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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
BZT52B8V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B8V2 0.0412
RFQ
 ECAD 5192 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F Bzt52b 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52B8V2TR EAR99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 Ma 630 na @ 5 V 8.2 V 15 ohmios
1N914B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N914B A0G 0.0266
RFQ
 ECAD 3817 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N914 Estándar Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 5,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 100 V 720 MV @ 5 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C 150 Ma 4PF @ 0V, 1MHz
SR2030PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr2030pthc0g -
RFQ
 ECAD 5596 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 SR2030 Estándar TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 30 V 20A 550 MV @ 10 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C
S8KC M6G Taiwan Semiconductor Corporation S8KC M6G -
RFQ
 ECAD 8404 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S8KC Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 985 MV @ 8 A 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 48pf @ 4V, 1 MHz
2A07GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2A07GHA0G -
RFQ
 ECAD 6976 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2A07 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1 v @ 2 a 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 15pf @ 4V, 1 MHz
ES1ALHMTG Taiwan Semiconductor Corporation Es1alhmtg -
RFQ
 ECAD 9493 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES1A Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
SS315 M6G Taiwan Semiconductor Corporation SS315 m6g -
RFQ
 ECAD 9412 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC SS315 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 3 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZD27C130P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C130P RTG -
RFQ
 ECAD 9582 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 100 V 132.5 V 300 ohmios
S10MCHR7G Taiwan Semiconductor Corporation S10MCHR7G -
RFQ
 ECAD 8316 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S10M Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 10 a 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 60pf @ 4V, 1MHz
BZV55B12 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B12 L0G 0.0357
RFQ
 ECAD 7973 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 Bzv55b 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 100 Ma 100 na @ 9.1 V 12 V 20 ohmios
MBR1535CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1535CT C0G -
RFQ
 ECAD 6803 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR1535 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 15A 840 MV @ 15 A 500 µA @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N5398G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5398G A0G -
RFQ
 ECAD 3190 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 1N5398 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1 V @ 1.5 A 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 15pf @ 4V, 1 MHz
SFA1007G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFA1007G C0G -
RFQ
 ECAD 2895 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 SFA1007 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.7 V @ 10 A 35 ns 10 µA @ 500 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 50pf @ 4V, 1 MHz
SRF1090HC0G Taiwan Semiconductor Corporation Srf1090hc0g -
RFQ
 ECAD 5824 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SRF1090 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 90 V 10A 900 MV @ 5 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C
HS2BA M2G Taiwan Semiconductor Corporation HS2BA M2G -
RFQ
 ECAD 9445 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA HS2B Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 V @ 1.5 A 50 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 50pf @ 4V, 1 MHz
MBRS1560CTHMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1560CTHMNG -
RFQ
 ECAD 2399 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS1560 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 15A 750 MV @ 7.5 A 100 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
1PGSMA4748HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma4748hr3g 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1PGSMA4748 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 16.7 V 22 V 23 ohmios
M3Z36VC Taiwan Semiconductor Corporation M3Z36VC 0.0297
RFQ
 ECAD 1693 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F M3Z36 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-M3Z36VCTR EAR99 8541.10.0050 6,000 100 na @ 27 V 36 V 80 ohmios
1N4764A R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4764A R1G -
RFQ
 ECAD 1315 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4764 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 76 V 100 V 350 ohmios
1N5236B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5236B A0G -
RFQ
 ECAD 5499 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% 100 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5236 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.1 V @ 200 Ma 3 µA @ 6 V 7.5 V 6 ohmios
BZD27C47PHRHG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c47phrhg -
RFQ
 ECAD 2855 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 36 V 47 V 45 ohmios
BZS55B13 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B13 RXG -
RFQ
 ECAD 4077 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) BZS55 500 MW 1206 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 10 V 13 V 26 ohmios
SFA1003GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFA1003GHC0G -
RFQ
 ECAD 8659 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 SFA1003 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 975 MV @ 10 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 70pf @ 4V, 1MHz
1PGSMC5363HR7G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5363HR7G -
RFQ
 ECAD 9772 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AB, SMC 1PGSMC 5 W DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 850 500 na @ 22.8 V 30 V 8 ohmios
RS1KL RVG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1kl rvg 0.4500
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB Rs1k Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.3 V @ 800 Ma 500 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
BZD27C56PWH Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c56pwh 0.1191
RFQ
 ECAD 7975 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123W BZD27 1 W SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 200 Ma 1 µA @ 43 V 56 V 60 ohmios
MBR1035 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1035 C0G -
RFQ
 ECAD 7269 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 MBR1035 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 35 V 700 MV @ 10 A 100 µA @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
S1DFSHMWG Taiwan Semiconductor Corporation S1dfshmwg 0.4600
RFQ
 ECAD 210 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 S1D Estándar SOD-128 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.1 v @ 1 a 1 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
SRAF1060 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF1060 C0G -
RFQ
 ECAD 7175 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SRAF1060 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 10 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
MUR190 B0G Taiwan Semiconductor Corporation MUR190 B0G -
RFQ
 ECAD 1088 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial MUR190 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 900 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 900 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
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  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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