SIC
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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
UF1JH Taiwan Semiconductor Corporation UF1JH 0.1044
RFQ
 ECAD 7986 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial UF1J Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17PF @ 4V, 1MHz
SF2002G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SF2002G C0G -
RFQ
 ECAD 4581 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 SF2002 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 975 MV @ 10 A 35 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A 80pf @ 4V, 1 MHz
SFF502G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF502G C0G -
RFQ
 ECAD 5422 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SFF502 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 980 MV @ 2.5 A 35 ns 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 70pf @ 4V, 1MHz
RS1ALHRHG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1alhrhg -
RFQ
 ECAD 7059 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RS1A Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
TSZL52C7V5-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C7V5-F0 RWG -
RFQ
 ECAD 2681 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 1005 (2512 Métrica) 200 MW 1005 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-TSZL52C7V5-F0RWGTR EAR99 8541.10.0050 4.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 5 V 7.5 V 7 ohmios
TSZL52C12-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C12-F0 RWG -
RFQ
 ECAD 1390 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 1005 (2512 Métrica) 200 MW 1005 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-TSZL52C12-F0RWGTR EAR99 8541.10.0050 4.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 9 V 12 V 20 ohmios
BZX55C2V7 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C2V7 A0G -
RFQ
 ECAD 9458 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 100 Ma 10 µA @ 1 V 2.7 V 85 ohmios
S1KBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S1kbhr5g -
RFQ
 ECAD 1950 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB S1K Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 v @ 1 a 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 12PF @ 4V, 1MHz
BZD27C91PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c91phrvg -
RFQ
 ECAD 3816 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.07% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 68 V 90.5 V 200 ohmios
S1JLHR3G Taiwan Semiconductor Corporation S1jlhr3g -
RFQ
 ECAD 6059 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB S1J Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
TSZU52C7V5 Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C7V5 0.0669
RFQ
 ECAD 4330 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 4.99% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 0603 (1608 Métrica) Tszu52 150 MW 0603 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSZU52C7V5TR EAR99 8541.10.0050 20,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 5 V 7.5 V 7 ohmios
SF62G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF62G A0G -
RFQ
 ECAD 9553 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SF62 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 975 MV @ 6 A 35 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 100pf @ 4V, 1 MHz
SF1004GH Taiwan Semiconductor Corporation SF1004GH 0.5732
RFQ
 ECAD 5328 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 SF1004 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SF1004GH EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 10A 975 MV @ 5 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZD17C200PH Taiwan Semiconductor Corporation Bzd17c200ph 0.5588
RFQ
 ECAD 1476 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZD17 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZD17C200PHTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 200 Ma 1 µA @ 150 V 200 V 750 ohmios
HER104GH Taiwan Semiconductor Corporation HER104GH 0.1044
RFQ
 ECAD 7684 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HER104GHTR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
1PGSMB5956 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5956 R5G -
RFQ
 ECAD 6290 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1PGSMB5956 3 W DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 850 1 µA @ 152 V 200 V 1200 ohmios
HER3006PT Taiwan Semiconductor Corporation HER3006PT -
RFQ
 ECAD 5055 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO-247-3 HER3006 Estándar TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 600 V 30A 1.7 V @ 15 A 80 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZT55B20 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B20 L1G -
RFQ
 ECAD 7891 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZT55 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 10 Ma 100 na @ 15 V 20 V 55 ohmios
BZD27C200P Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C200P 0.3150
RFQ
 ECAD 7272 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 150 V 200 V 750 ohmios
SRAF1640 Taiwan Semiconductor Corporation SRAF1640 -
RFQ
 ECAD 5946 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero Schottky ITO-220AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SRAF1640 EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 16 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 16A -
ES1LJ R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1LJ R3G -
RFQ
 ECAD 4888 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA ES1L Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 18pf @ 4V, 1 MHz
HER108G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER108G A0G 0.5600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta de Corte (CT) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial HER108 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
BZD17C12P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C12P RHG -
RFQ
 ECAD 5478 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 3 µA @ 9.1 V 12 V 7 ohmios
RS1AL MTG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL MTG -
RFQ
 ECAD 8055 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RS1A Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
SFA803G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFA803G C0G -
RFQ
 ECAD 5734 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 SFA803 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 975 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 100pf @ 4V, 1 MHz
BZX55B30 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B30 0.0301
RFQ
 ECAD 4606 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX55B30TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 100 Ma 100 na @ 22 V 30 V 80 ohmios
BZT55C24 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C24 0.0350
RFQ
 ECAD 4641 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Variatura Sod-80 500 MW Mmmmel descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT55C24TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 18 V 24 V 80 ohmios
SFS1605G Taiwan Semiconductor Corporation SFS1605G 0.7671
RFQ
 ECAD 9387 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SFS1605 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 V @ 8 A 35 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A 60pf @ 4V, 1MHz
1N4003GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4003GHA0G -
RFQ
 ECAD 6034 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4003 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 1 A 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
BAS70 Taiwan Semiconductor Corporation BAS70 0.0343
RFQ
 ECAD 8872 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAS70 Estándar Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BAS70TR EAR99 8541.10.0070 6,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 70 V 1 V @ 15 Ma 5 ns 100 na @ 50 V -55 ° C ~ 125 ° C 70 Ma 2pf @ 0V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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