | |||||||||||
Ss110l mtg | - | ![]() | 9515 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SS110 | Schottky | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 800 MV @ 1 A | 50 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||
![]() | LSR105 L0G | - | ![]() | 5477 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | LSR105 | Schottky | Asignar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 700 MV @ 1 A | 1 ma @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 80pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
Ss22lhrfg | - | ![]() | 1118 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SS22 | Schottky | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 500 MV @ 2 A | 400 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | - | |||||||||||
![]() | MBR10H200CT | 0.5148 | ![]() | 4451 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | MBR10 | Schottky | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 10A | 970 MV @ 10 A | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
Es2jah | 0.1338 | ![]() | 5429 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | ES2J | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 v @ 2 a | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 20pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | HER105G B0G | - | ![]() | 4917 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | HER105 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | Sr204hb0g | - | ![]() | 3147 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | SR204 | Schottky | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 2 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 2a | - | ||||||||||
Es1jlhrtg | - | ![]() | 7175 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | ES1J | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz |
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