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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
HS2MA R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS2MA R3G 0.5800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA HS2M Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.7 V @ 1.5 A 75 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 30pf @ 4V, 1 MHz
SR115H Taiwan Semiconductor Corporation SR115H 0.0848
RFQ
 ECAD 8148 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SR115 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 1 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SFT18G A1G Taiwan Semiconductor Corporation Sft18g a1g -
RFQ
 ECAD 4590 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Descontinuado en sic A Través del Aguetero T-18, axial SFT18 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
GBPC35005W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC35005W T0G -
RFQ
 ECAD 1316 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC35005 Estándar GBPC-W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 50 V 35 A Fase única 50 V
SK84CHM6G Taiwan Semiconductor Corporation Sk84chm6g -
RFQ
 ECAD 5508 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Sk84 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 8 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 8A -
1M150ZHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1M150ZHB0G -
RFQ
 ECAD 3206 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1m150 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 5 µA @ 114 V 150 V 1000 ohmios
BZT52B3V0S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B3V0S RRG -
RFQ
 ECAD 3272 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F Bzt52b 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 9 µA @ 1 V 3 V 100 ohmios
BZT52B15-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B15-G RHG 0.0461
RFQ
 ECAD 3285 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 Bzt52b 410 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 10.5 V 15 V 30 ohmios
BZV55C2V4 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C2V4 L0G 0.0333
RFQ
 ECAD 9988 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZV55C 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 50 µA @ 1 V 2.4 V 85 ohmios
BZX85C12 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C12 R0G 0.0645
RFQ
 ECAD 2393 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BZX85 1.3 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 10 Ma 500 na @ 9.1 V 12 V 9 ohmios
HS2KA R3G Taiwan Semiconductor Corporation Hs2ka r3g -
RFQ
 ECAD 8001 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA HS2K Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.7 V @ 1.5 A 75 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 30pf @ 4V, 1 MHz
1SS400 RKG Taiwan Semiconductor Corporation 1SS400 RKG -
RFQ
 ECAD 1768 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-79, SOD-523 1SS400 Estándar Sod-523f - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 100 V 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 100 na @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C 200 MMA 4pf @ 500mv, 1 MHz
SF22GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF22GHB0G -
RFQ
 ECAD 2055 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial SF22 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 950 MV @ 2 A 35 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 40pf @ 4V, 1 MHz
ES1AL RTG Taiwan Semiconductor Corporation Es1al rtg -
RFQ
 ECAD 2435 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES1A Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 1v, 1 MHz
ES2CAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Es2cahr3g -
RFQ
 ECAD 1446 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA ES2C Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 2 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 25pf @ 4V, 1 MHz
SK320A R3G Taiwan Semiconductor Corporation SK320A R3G -
RFQ
 ECAD 8545 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA SK320 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 3 A 100 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
F1T1G R0G Taiwan Semiconductor Corporation F1T1G R0G -
RFQ
 ECAD 8457 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero T-18, axial F1t1 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
HS1KLW Taiwan Semiconductor Corporation HS1KLW 0.0639
RFQ
 ECAD 6398 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W Estándar SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HS1KLWTR EAR99 8541.10.0080 20,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 1 µA @ 800 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 7pf @ 4V, 1 MHz
SR4020PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR4020PT C0G -
RFQ
 ECAD 6899 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 SR4020 Schottky TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 20 V 40A 550 MV @ 20 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C
1N4746A B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4746A B0G -
RFQ
 ECAD 1847 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4746 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 5 µA @ 13.7 V 18 V 35 ohmios
ES1HL R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1HL R3G 0.6100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES1H Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.7 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 500 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8PF @ 4V, 1MHz
UF4006HA0G Taiwan Semiconductor Corporation UF4006HA0G -
RFQ
 ECAD 5426 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial UF4006 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17PF @ 4V, 1MHz
RS2BA R3G Taiwan Semiconductor Corporation RS2BA R3G -
RFQ
 ECAD 8342 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA Rs2b Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 1.5 A 150 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 50pf @ 4V, 1 MHz
SS22LHM2G Taiwan Semiconductor Corporation Ss22lhm2g -
RFQ
 ECAD 6664 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS22 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 500 MV @ 2 A 400 µA @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
BZT52B56S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B56S 0.0385
RFQ
 ECAD 9984 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F Bzt52b 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-bzt52b56str EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 39.2 V 56 V 200 ohmios
SS36LHRUG Taiwan Semiconductor Corporation Ss36lhrug 0.3915
RFQ
 ECAD 5666 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS36 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 3 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
1N4764AHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4764AHR1G -
RFQ
 ECAD 6466 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4764 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 76 V 100 V 350 ohmios
SK32BHM4G Taiwan Semiconductor Corporation Sk32bhm4g -
RFQ
 ECAD 6883 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB Sk32 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 500 MV @ 3 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
1N5259B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5259B A0G -
RFQ
 ECAD 7147 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% 100 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5259 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 30 V 39 V 80 ohmios
SK24AH Taiwan Semiconductor Corporation Sk24ah 0.0920
RFQ
 ECAD 6405 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Sk24 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 2 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
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    30,000,000

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Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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