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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
S12JCHM6G Taiwan Semiconductor Corporation S12JCHM6G -
RFQ
 ECAD 1983 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S12J Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 12 a 1 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 12A 78pf @ 4V, 1MHz
S3G R7 Taiwan Semiconductor Corporation S3G R7 -
RFQ
 ECAD 1131 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-S3GR7TR EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.15 v @ 3 a 1.5 µs 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
SFF502G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF502G C0G -
RFQ
 ECAD 5422 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SFF502 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 980 MV @ 2.5 A 35 ns 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 70pf @ 4V, 1MHz
1N4758AH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4758AH 0.1188
RFQ
 ECAD 8305 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4758 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 42.6 V 56 V 110 ohmios
BZD27C160P RUG Taiwan Semiconductor Corporation Alfombra BZD27C160P 0.2888
RFQ
 ECAD 9521 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 120 V 162 V 350 ohmios
S1GLR2G Taiwan Semiconductor Corporation S1GLR2G -
RFQ
 ECAD 2272 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-219AB S1g Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
SK25A R3G Taiwan Semiconductor Corporation SK25A R3G -
RFQ
 ECAD 2342 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA SK25 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 2 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
UF1JH Taiwan Semiconductor Corporation UF1JH 0.1044
RFQ
 ECAD 7986 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial UF1J Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17PF @ 4V, 1MHz
S1DL RQG Taiwan Semiconductor Corporation S1dl rqg -
RFQ
 ECAD 7991 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB S1D Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
SR104 R1G Taiwan Semiconductor Corporation SR104 R1G -
RFQ
 ECAD 9906 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SR104 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 1 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
MBR1050CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1050CT C0G -
RFQ
 ECAD 3852 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR1050 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 10A 900 MV @ 10 A 100 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
DBL157G Taiwan Semiconductor Corporation DBL157G 0.7000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) DBL157 Estándar DBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1.5 A 2 µA @ 1000 V 1.5 A Fase única 1 kV
1SMA110ZHR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA110ZHR3G -
RFQ
 ECAD 3184 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA110 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1 µA @ 83.6 V 110 V 450 ohmios
SRT115HA1G Taiwan Semiconductor Corporation Srt115ha1g -
RFQ
 ECAD 6817 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero T-18, axial Srt115 Schottky TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 900 MV @ 1 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
MBRS25100CTHMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS25100CTHMNG -
RFQ
 ECAD 7799 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS25100 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 25A 920 MV @ 25 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZT52B8V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B8V2 0.0412
RFQ
 ECAD 5192 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F Bzt52b 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52B8V2TR EAR99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 Ma 630 na @ 5 V 8.2 V 15 ohmios
1N914B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N914B A0G 0.0266
RFQ
 ECAD 3817 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N914 Estándar Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 5,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 100 V 720 MV @ 5 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C 150 Ma 4PF @ 0V, 1MHz
SR2030PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr2030pthc0g -
RFQ
 ECAD 5596 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 SR2030 Estándar TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 30 V 20A 550 MV @ 10 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C
S8KC M6G Taiwan Semiconductor Corporation S8KC M6G -
RFQ
 ECAD 8404 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S8KC Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 985 MV @ 8 A 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 48pf @ 4V, 1 MHz
2A07GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2A07GHA0G -
RFQ
 ECAD 6976 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2A07 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1 v @ 2 a 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 15pf @ 4V, 1 MHz
ES1ALHMTG Taiwan Semiconductor Corporation Es1alhmtg -
RFQ
 ECAD 9493 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES1A Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
SS315 M6G Taiwan Semiconductor Corporation SS315 m6g -
RFQ
 ECAD 9412 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC SS315 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 3 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZD27C130P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C130P RTG -
RFQ
 ECAD 9582 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 100 V 132.5 V 300 ohmios
S10MCHR7G Taiwan Semiconductor Corporation S10MCHR7G -
RFQ
 ECAD 8316 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S10M Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 10 a 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 60pf @ 4V, 1MHz
BZV55B12 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B12 L0G 0.0357
RFQ
 ECAD 7973 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 Bzv55b 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 100 Ma 100 na @ 9.1 V 12 V 20 ohmios
MBR1535CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1535CT C0G -
RFQ
 ECAD 6803 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR1535 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 15A 840 MV @ 15 A 500 µA @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N5398G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5398G A0G -
RFQ
 ECAD 3190 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 1N5398 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1 V @ 1.5 A 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 15pf @ 4V, 1 MHz
SFA1007G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFA1007G C0G -
RFQ
 ECAD 2895 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 SFA1007 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.7 V @ 10 A 35 ns 10 µA @ 500 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 50pf @ 4V, 1 MHz
SRF1090HC0G Taiwan Semiconductor Corporation Srf1090hc0g -
RFQ
 ECAD 5824 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SRF1090 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 90 V 10A 900 MV @ 5 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C
HS2BA M2G Taiwan Semiconductor Corporation HS2BA M2G -
RFQ
 ECAD 9445 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA HS2B Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 V @ 1.5 A 50 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 50pf @ 4V, 1 MHz
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