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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SS315 R7 | - | ![]() | 7096 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SS315R7TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 3 A | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | UG06AH | 0.1016 | ![]() | 2313 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | T-18, axial | UG06 | Estándar | TS-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 950 MV @ 600 Ma | 15 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 600mA | 9PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
Bzd27c11p mhg | - | ![]() | 8512 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.45% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 4 µA @ 8.2 V | 11 V | 7 ohmios | ||||||||||||
HS1GLW RVG | 0.4800 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123W | HS1G | Estándar | SOD-123W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 1 A | 50 ns | 1 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 16PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | SS36 R7G | - | ![]() | 5960 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | SS36 | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 750 MV @ 3 A | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | Baw56 | 0.0342 | ![]() | 5425 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Baw56 | Estándar | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-Baw56tr | EAR99 | 8541.10.0070 | 9,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Ánodo Común | 70 V | 200 MMA | 1.25 V @ 150 Ma | 6 ns | 2.5 µA @ 70 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
HS1B R3G | 0.5700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta de Corte (CT) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | HS1B | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
RSFDL RQG | - | ![]() | 9289 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | RSFDL | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 500 Ma | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 500mA | 4PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | HER208G B0G | - | ![]() | 6438 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | HER208 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.7 v @ 2 a | 75 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 20pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
ES1LJ R3G | - | ![]() | 4888 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | ES1L | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 18pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | HS5F R7G | - | ![]() | 7615 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | HS5F | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1 v @ 5 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | Sfs1602ghmng | - | ![]() | 7411 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SFS1602 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 975 MV @ 8 A | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
BZD27C27PWH | 0.1191 | ![]() | 7390 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123W | BZD27 | 1 W | SOD-123W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 20 V | 27 V | 15 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1N4744AHR1G | - | ![]() | 3262 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4744 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 11.4 V | 15 V | 14 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1N4148W-G RHG | 0.1900 | ![]() | 161 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123 | 1N4148 | Estándar | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 100 V | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 2.5 µA @ 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 150 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||
![]() | BZX585B24 RSG | 0.0476 | ![]() | 7692 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | BZX585B2 | 200 MW | Sod-523f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 45 na @ 16.8 V | 24 V | 70 ohmios | ||||||||||||
![]() | 2m82z | 0.1565 | ![]() | 4396 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 2m82 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,500 | 500 na @ 62.2 V | 82 V | 100 ohmios | ||||||||||||
![]() | MBRS1545CT-Y | 0.4677 | ![]() | 3254 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRS1545 | Schottky | TO-263AB (D2PAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-MBRS1545CT-YTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.600 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 15A | 840 MV @ 15 A | 100 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | MBRF10L100CT | - | ![]() | 6373 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | MBRF10 | Schottky | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 10A | 850 MV @ 10 A | 20 Ma @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | SK16B R5G | - | ![]() | 4947 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SK16 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 750 MV @ 1 A | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||
SS110LW | 0.4200 | ![]() | 37 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123W | SS110 | Schottky | SOD-123W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 800 MV @ 1 A | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||
![]() | Srf1050hc0g | - | ![]() | 2598 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | SRF1050 | Schottky | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 50 V | 10A | 700 MV @ 5 A | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 125 ° C | ||||||||||
BZD17C51P R3G | 0.2625 | ![]() | 5332 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.88% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 39 V | 51 V | 60 ohmios | ||||||||||||
![]() | SFF10L06GAH | 0.4385 | ![]() | 3428 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | SFF10L06 | Estándar | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-SFF10L06GAH | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 400 V | 10A | 1.3 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
Alfombra RSFKL | - | ![]() | 4751 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | Rsfkl | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 500 Ma | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 500mA | 4PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | BZX79C43 A0G | - | ![]() | 9139 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX79 | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 100 Ma | 50 na @ 30.1 V | 43 V | 150 ohmios | |||||||||||
Alfombra BZD27C120P | 0.2888 | ![]() | 9440 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.39% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 91 V | 120.5 V | 300 ohmios | ||||||||||||
HS1GL RQG | - | ![]() | 8971 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | HS1G | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 20pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
Bzd27c24phrhg | - | ![]() | 8014 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.78% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 18 V | 24.2 V | 15 ohmios | ||||||||||||
![]() | SR504 | 0.2012 | ![]() | 9063 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | SR504 | Schottky | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 5 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 5A | - |
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