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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
RS1AL RQG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1al rqg -
RFQ
 ECAD 8894 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RS1A Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
RSFALHMTG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfalhmtg -
RFQ
 ECAD 1625 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RSFAL Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 500 Ma 150 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
BZD27C12P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C12P RQG -
RFQ
 ECAD 9546 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.39% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 3 µA @ 9.1 V 12.05 V 7 ohmios
SS1H4LS RVG Taiwan Semiconductor Corporation SS1H4LS RVG 0.5200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123H SS1H4 Schottky Sod-123he descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 650 MV @ 1 A 1 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SRAS2060HMNG Taiwan Semiconductor Corporation Sras2060hmng -
RFQ
 ECAD 8021 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Sras2060 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 20 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
SK520C R7 Taiwan Semiconductor Corporation SK520C R7 -
RFQ
 ECAD 1475 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SK520CR7TR EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 5 A 300 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
ES1CLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation Es1clhrvg 0.2565
RFQ
 ECAD 4905 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES1C Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
RSFJL MTG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfjl mtg -
RFQ
 ECAD 3258 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB Rsfjl Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 500 Ma 250 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
SRAF530H Taiwan Semiconductor Corporation SRAF530H -
RFQ
 ECAD 2723 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero Schottky ITO-220AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SRAF530H EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 5 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 5A -
HS1MLWH Taiwan Semiconductor Corporation Hs1mlwh 0.0689
RFQ
 ECAD 1170 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W Estándar SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HS1MLWHTR EAR99 8541.10.0080 20,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 7pf @ 4V, 1 MHz
MBR6060PTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR6060 PTH 2.7251
RFQ
 ECAD 3741 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 MBR6060 Schottky TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBR6060 PTH EAR99 8541.10.0080 900 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 60A 930 MV @ 60 A 1 ma @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
BAT43 A0 Taiwan Semiconductor Corporation BAT43 A0 -
RFQ
 ECAD 4000 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Schottky Do-35 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado BAT43A0 EAR99 8541.10.0070 10,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 1 V @ 200 Ma 5 ns 500 na @ 25 V -65 ° C ~ 125 ° C 200 MMA 7pf @ 1v, 1 MHz
SRA1040 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA1040 C0G -
RFQ
 ECAD 8518 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 SRA1040 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 10 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 10A -
M3Z11VC Taiwan Semiconductor Corporation M3Z11VC 0.0294
RFQ
 ECAD 7397 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F M3Z11 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-M3Z11VCTR EAR99 8541.10.0050 6,000 100 na @ 8 V 11 V 20 ohmios
S4G R7G Taiwan Semiconductor Corporation S4G R7G 0.5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S4g Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.15 v @ 4 a 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 60pf @ 4V, 1MHz
BZT55C3V9 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C3V9 L0G 0.0350
RFQ
 ECAD 6496 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZT55 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 2 µA @ 1 V 3.9 V 85 ohmios
1SMA5933HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5933HR3G -
RFQ
 ECAD 5472 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA5933 1.5 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 500 na @ 16.7 V 22 V 17.5 ohmios
RSFBLH Taiwan Semiconductor Corporation Rsfblh 0.1815
RFQ
 ECAD 6381 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-RSFBLHTR EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 500 Ma 150 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
S2BA R3G Taiwan Semiconductor Corporation S2BA R3G 0.4900
RFQ
 ECAD 350 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA S2B Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.1 V @ 1.5 A 1.5 µs 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 30pf @ 4V, 1 MHz
BZV55B3V9 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B3V9 L0G 0.0357
RFQ
 ECAD 4136 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 Bzv55b 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 100 Ma 2 µA @ 1 V 3.9 V 85 ohmios
RSFBLHMHG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfblhmhg -
RFQ
 ECAD 7105 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RSFBL Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 500 Ma 150 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
FR151GH Taiwan Semiconductor Corporation FR151GH -
RFQ
 ECAD 6821 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial Estándar DO-204AC (DO-15) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-FR151GHTR EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 1.5 A 150 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 20pf @ 4V, 1 MHz
1SMA130Z Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA130Z 0.1229
RFQ
 ECAD 4109 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA130 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1 µA @ 98.8 V 130 V 700 ohmios
MBRF10H90 C0 Taiwan Semiconductor Corporation MBRF10H90 C0 -
RFQ
 ECAD 2251 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela La Última Vez Que Compre MBRF10 - 1801-MBRF10H90C0 1
UGS20JH Taiwan Semiconductor Corporation UGS20JH 2.6400
RFQ
 ECAD 350 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Estándar To-263ab (d²pak) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801 -ugs20jhtr EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2 V @ 20 A 50 ns 1 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A 94.5pf @ 4V, 1MHz
AZ23C47 RFG Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C47 RFG 0.0794
RFQ
 ECAD 2982 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 par Ánodo Común 100 na @ 35 V 47 V 100 ohmios
MUR460 B0G Taiwan Semiconductor Corporation MUR460 B0G -
RFQ
 ECAD 5473 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-201ad, axial Mur460 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.28 v @ 4 a 50 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A 65pf @ 4V, 1 MHz
SRA20100 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA20100 C0G -
RFQ
 ECAD 6112 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 SRA20100 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 920 MV @ 20 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
MBR20150CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR20150CTH 0.6715
RFQ
 ECAD 6399 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR20150 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBR20150CTH EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 20A 1.23 V @ 20 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C36PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c36phrfg -
RFQ
 ECAD 7706 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 27 V 36 V 40 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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